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imec达成High-NA EUV单次图形化里程碑 (2025.10.07)
於2025年国际光电工程学会（SPIE）光罩技术暨极紫外光微影会议（美国加州蒙特雷市）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了两项有关单次压印极紫外光（EUV）微影的突破性进展：（1）间距为20奈米的导线图形 |
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imec达成High-NA EUV单次图形化里程碑 (2025.10.07)
於2025年国际光电工程学会（SPIE）光罩技术暨极紫外光微影会议（美国加州蒙特雷市）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了两项有关单次压印极紫外光（EUV）微影的突破性进展：（1）间距为20奈米的导线图形 |
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台湾学研团队打造全球首见悬浮式铁电二维电晶体 (2025.07.04)
突破材料限制开启建构晶片新局面。在国科会自然司、尖端晶体材料开发及制作计画与A世代前瞻半导体专案计画，以及教育部特色领域研究中心计划的大力支持下，由中兴大学与成功大学共组的研究团队 |
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兴大和成大联手打造全球首见悬浮式铁电二维电晶体 (2025.07.04)
突破材料限制开启建构晶片新局面。在国科会自然司、尖端晶体材料开发及制作计画与A世代前瞻半导体专案计画，以及教育部特色领域研究中心计划的大力支持下，由中兴大学与成功大学共组的研究团队 |
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imec采用High-NA EUV单次图形化 展示20奈米金属导线电性良率 (2025.03.04)
日前举行的国际光电工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示首次在20奈米间距金属导线结构上取得的电性测试（electrical test）结果，这些结构经过高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）的单次曝光之後完成图形化 |
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imec采用High-NA EUV单次图形化 展示20奈米金属导线电性良率 (2025.03.04)
日前举行的国际光电工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示首次在20奈米间距金属导线结构上取得的电性测试（electrical test）结果，这些结构经过高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）的单次曝光之後完成图形化 |
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一粒沙，一个充满希??的世界 (2025.02.21)
想像一个没有手机、网路或行动通讯的世界。一片苦於饥荒的大陆。一种神秘又致命的病毒，不受控制地传播。 |
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半镶嵌金属化：後段制程的转折点？ (2025.01.03)
五年多前，比利时微电子研究中心（imec）提出了半镶嵌（semi-damascene）这个全新的模组方法，以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。 |
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进入High-NA EUV微影时代 (2024.09.19)
比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计画的资深??总裁（SVP）Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔（ASML）合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性 |
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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室 (2024.06.05)
比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具 |
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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室 (2024.06.05)
比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具 |
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STM32产品大跃进 意法半导体加速部署智慧物联策略 (2024.05.26)
全球嵌入式系统市场也迎来蓬勃增长。在这场科技革命中，意法半导体(ST)也公布了 STM32 产品线的最新发展战略，进一步巩固其市场地位。 |
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意法半导体突破20奈米技术屏障 提升新一代微控制器成本竞争力 (2024.03.28)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了一项18奈米完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技术并整合嵌入式相变记忆体（ePCM）的先进制程，支援下一代嵌入式处理器进化升级 |
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意法半导体突破20奈米技术屏障 提升新一代微控制器成本竞争力 (2024.03.28)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了一项18奈米完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技术并整合嵌入式相变记忆体（ePCM）的先进制程，支援下一代嵌入式处理器进化升级 |
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工业储存技术再进化！ (2022.08.26)
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智慧、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智慧城市到国防航太等领域都可以应用大量晶片记录海量数据 |
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为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台 (2021.11.09)
国研院半导体中心，今日举行次世代嵌入式记忆体技术，「自旋轨道力矩式磁性记忆体（SOT-MRAM）」研究成果发表会。该记忆体采用垂直异向性的结构，不仅电耗更低、体积更小，同时读写的速度也更快，能够整合至高性能的逻辑IC之中，进一步实现下世代的处理器晶片 |
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为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台 (2021.11.09)
国研院半导体中心，今日举行次世代嵌入式记忆体技术，「自旋轨道力矩式磁性记忆体（SOT-MRAM）」研究成果发表会。该记忆体采用垂直异向性的结构，不仅电耗更低、体积更小，同时读写的速度也更快，能够整合至高性能的逻辑IC之中，进一步实现下世代的处理器晶片 |
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Xilinx：工业物联领域六大挑战需求必须被满足 (2021.03.29)
近年来，工业医疗和工业视觉领域的客户经常在边缘和工业物联网应用领域遇到几大挑战。赛灵思工业、视觉、医疗及科学市场总监Chetan Khona指出，这些挑战大致可以分成六项 |
