CTIMES - Mosfet

ROHM車載40V60V MOSFET產品陣容新增高可靠性小型新封裝產品 (2025.12.27)
近年來車載低耐壓MOSFET正在加速向可實現小型化的5050級、以及更小尺寸的封裝形式發展。然而上述小型封裝因引腳間距狹窄和無引腳結構，如何確保其安裝可靠性成為一大難題

瞄準AI供電與高效馬達驅動英飛凌OptiMOS 7 MOSFET再進化 (2025.12.17)
隨著 AI 運算、工業自動化與高效能電力系統快速成長，各行各業對高耗能應用的需求持續攀升，電力電子技術在功率密度、效率與可靠性功能正面臨前所未有的挑戰。在此趨勢下，分立式功率 MOSFET 的角色愈發關鍵，而如何透過應用導向的設計思維，進一步突破已趨成熟的 MOSFET 技術，成為半導體供應商競逐的重點

GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用 (2025.11.13)
面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑

Littelfuse超級結X4-Class 200V功率MOSFET具有低通態電阻 (2024.11.26)
工業技術製造公司Littelfuse推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級結X4-Class功率MOSFET。這些新元件在目前200V X4-Class超級接面MOSFET的基礎上進行擴展，有些具有最低導通電阻。由於這些MOSFET具有高電流額定值，設計人員能夠採用它們來取代多個並聯的低額定電流元件，進而簡化設計流程，提高應用的可靠性和功率密度

Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流，提供高達 +125 °C的高工作溫度和最大200 ns的低傳播延遲

Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器 (2024.09.23)
Littelfuse推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET閘極驅動器。這些閘極驅動器專為驅動MOSFET而設計，透過增加其餘兩個邏輯輸入版本完善現有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本

ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」

ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.28)
在汽車領域，隨著安全性和便利性的提高，電子產品逐漸增加，電子元件數量也與日俱增，而為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低上述產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲

ROHM高可靠性車載Nch MOSFET適用於多種馬達及LED頭燈應用 (2024.08.22)
隨著車用電子元件提高安全性和便利性的需求，為了提高燃油效率和降低電耗，更是要求需降低車用產品的功耗。其中針對車電開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求逐漸高漲

英飛凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源功效 (2024.06.26)
隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上

P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。

英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