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工研院組隊亮相NEPCON JAPAN 展現研製AI、車用半導體實力 (2026.01.22)
迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求,工研院近期參與日本國際電子製造關連展(NEPCON JAPAN),便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題,展示逾14項前瞻技術成果,並攜手台灣廠商,加速研發成果產業化與國際布局,持續強化在先進電子與半導體領域的競爭優勢
工研院組隊亮相NEPCON JAPAN 展現研製AI、車用半導體實力 (2026.01.22)
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縮短熱電理論與實踐差距 研究揭示提升TEG效能關鍵 (2026.01.14)
根據《可再生與可持續能源期刊》的文章,一個團隊在熱電(TE)技術領域取得重大突破。研究人員發現,除了傳統關注的介面電阻外,「介面熱阻」是限制熱電發電機系統(TEGS)效能的隱形殺手
縮短熱電理論與實踐差距 研究揭示提升TEG效能關鍵 (2026.01.14)
根據《可再生與可持續能源期刊》的文章,一個團隊在熱電(TE)技術領域取得重大突破。研究人員發現,除了傳統關注的介面電阻外,「介面熱阻」是限制熱電發電機系統(TEGS)效能的隱形殺手
AI重塑PCB價值鏈:材料、設計與市場的三重進化 (2025.10.07)
過去,PCB的角色主要在於承載與連接電子元件,但在AI時代,PCB不僅要能傳輸超高速訊號,還必須處理高功率密度、散熱挑戰與多層堆疊設計的壓力。這使得PCB產業迎來一場全面性的技術革命與材料演進
國儀中心與鼎極科技聯手打造次世代功率半導體製程技術 (2025.06.24)
在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下,對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽(SiC)晶圓加工中的製程瓶頸,國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作,成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術
國儀中心與鼎極科技聯手打造次世代功率半導體製程技術 (2025.06.24)
在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下,對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽(SiC)晶圓加工中的製程瓶頸,國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作,成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術
高功率元件的創新封裝與熱管理技術 (2025.02.10)
隨著高密度封裝和熱管理技術的進步,我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業,推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代,持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵
AI伺服器驅動PCB材料與技術革新 (2024.10.28)
目前台灣PCB產業除了積極轉型智慧製造節能以減碳之外,還須善用2024年上半年仍受惠於AI需求帶動出口好轉的契機,驅動AI伺服器供應鏈加工技術與材料革新開源,成為確保PCB產值能穩定成長的關鍵
電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用,本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。
SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中,由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要,只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫,才能得到廣大的車廠認可,而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範
讓壓力感測不再受限天時與地利 (2023.09.25)
本次介紹的是目前業界首款防水的壓力感測器、它就是意法半導體(ST)產品型號為「ILPS28QSW」的MEMS防水/防液絕對壓力感測器。
Bourns四款新型符合 AEC-Q200 標準的大功率厚膜電阻上市 (2023.02.13)
全球電子元件製造供應商美商柏恩(Bourns)擴展大功率厚膜電阻系列,全新推出四款符合 AEC-Q200 標準產品。Bourns CRM-Q、CRS-Q、CMP-Q 和 CHP-Q 系列為車規級產品,具高額定功率和卓越的脈衝負載浪湧能力,使用印在陶瓷基板上的厚膜元件製造,強化四款全新電阻系列的可靠性
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TT Electronics推出TFHP系列薄膜高功率貼片電阻器 (2022.09.13)
全球性能關鍵應用領域工程技術供應商TT Electronics 公司推出TFHP 系列薄膜高功率貼片電阻器。TFHP 系列產品的單個電阻器兼具高功率和高精度,採用新型氮化鋁 (AIN) 陶瓷基板,其電導率幾乎是傳統貼片電阻基板材料氧化鋁的六倍
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Q2照明用LED喊漲 有望帶動全年市場產值至67.06億美元 (2021.05.25)
根據TrendForce LED全球供應鏈資料庫報告顯示,2021年第二季整體照明用LED產品價格將上漲0.3~2.3%,主要是LED照明市場需求面自第一季起便全面復甦,至第二季仍維持高檔,加上疫情導致上游端LED晶片結構性缺貨仍未解,終端照明產品廠商為避免陷入去年的缺貨情況因而加大備貨力道,預估供應鏈的漲勢將帶動全年照明用LED產值達67
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英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
英飛凌科技利用新型氮化鋁(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模組。此半橋式裝置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B兩種封裝型式,導通電阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V裝置採用高性能陶瓷,因此適合高功率密度應用,如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等
英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET新模組採用AIN陶瓷基板 (2021.05.12)
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