帳號:
密碼:
 
CTIMES / 碳化矽
科技
典故
獨霸編碼,笑傲江湖──ASCII與Unicode間的分分合合

為了整合電子位元資訊交換的共同標準,統一全球各國分歧殊異的文字符號,獨霸全球字元編碼標準,ASCII與Unicode的分分合合就此展開........
探討碳化矽如何改變能源系統 (2025.04.09)
碳化矽(SiC)已成為各產業提高效率和支援去碳化的基石。更是推動先進電力系統的要素之一,可因應全球對再生能源、電動車(EV)、資料中心和電網基礎設施日益增長的需求
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽(SiC)肖特基柵極二極體(SBD)產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」,適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站,以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統(UPS)等工業設備
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽(SiC)肖特基柵極二極體(SBD)產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」,適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站,以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統(UPS)等工業設備
工研院攜手大南方產業 搶進功率半導體與氫應用商機 (2024.08.09)
自從3年前(2022)成立了南部產業創新策略辦公室以來,工研院今(9)日再度於台南沙崙綠能科技示範場域舉辦「壯大南方產業 邁向永續淨零產業成果聯合特展及技術論壇」,匯集20位專家的產業洞見與趨勢分析
工研院攜手大南方產業 搶進功率半導體與氫應用商機 (2024.08.09)
自從3年前(2022)成立了南部產業創新策略辦公室以來,工研院今(9)日再度於台南沙崙綠能科技示範場域舉辦「壯大南方產業 邁向永續淨零產業成果聯合特展及技術論壇」,匯集20位專家的產業洞見與趨勢分析
博世2023年度營收、獲利逆勢成長 歸功交通及工業事業群貢獻 (2024.02.07)
即使歷經2023年全球經濟不景氣逆風來襲,根據博世集團今(日)最新宣告該集團不畏挑戰,仍逆勢達成該年度財務目標,總營業額約為916億歐元,實質成長8%;營業利潤率5%,較前一年4.3%微幅成長,合乎預期
博世2023年度營收、獲利逆勢成長 歸功交通及工業事業群貢獻 (2024.02.07)
即使歷經2023年全球經濟不景氣逆風來襲,根據博世集團今(日)最新宣告該集團不畏挑戰,仍逆勢達成該年度財務目標,總營業額約為916億歐元,實質成長8%;營業利潤率5%,較前一年4.3%微幅成長,合乎預期
英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加,英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 (SiC) 矽晶圓供應協定,並且延長期限。雙方擴展的合作範圍,包括一個多年期的產能預訂協定,進而穩定英飛凌整體供應鏈,以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長
英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加,英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 (SiC) 矽晶圓供應協定,並且延長期限。雙方擴展的合作範圍,包括一個多年期的產能預訂協定,進而穩定英飛凌整體供應鏈,以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長
博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)將與博格華納(BWA)合作,為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽(SiC)功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台
博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)將與博格華納(BWA)合作,為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽(SiC)功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台
工研院、筑波攜手德山 串起半導體碳化矽產業鏈 (2023.08.15)
全球5G、電動車等產業蔚為趨勢,化合物半導體因具備高功率、高頻且低耗電特色,成為提升產品效率的關鍵材料,其中材料更是半導體前端製程的關鍵!為有效掌握半導體國產化關鍵材料技術
工研院、筑波攜手德山 串起半導體碳化矽產業鏈 (2023.08.15)
全球5G、電動車等產業蔚為趨勢,化合物半導體因具備高功率、高頻且低耗電特色,成為提升產品效率的關鍵材料,其中材料更是半導體前端製程的關鍵!為有效掌握半導體國產化關鍵材料技術
車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)
本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈,並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組,以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。
三菱電機將建設新晶圓廠 增進SiC率半導體產能 (2023.03.14)
因應快速增長的電動汽車對於碳化矽(SiC)功率半導體需求,三菱電機(Mitsubishi Electric Corporation)宣布,至2026 年 3 月的五年內,將投資計畫增加達到約 2600 億日元,主要用於建設新的晶圓廠增加碳化矽(SiC)功率半導體的產量
三菱電機將建設新晶圓廠 增進SiC率半導體產能 (2023.03.14)
因應快速增長的電動汽車對於碳化矽(SiC)功率半導體需求,三菱電機(Mitsubishi Electric Corporation)宣布,至2026 年 3 月的五年內,將投資計畫增加達到約 2600 億日元,主要用於建設新的晶圓廠增加碳化矽(SiC)功率半導體的產量
英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議,以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作,根據合約內容,Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體
英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係,宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議,以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作,根據合約內容,Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體
以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程 (2022.11.14)
半導體技術革命催生了新的寬能隙元件,例如碳化矽(SiC)MOSFET功率開關,使得消費者對電動車行駛里程的期望,與OEM在成本架構下實現縮小里程之間的差距。
以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)不同,本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時,設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2026 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw