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2026 ISSCC聚焦台灣研發成果 產學合作打造技術亮點 (2025.11.25)
被譽為「IC 設計界奧林匹克」的 IEEE國際固態電路研討會（ISSCC）今年再度傳來捷報。面對全球超過千篇的投稿競爭，台灣共有11篇論文入選2026年ISSCC，內容橫跨記憶體運算、AI加速器、晶片互連、車用MRAM等多項關鍵領域，再次證明台灣在全球晶片設計版圖上具有高度競爭力，並透過產學合作深化先進製程、AI晶片與系統級技術的創新動能 |
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法國科研突破：混合記憶體晶片實現高效邊緣AI學習與推論 (2025.09.28)
法國科學家團隊成功開發全球首款混合記憶體技術，突破了邊緣AI（Edge AI）裝置難以在本地同時進行高效「學習」與「推論」的技術瓶頸。這項發表於《自然?電子學》期刊的重大成果，為AI發展帶來新契機 |
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新世代記憶體大突破 臺灣團隊攻克SOT-MRAM材料瓶頸 (2025.09.26)
新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制 |
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記憶體三雄SEMICON Taiwan首度同台 聯手搶佔AI制高點 (2025.07.29)
因應AI運算對先進記憶體效能需求急遽提升，擁有核心記憶體產業鏈、先進封裝、系統整合優勢與創新研發聚落的台灣，正快速躍升成為全球記憶體技術創新的重要基地。
為掌握記憶體新革命浪潮 |
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DDR4現貨價格短短兩週飆漲100％ 背後原因曝光 (2025.07.01)
根據資料顯示，DDR4記憶體現貨價格在6月中以來急速攀升，相較不到半個月時間價格翻了一倍。其中，主流8Gb及16Gb DDR4 3200MT/s模組現貨價從約?4–5美元，攀升至?8–10美元，甚至出現部分高達?150％的漲幅 |
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AI驅動記憶體革新 台積電與三星引領儲存技術搶攻兆元商機 (2025.06.29)
全球新興記憶體與儲存技術市場正快速擴張，而台積電、三星、美光、英特爾等半導體巨頭正與專業IP供應商合作，積極推動先進非揮發性記憶體解決方案的商業化。
過去兩年 |
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創新3D緩衝記憶體 助力AI與機器學習 (2025.05.06)
imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。 |
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3D DRAM新突破！國研院聯手旺宏提升AI晶片效能 (2025.02.26)
國研院半導體中心與旺宏電子合作，成功開發「新型高密度、高頻寬3D動態隨機存取記憶體（3D DRAM）」，此技術突破傳統2D記憶體限制，採用3D堆疊技術，大幅提升記憶體密度與效能，且具備低功耗、高耐用度優勢，有助於提升AI晶片效能 |
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SOT-MRAM記憶體技術重大突破 有望改寫電腦快取架構 (2025.02.10)
德國約翰古騰堡大學（JGU）研究團隊攜手法國Antaios公司，在自旋軌道扭矩（SOT）磁性隨機存取記憶體（MRAM）技術上取得關鍵性進展。這項創新技術展現了取代現有電腦快取記憶體的潛力，為高效能運算開闢新道路 |
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日本光磁技術重大突破 為光儲存記憶體帶來新視野 (2025.02.06)
日本東北大學研究團隊近日在光磁技術領域取得重大進展，成功觀測到比傳統磁鐵高出五倍效率的光磁轉矩，為開發基於光學的自旋記憶體和儲存技術帶來深遠影響。
光磁轉矩是一種可以對磁鐵產生作用力的方法 |
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生成式AI為中國記憶體產業崛起帶來契機 可望在中低階市場站穩根基 (2025.01.17)
隨著生成式AI技術的快速發展，全球記憶體市場需求急劇上升，這波趨勢不僅刺激了全球供應鏈的加速轉型，也為中國記憶體產業帶來嶄新的發展契機。長鑫存儲（CXMT）等中國企業，正憑藉技術突破與市場拓展，努力縮短與全球領先企業的差距，為整個產業的競爭格局注入新的變數 |
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Weebit Nano授權ReRAM技術給安森美半導體 (2025.01.02)
以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。
根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM) |
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盧超群：以科技提高生產力 明年半導體景氣謹慎樂觀並逐步成長 (2024.12.19)
CES 是全球最具影響力的科技盛會，2025年的CES展會，鈺創科技集團以「創新落實、AI 落地，連結 MemorAiLink 開創未來」為主軸參展，將展示「普識智慧 (Pervasive Intelligence) 與異質整合 (Heterogeneous Integration)」的 IC 產品理念，展現其在創新產品開發上的不懈努力 |
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Rambus與美光延長專利授權協議 強化記憶體技術力 (2024.12.11)
半導體IP商Rambus今日宣布，已與美光(Micron )專利授權協議期限延長五年。該延長協議維持現有授權條款，允許Micron在2029年底前廣泛使用Rambus專利組合。其他條款和細節保密 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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Crucial擴展DDR5 Pro電競記憶體產品組合 為遊戲玩家提供更快速度 (2024.10.30)
美光科技推出 Crucial DDR5 Pro 超頻電競記憶體，以全新 6,400 MT/s 的速度，為玩家提供更流暢、更快速的遊戲體驗。此次產品更新是繼 2月首次推出的6,000 MT/s 電競記憶體解決方案後的進一步升級 |
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美光超高速時脈驅動器DDR5記憶體產品組合 可助新一波AI PC發展浪潮 (2024.10.16)
美光科技推出全新類別的時脈驅動器記憶體─Crucial DDR5 時脈無緩衝雙列直插式記憶體模組（CUDIMM）和時脈小型雙直列記憶體模組（CSODIMM），現已大量出貨。這些符合 JEDEC 標準的解決方案運行速度高達 6,400 MT/s，是 DDR4 速度的兩倍之多，比傳統的非時脈驅動器 DDR5 快 15% |
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微星科技於FMS 2024展出CXL記憶體擴展伺服器 (2024.08.07)
全球伺服器供應商微星科技（MSI），於美國The Future of Memory and Storage活動中展出基於第四代AMD EPYC處理器的新款CXL（Compute Express Link）記憶擴展伺服器，新品與合作夥伴三星電子（Samsung）和MemVerge聯合展示 |
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美光最低延遲創新主記憶體MRDIMM正式送樣 (2024.07.18)
因應工作負載要求的日益嚴苛，為了充分發揮運算基礎架構的最大價值。美光科技（Micron）宣佈其多重存取雙列直插式記憶體模組（MRDIMM）開始送樣。MRDIMM針對記憶體需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用 |
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美光揭櫫永續行動進展 邁向未來創新目標 (2024.07.05)
美光科技發布 2024 年永續經營報告，詳述美光的永續發展成果，並持續推動可為未來創造全新機會與突破的技術進程。美光總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra 表示，美光 2024 年永續經營報告展現透過科技回饋全球社群與環境的決心；期待協助引領整個半導體產業和生態系統取得更長足的進步 |
