 |
DRAM现货价上涨 合约价维持跌势 (2005.12.21)
虽然DRAM现货价在近一周内出现反弹，但是十二月下旬合约价却未因此而止跌。由于OEM计算机大厂的采购补货动作多于十二月上旬告一段落，在需求量明显较上旬冷清情况下 |
|
iSuppli：明年DRAM市场将出现负成长 (2005.12.16)
尽管市场分析师看坏明年DRAM市场，但实际上今年第四季价格大跌，部份DRAM厂获利大幅缩减，对明年的扩产动作已转为谨慎保守，所以明年全球DRAM市场景气是好是坏，台湾业者的动作将是重要关键 |
|
下半年DRAM产量充裕 影响市场行情 (2005.12.14)
根据统计，今年11月份全球DRAM总产出量，已经正式突破7亿颗256Mb约当颗粒大关，约来到7亿400万颗，若分析11月各地区的产出量成长情况，此次主要成长动力来自于日本尔必达（Elpida），产能月成长率约达14％，其它地区则有1～3％不等的成长幅度 |
|
尔必达12吋新厂启用 目标全球前三大DRAM厂 (2005.12.02)
日本DRAM大厂尔必达（Elpida）宣布，位于日本广岛的十二吋厂E300新建生产线正式落成启用，除了明年第一季月产能可达5万4000片外，十二吋厂也将全线导入90奈米制程量产512Mb DDR2及游戏机用XDR内存等高阶产品 |
|
DRAM厂第四季毛利率将下滑至10～15％ (2005.11.24)
第四季以来，国内DRAM厂看好年底欧美传统旺季需求，认为主流产品256Mb DDR现货价可望维持在2.5美元，不过十月份主板厂或笔记本电脑（NB）厂出货虽再创新高，但DRAM却由十月初的2.6美元，一路跌至的2.1美元 |
|
市场竞争加剧 各厂商提升NAND Flash产能 (2005.11.22)
记忆芯片产业的竞争加剧在即，东芝和三星皆传出调整记忆芯片生产线的消息。日经产业新闻报导指出，东芝试图使该公司NAND芯片的读写速度于明年提高一倍，用以增强东芝与龙头厂商三星电子竞争的实力，而三星电子同日对外宣布，拟斥资6370亿韩元（约合新台币208亿元）扩张包括NAND在内的记忆芯片产能 |
|
茂德第二座十二吋晶圆厂落成启用 (2005.11.20)
茂德科技于中部科学工业园区举行第二座十二吋晶圆厂──晶圆三厂落成启用典礼，宣示茂德正式跨越90奈米制程量产世代。茂德董事长曁总经理陈民良表示，全新启用的十二吋晶圆三厂为台湾第一家有能力以90奈米制程技术量产的十二吋DRAM晶圆厂，其产能规模于2006年第三季时，将达每月三万片，推升茂德2006年的位成长率达80% |
|
十二吋晶圆厂群聚中科 (2005.11.14)
茂德近日将为台中科学园区的十二吋DRAM晶圆厂举行落成启用典礼，这是中科第一座量产的十二吋厂。另一家投产DRAM的华邦十二吋厂，也将于2006年第一季进行量产。此外，茂德还计划2006年下半年动土兴建第四座十二吋厂，力晶亦计划至中科后里基地申请十二吋建厂用地，台中科学园区已然成为十二吋DRAM晶圆厂群聚之处 |
|
512Mb DDR2总产量超越256Mb DDR (2005.10.13)
根据集邦科技全球DRAM产出统计，九月份512Mb DDR2占全球DRAM总产出量比重已达35％，首度超越256Mb DDR的34％比重，所以若说DDR2已成为DRAM厂出货主流产品其实并不为过。如今国内DRAM厂看第四季景气还是乐观，但来自韩国、日本、台湾三地的十二吋DRAM厂产能仍全速开出，第四季不论是DDR或DDR2，供给过剩的压力将较第三季更大 |
|
TSIA：DRAM制程奖励应维持0.18微米 (2005.10.03)
经济部日前正进行两年一次「新兴重要策略性产业属于制造业及技术服务业部分奖励办法」之检讨，其中DRAM部份，拟将奖励范围修订为「DRAM(设计以制程0.13微米以下技术)」 |
|
工研院研究DRAM材料获重大突破 (2005.09.21)
