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iSuppli:Q2将是08年下半年半导体市场的关键指标 (2008.03.10)
外电消息报导，市场研究公司iSuppli日前表示，原先预期2008年全球半导体市场的销售收入将快速成长，成长率将从2007年的4.1%提高到7.5%。但由於价格疲软与NAND快闪记忆体需求减少等因素，iSuppli预计将微幅下调今年半导体市场的成长预期 |
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东芝将投资兴建两座NAND Flash工厂 (2008.02.22)
东芝将投资兴建两座月产能40万片NAND Flash工厂。据了解，东芝将于2009年春季分别在日本岩手县北上市和三重县四日市同时兴建两座工厂，并计划于2010年正式量产。预计产能为每座工厂每月15万～20万片，总产能将达每月30万～40万片，而总投资额将超过1兆7000亿日圆（约158亿美元） |
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东芝将投资兴建两座NAND Flash工厂 (2008.02.22)
东芝将投资兴建两座月产能40万片NAND Flash工厂。据了解，东芝将於2009年春季分别在日本岩手县北上市和三重县四日市同时兴建两座工厂，并计画於2010年正式量产。预计产能为每座工厂每月15万～20万片，总产能将达每月30万～40万片，而总投资额将超过1兆7000亿日圆（约158亿美元） |
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美光今年将推出35nm多层架构的SSD硬盘 (2008.01.23)
美光科技（Micron Technology）2008年将正式推出35奈米制程的多层架构的SSD（solid state drive）固态硬盘产品。据了解，美光2008年将着力于SSD业务上，以加速取代目前的传统硬盘 |
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美光今年将推出35nm多层架构的SSD硬碟 (2008.01.23)
美光科技（Micron Technology）2008年将正式推出35奈米制程的多层架构的SSD（solid state drive）固态硬碟产品。据了解，美光2008年将着力於SSD业务上，以加速取代目前的传统硬碟 |
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东芝和SanDisk共同发表43nm制程NAND Flash (2007.12.25)
东芝与美国SanDisk共同发表了采用43nm制程，和2bit/单元多层技术所生产的16Gbit NAND闪存。这种芯片面积仅120平方公厘，可封装在超小型储存卡microSD内。新产品配备了控制栅极驱动电路和存储数组上的电源总线，NAND串数延长至66个，并减小电路面积达9％以上 |
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东芝和SanDisk共同发表43nm制程NAND Flash (2007.12.25)
东芝与美国SanDisk共同发表了采用43nm制程，和2bit/单元多层技术所生产的16Gbit NAND快闪记忆体。这种晶片面积仅120平方公??，可封装在超小型储存卡microSD内。新产品配备了控制栅极驱动电路和存储阵列上的电源汇流排，NAND串数延长至66个，并减小电路面积达9％以上 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆叠封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆叠、每层厚度为25μm的NAND型快闪记忆体，总厚度为1.4mm的MCP多晶片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆叠层数最多的一次 |
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海力士成功开发24层NAND Flash堆栈封装技术 (2007.09.13)
海力士半导体（Hynix Semiconductor）成功开发出24层堆栈、每层厚度为25μm的NAND型闪存，总厚度为1.4mm的MCP多芯片封装。这是在目前的MCP产品之中，堆栈层数最多的一次。
海力士是于2007年5月开发出了层迭20层芯片的MCP |
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东芝和SanDisk合资的NAND Flash新厂完工启用 (2007.09.07)
东芝和SanDisk共同在四日市举行了NAND型快闪记忆体新厂（Fab4）完工启用典礼。东芝社长西田厚聪表示记忆体业务是「利润成长」目标具体化的表现，并表示Fab4厂拥有三个世界第一的头衔 |
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东芝和SanDisk合资的NAND Flash新厂完工启用 (2007.09.07)
东芝和SanDisk共同在四日市举行了NAND型闪存新厂（Fab4）完工启用典礼。东芝社长西田厚聪表示内存业务是「利润成长」目标具体化的表现，并表示Fab4厂拥有三个世界第一的头衔 |
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IC产品破茧催生崭新市场研讨会 (2007.08.22)
从任天堂的Wii藉由MEMS制程开发出Motion Sensor，使人机互动更趋人性化，到苹果推出i-Phone手机借着触控面板技术，成功将复杂多媒体手机简单化，进而吸引了其它诸如手机、MP3 Player、PND、甚至UMPC等可携式电子业者竞相投入触控面板之应用开发 |
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第二季NAND Flash市场规模扩大 价格上涨为主因 (2007.08.20)
市调机构iSuppli公布了2007年第二季（4～6月）NAND快闪记忆体的市调结果。资料显示全球市场规模比去年同期成长了10.2％，比上季成长14.4％、达到30亿1200万美元。第二季NAND快闪记忆体市场改变了第一季市场需求低迷的态势，由於各厂商的出货量减少，使得第二季NAND快闪记忆体的出货量减少，也导致平均售价上涨 |
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第二季NAND Flash市场规模扩大 价格上涨为主因 (2007.08.20)
市调机构iSuppli公布了2007年第二季（4～6月）NAND闪存的市调结果。数据显示全球市场规模比去年同期成长了10.2％，比上季成长14.4％、达到30亿1200万美元。第二季NAND闪存市场改变了第一季市场需求低迷的态势，由于各厂商的出货量减少，使得第二季NAND闪存的出货量减少，也导致平均售价上涨 |
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NAND Flash Inside！ (2007.07.09)
为了持续提高NAND Flash的储存容量与密度，东芝（Toshiba）计划一改过去持续挑战半导体制程极限的作法，转而透过3D结构以提高NAND Flash的储存密度。此外，其他内存厂商也都不断开发新技术以取代传统浮动闸极（floating gate）结构之NAND Flash，藉此解决该技术容量极限难以突破的问题 |
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都是價格考量拉～ (2007.06.28)
都是價格考量拉～ |
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2009年笔记本电脑的SSD使用率将达到12％ (2007.06.27)
固态硬盘（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市调机构纷纷提出该市场的未来预测。iSuppli便指出，SSD占有率到2009年底将达到12％。而预计同时使用硬盘和闪存的混合型硬盘占有率将达到35％ |
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2009年笔记型电脑的SSD使用率将达到12％ (2007.06.27)
固态硬碟（solid state drive；SSD）前景看好，因此各市调机构纷纷提出该市场的未来预测。iSuppli便指出，SSD占有率到2009年底将达到12％。而预计同时使用硬碟和快闪记忆体的混合型硬碟占有率将达到35％ |
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东芝发表三维阵列NAND快闪记忆体 (2007.06.14)
东芝发表了新一代的NAND快闪记忆体技术。据了解，东芝成功研发了不必依赖微细化而能增大NAND快闪记忆体容量的储存单元排列技术。在栅极电极膜和绝缘膜交互层叠的结构上，打入贯通上层到下层的小孔，在柱状空隙中填入含杂质的矽 |
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东芝发表三维数组NAND闪存 (2007.06.14)
东芝发表了新一代的NAND闪存技术。据了解，东芝成功研发了不必依赖微细化而能增大NAND闪存容量的储存单元排列技术。在栅极电极膜和绝缘膜交互层迭的结构上，打入贯通上层到下层的小孔，在柱状空隙中填入含杂质的硅 |
