 |
imec光阻剂减量:MOR曝光後烘烤步骤注入氧气成为产量关键推手 (2026.03.03) 日前举行的2026年国际光学工程学会(SPIE)先进微影成形技术会议(Advanced Lithography + Patterning Conference)上,比利时微电子研究中心(imec)展示在EUV微影曝光後步骤精准控制气体成分有助於尽量减少所需的曝光阻剂,进而推动晶圆产量增加 |
 |
High NA EUV将登场 是否将加速半导体产业寡占? (2026.02.13) 随着 2 奈米以下制程逐步逼近量产阶段,High NA EUV(高数值孔径极紫外光刻机)设备被视为延续摩尔定律的重要关键。然而,在技术突破的光环之下,产业界也开始讨论一个更现实的问题:当导入门槛与投资规模再创新高 |
 |
欧盟启动NanoIC晶片试产线 推进先进制程与AI竞争力 (2026.02.13) 在全球半导体竞争日益激烈的局势下,欧盟正式启动 NanoIC 晶片试产线(NanoIC pilot line),意图强化本土先进半导体研发与制造能力,并缩小与亚洲、美国先进晶片制造的技术差距 |
 |
imec采用EUV微影技术 展示固态奈米孔首次晶圆级制造 (2026.02.03) 於今年IEEE国际电子会议(IEDM),imec展示运用极紫外光(EUV)微影技术首次成功完成的固态奈米孔晶圆级制造。固态奈米孔作为分子感测应用的有力工具,正在逐渐兴起,但还未进行商业化 |
 |
艾司摩尔2025年全年财报亮眼 全球半导体设备迎来新一波红利期 (2026.01.28) 艾司摩尔(ASML)近日揭晓 2025 年全年财报,数据表现亮眼。2025 年全年销售净额达到 327 亿欧元,净收入为 96 亿欧元。光是第四季的单季销售额就以 97 亿欧元创下历史新高,其中包括两套最先进的 High NA EUV 设备收入认列,显示出先进制程的需求正处於爆发期 |
 |
Canon喷墨式平坦化技术 为先进制程带来成本革命 (2026.01.13) 长期以来,晶圆在多层堆叠过程中,表面会产生细微的起伏,这会导致光学曝光时出现失焦,进而造成电路缺陷。传统上,业界依赖化学机械研磨(CMP)来磨平晶圆,但随着制程迈向 2 奈米甚至更深层,CMP 的精度已逐渐遇到瓶颈 |
 |
中国公布EUV原型机进展 (2025.12.19) 根据报导指出,中国在极紫外光(EUV)光刻机领域已完成原型机阶段的进展。此一成果被视为中国推动高阶半导体设备自主化的重要里程碑,也是外界所称「中国曼哈顿计画」的关键环节之一,显示中国正积极尝试突破先进制程设备长期依赖海外供应的结构性限制 |
 |
3D列印重新定义设备与制程 (2025.12.10) 对追求速度与性能的半导体产业而言,3D列印正逐步成为改写竞争格局的重要武器,而在AI时代,掌握AM就意味着掌握制造创新的主导权。 |
 |
韩国晶片大厂扩产潮启动 供应链再迎新一波成长动能 (2025.11.19) 韩国半导体产业再度吹起扩张号角。根据报导,韩国两大晶片制造商近期针对先进制程与记忆体产能展开大规模投资,带动整体供应链期待升温,形成一股向外扩散的产业活水 |
 |
Playground布局次世代运算关键技术 解决算力核心瓶颈 (2025.11.18) 全球深科技创投 Playground Global 近年积极投资一系列关键领域,包括电源管理、光通讯、先进互连、高效能运算架构与微影光源等,这些技术正是支撑未来 AI、HPC、资料中心与晶圆制造等产业持续发展的根本命脉 |
 |