工研院电子所继日前与国内DRAM大厂力晶、茂德、华邦与南亚等共组「新世代相变化内存」技术研发联盟后，近日则再宣布DRAM技术获得关键性突破。工研院电子所成功研发出以高介电系数（high-k）材料为主的金属－绝缘层－金属（Metal-Insulator-Metal；MIM）电容结构 |
|
期许台湾四大DRAM场共同落实研发PCM (2005.07.13)
台湾四大DRAM厂12日在工研院力邀下，签署一份未来三年内为次世代内存技术共同出资新台币1.2亿元的合约，不过历来所有DRAM大厂每年研发费用动辄数10亿元，这样的资金对于台湾DRAM而言，有如九牛一毛，更何况各家DRAM厂均有其各自的合作伙伴，要达成共同研发次世代内存技术的机率，可说是微乎其微 |
 |
英飞凌将提供业界DDR3装置及模块 (2005.06.16)
内存产品领导厂商英飞凌宣布将为PC产业之发展厂商提供业界首次采用的DDR3装置以及模块，与现今市场上最快速的内存产品相比较，速度要快上一倍。第一批采用DDR3内存技术的系统预计将在2006年的后期推出 |
|
12吋厂大幅扩产 DRAM跌价压力重 (2005.05.25)
根据工商时报报导，DRAM主流规格由256Mb DDR转换至512Mb DDR2，八吋厂的生产成本优势已失，十二吋厂成为各家DRAM厂卡位市占率的重要筹码，因此虽然今年DRAM价位不佳，但各家业者仍积极扩建十二吋厂生产线 |
|
茂德与Hynix合作开发奈米级DRAM制程 (2005.05.24)
根据工商时报消息，尽管茂德90奈米制程仍是向韩国DRAM大厂Hynix以技转方式取得，但茂德仍希望能开发出自有技术，所以茂德已向竹科管理局提出申请，将在笃行园区内建立茂德的研发设计中心，与Hynix共同开发次世代堆栈式DRAM制程技术 |
|
劲永国际将在Computex展举办新产品发表会 (2005.05.12)
劲永国际自结94年4月份营业收入为新台币11.32亿元，相较93年同期之新台币9.07亿元，成长24.8%。劲永国际两大主力产品为DRAM和FLASH，其中FLASH产品占销售比例为51%，DRAM产品占销售比例为49% |
|
PQI研发内存模块产品已有重大突破 (2005.05.11)
PQI劲永国际继四月初发表PQI TurboMemory DDR2-900桌面计算机专用高效能内存模块之后，10日再度推出PQI TurboMemory DDR2-1000桌面计算机专用高效能内存模块。PQI TurboMemory DDR2-1000桌面计算机专用高效能内存模块采用的是DDR2-667原厂颗粒 |
|
业者预估第二季DRAM市场价格走软 (2005.04.29)
据外电消息，DRAM大厂Hynix预测DRAM第二季现货价会比第一季下跌逾10％，但透过削减成本应仍能让Hynix维持获利。另一家DRAM业者星电子亦曾于稍早前做出DRAM价格走软的预期
Hynix亦表示，该公司降低生产成本的速度比DRAM平均价格的下跌快得多，应能让Hynix在市场淡季中保持获利；该公司目前为全球第二大DRAM供货商，销售排名仅次于三星 |
|
花旗认为DRAM价格跌势将有所减缓 (2005.04.26)
根据彭博信息（Bloomberg），证券业者花旗集团旗下半导体分析师，宣布将DRAM业者包括美光科技（Micron）、英飞凌（Infineon）与南亚科技等的股票投资评等调高，理由是认为DRAM价格下跌的状况将开始减缓 |
|
DRAM市场竞争激烈 尔必达获利欠佳 (2005.04.26)
据外电消息，日本DRAM业者尔必达（Elpida）2004年度第四季（2005年1～3月）获利状况不佳，由于高阶DRAM销售情况受整体市场不景气影响，当季税后亏损达16.8亿日圆（约1584.3万美元），与上一年度同期的税后盈余4.9亿日圆相较大幅退步 |
