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讨论新闻主题﹕意法半导体推出单晶片 GaN 闸极驱动器

新闻 提要
意法半导体（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半桥闸极驱动器输出电流大，上下桥输出讯号传播延迟为45ns，能够驱动GaN加强型 FET 高频开关。 STDRIVEG600的驱动电源电压最高20V，还适用于驱动N沟道矽基MOSFET，在驱动GaN元件时，可以灵活地施加最高6V闸极－源极电压（Gate-Source Voltage；VGS），确保导通电阻Rds(on)保持在较低水准。 此外，驱动器还整合一个自举电路，可最大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。自举电路使用同步整流 MOSFET开关二极体，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，让驱动器只勋使用一个电源，而无需低压降稳压器（Low-Dropout Regulator；LDO）

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