台湾机械设备业挺进先进封装生态链 (2025.11.12) 对於台湾机械设备与材料产业而言,这既是被动应对全球变动的必要策略,也是主动从「设备/材料出囗」转型为「高阶封装整合生态系统供应商」的千载机会。 |
 |
从中国光刻机国产化脚步 看半导体自主之路的关键 (2025.10.21) 在美国持续扩大晶片出囗管制、荷兰加强ASML设备出囗限制的压力下,中国大陆正将光刻机列为半导体产业「卡脖子」环节的首要突破点。2025年,中国光刻技术的进展,特别是193奈米ArF沉浸式DUV机种的开发,成为全球关注焦点 |
 |
应材研发新一代半导体制造系统 将大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09) 迎接全球AI基础建设热潮,美商应用材料公司近日也发表最新半导体制造系统,将专注在3大关键领域,分别是环绕式闸极(GAA)、电晶体在内的前瞻逻辑制程、高频宽记忆体(HBM)在内的高效能DRAM等 |
 |
imec达成High-NA EUV单次图形化里程碑 (2025.10.07) 於2025年国际光电工程学会(SPIE)光罩技术暨极紫外光微影会议(美国加州蒙特雷市)上,比利时微电子研究中心(imec)发表了两项有关单次压印极紫外光(EUV)微影的突破性进展:(1)间距为20奈米的导线图形 |
 |
华为AI晶片大举增产 挑战NVIDIA主导地位 (2025.10.03) 根据消息指出,华为(Huawei)正计画大幅提高其最先进AI晶片的产量。此举被视为华为在全球AI算力市场发起的一场重大攻势,特别是在美国持续实施出囗管制、导致辉达(NVIDIA)等厂商在中国市场面临地缘政治限制之际,华为正试图抓住机会,扩大其在本土及全球市场的份额,争取关键客户 |
 |
由设计实现的可永续性:降低下一代晶片的环境成本 (2025.10.02) 本文透过在开发周期的早期阶段整合环境考量、改善获取制程级潜在影响数据的途径,以及探索取代高影响力材料和传统制程步骤的替代方案,以探讨永续性可能变成设计叁数而非限制的方法 |
 |
ASML高孔径EUV采用进度放缓 技术与市场拉锯显现 (2025.09.29) 荷兰光刻巨头 ASML 长期垅断极紫外光(EUV)市场,其设备成为推动半导体制程不断前进的关键。然而,外界原本寄予厚??的高数值孔径(High NA)EUV 光刻机,近期却传出采用进度不如预期,反映出先进技术与市场现实之间的拉锯 |
 |
SK海力士HBM4全球首量产 频宽翻倍、功耗效率大增40% (2025.09.15) 南韩半导体大厂SK海力士(SK hynix)今日宣布,已完成新一代高频宽记忆体HBM4的开发并进入量产,成为全球首家量产该规格的厂商,为AI市场投下震撼弹。
相较前代产品,HBM4的频宽直接翻倍,功耗效率提升超过40%,运行速度更超越10Gbps的产业标准 |
 |
SK hynix与ASML完成首台High-NA EUV系统组装 (2025.09.08) 南韩SK hynix 与荷兰设备大厂 ASML已成功完成首台「商用 High-NA EUV」系统的组装作业。这项技术被誉为未来半导体制程的重要基石,代表记忆体产业正迈向新一轮技术革新。
这套设备的核心亮点,在於其数值孔径(NA)达到 0.55,远高於现有 EUV 系统普遍使用的 0.33 NA |
 |
Rapidus启动2奈米试产 抢攻先进制程市场重振日本半导体雄风 (2025.08.01) 日本半导体产业正掀起复兴浪潮。由政府主导支持的新兴晶圆代工公司 Rapidus 宣布,将於 2025 年展开 2 奈米制程的试产计画,并计划 在 7 月推出首批样板晶片。该计画获得日本政府 超过 5.4 亿美元的资金补助,象徵日本决心重返全球先进制程竞赛的战略目标 |