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讨论新闻主题﹕英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列

新闻 提要
英飞凌科技推出具 650 V 阻断电压，采独立封装的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 产品组合。新款 CoolSiC 混合型产品系列结合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技术的主要优点及共同封装单极结构的CoolSiC 萧特基二极体。新产品具有出色的切换频率和更低的切换损耗，特别适用於 DC-DC 电源转换器和功因校正 (PFC)。其常见应用包括：电池充电基础设施、能源储存解决方案、光伏逆变器、不断电系统 (UPS)，以及伺服器和电信用交换式电源供应器 (SMPS)。 由於续流 SiC 萧特基障碍二极体与 IGBT 采用共同封装，在 dv/dt 和 di/dt 值几??不变下，CoolSiC Hybrid IGBT 运作时能大幅降低切换损耗。与标准的矽二极体解决方案相比，新产品可降低多达 60% 的 Eon 和 30% 的 Eoff

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