CTIMES - Dram

imec展示首款3D電荷耦合元件鎖定AI記憶體應用 (2026.05.13)
在類似3D NAND的架構內製造電荷耦合元件（CCD）的可行性有助於推動具備高成本效益的高位元密度記憶體方案，以應對AI特定工作負載所面臨的記憶體牆挑戰。

imec推出NanoIC製程設計套件加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求，由比利時微電子研究中心（imec）協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片（NanoIC）試驗製程，持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新

DRAM供需缺口有解估2027年供給量可望上修 (2026.01.19)
基於2025年下半年開始，ASIC和AI推論應用發展，分別帶動HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（動態隨機存取記憶體）供需缺口持續擴大，並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能，期待能在2027年上修供給量外，也不忘持續開發新品

三星發表10奈米以下DRAM技術結合CoP架構與耐熱新材料 (2025.12.17)
三星電子(Samsung)與三星綜合技術院(SAIT)，週二在舊金山舉行的IEEE第70屆國際電子元件會議(IEDM)上，正式發表了製造10奈米(nm)以下DRAM的關鍵技術。該技術透過Cell-on-Peri(CoP)架構將記憶體單元堆疊在周邊電路上，並導入新型高耐熱材料，成功克服製程中的高溫挑戰，為記憶體微縮化開啟新頁

突破DRAM物理極限鎧俠發表8層堆疊氧化物半導體通道電晶體技術 (2025.12.14)
記憶體廠鎧俠(Kioxia)日前宣布，已開發出極具堆疊潛力的氧化物半導體通道電晶體技術，這將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。該技術於12月10日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上發表，不僅證實了8層堆疊電晶體的運作，更可望降低包括AI伺服器和IoT物聯網元件在內的廣泛應用功耗

DDR4現貨價格短短兩週飆漲100％背後原因曝光 (2025.07.01)
根據資料顯示，DDR4記憶體現貨價格在6月中以來急速攀升，相較不到半個月時間價格翻了一倍。其中，主流8Gb及16Gb DDR4 3200MT/s模組現貨價從約?4–5美元，攀升至?8–10美元，甚至出現部分高達?150％的漲幅

生成式AI為中國記憶體產業崛起帶來契機可望在中低階市場站穩根基 (2025.01.17)
隨著生成式AI技術的快速發展，全球記憶體市場需求急劇上升，這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型，也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲（CXMT）等中國企業，正憑藉技術突破與市場拓展，努力縮短與全球領先企業的差距，為整個產業的競爭格局注入新的變數

盧超群：以科技提高生產力明年半導體景氣謹慎樂觀並逐步成長 (2024.12.19)
CES 是全球最具影響力的科技盛會，2025年的CES展會，鈺創科技集團以「創新落實、AI 落地，連結 MemorAiLink 開創未來」為主軸參展，將展示「普識智慧 (Pervasive Intelligence) 與異質整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 產品理念，展現其在創新產品開發上的不懈努力

Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合為遊戲玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超頻電競記憶體，以全新 6,400 MT/s 的速度，為玩家提供更流暢、更快速的遊戲體驗。此次產品更新是繼 2月首次推出的6,000 MT/s 電競記憶體解決方案後的進一步升級

美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合可助新一波AI PC發展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新類別的時脈驅動器記憶體─Crucial DDR5 時脈無緩衝雙列直插式記憶體模組（CUDIMM）和時脈小型雙直列記憶體模組（CSODIMM），現已大量出貨。這些符合 JEDEC 標準的解決方案運行速度高達 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的兩倍之多，比傳統的非時脈驅動器 DDR5 快 15%

美光32Gb伺服器DRAM通過驗證並出貨滿足生成式AI應用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其採用高容量單片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 記憶體正式驗證與出貨。美光 128GB DDR5 RDIMM 記憶體速度高達 5,600 MT/s，適用於各種先進伺服器平台，該產品採用美光的 1β 技術，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆疊的產品，位元密度提升超過 45%，能源效率提升 22%，延遲則降低 16%