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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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ST携手MACOM 达成射频矽基氮化??原型晶片性能新里程 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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Ampleon推挽整合型Doherty电晶体 Sub-6GHz频段降低布局 (2022.02.25)
埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS电晶体技术，推出B11G3338N80D推挽式3级全整合型Doherty射频电晶体，该电晶体是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有Sub-6GHz频段。
(圖一)B11G3338N80D推挽式3级全整合型Doherty射频电晶体
这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的大型基地台 |
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Ampleon推挽式整合型Doherty电晶体 Sub-6GHz频段减少布局工作 (2022.02.25)
埃赋隆半导体（Ampleon）利用先进的LDMOS电晶体技术，推出B11G3338N80D推挽式3级全整合型Doherty射频电晶体，该电晶体是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品，涵盖所有Sub-6GHz频段。
这种高效的多频段器件覆盖3.3至3.8GHz的频率范围，可实现下一代大功率和具有市场领先效率的大型基地台 |
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意法半导体推出新款射频LDMOS功率电晶体 (2021.08.17)
意法半导体（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS电晶体产品家族最近新增数款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，皆可针对各种商用和工业用射频功率放大器（PA）进行优化设计 |
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意法半导体推出新款射频LDMOS功率电晶体 (2021.08.17)
意法半导体（STMicroelectronics）所推出的STPOWER LDMOS电晶体产品家族最近新增数款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，皆可针对各种商用和工业用射频功率放大器（PA）进行优化设计 |
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恩智浦将氮化镓应用于5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化镓可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8% |
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恩智浦将氮化??应用於5G多晶片模组 (2021.07.07)
降低能源消耗（energy consumption）为电信基础设施的主要目标之一，其中每一点效率都至关重要。在多晶片模组中使用氮化??可在2.6 GHz频率下将产品组合效率提高至 52%，比公司上一代模组高出8% |
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恩智浦第二代射频多晶片模组 提升5G高频应用45%效能 (2020.12.07)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）宣布推出第二代Airfast射频功率多晶片模组（RF Power Multi-Chip Modules），以满足蜂窝基地台的5G mMIMO主动天线系统（active antenna systems；AAS）在频率、功率和效率三大方面的进阶要求 |
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恩智浦第二代射频多晶片模组 实现5G高频应用45%效能提升 (2020.12.07)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）宣布推出第二代Airfast射频功率多晶片模组（RF Power Multi-Chip Modules），以满足蜂窝基地台的5G mMIMO主动天线系统（active antenna systems；AAS）在频率、功率和效率三大方面的进阶要求 |
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5G来临 氮化??将逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光电协进会(PIDA)指出，氮化??(GaN)将逐步取代基地台射频功率放大器中的LDMOS。尽管LDMOS技术目前仍占最大的营收部分，但为了要支撑次世代无线网路元件更高频、更高效率，设备制造商和运营商张开双臂的拥抱GaN元件，特别是在30 GHz至300 GHz的更高频率5G部署（包括毫米波段） |
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5G来临 氮化??将逐步取代LDMOS (2020.03.02)
光电协进会(PIDA)指出，氮化??(GaN)将逐步取代基地台射频功率放大器中的LDMOS。尽管LDMOS技术目前仍占最大的营收部分，但为了要支撑次世代无线网路元件更高频、更高效率，设备制造商和运营商张开双臂的拥抱GaN元件，特别是在30 GHz至300 GHz的更高频率5G部署（包括毫米波段） |
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大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用於各种工业、消费和专业??饪射频能量应用；由於它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW，因此具有非常高的功率与封装比 |
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大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用於各种工业、消费和专业??饪射频能量应用；由於它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW，因此具有非常高的功率与封装比 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω输入/输出250W双级2.4GHz模组 简化集成的复杂度 (2018.11.08)
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出小尺寸双级250W LDMOS射频功率模组BPC2425M9X2S250-1。 该高效率模组专为工作在2,400MHz至2,500MHz频段的大功率连续波（CW）工业、科学和医疗（ISM）应用而设计，尺寸为72mm×34mm，并整合了温度感测器（可简化其温度的监控）、内建散热器的最先进的多层板，以及一流的LDMOS技术 |
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Ampleon推出小尺寸50Ω输入/输出250W双级2.4GHz模组 简化集成的复杂度 (2018.11.08)
埃赋隆半导体（Ampleon）近日宣布推出小尺寸双级250W LDMOS射频功率模组BPC2425M9X2S250-1。 该高效率模组专为工作在2,400MHz至2,500MHz频段的大功率连续波（CW）工业、科学和医疗（ISM）应用而设计，尺寸为72mm×34mm，并整合了温度感测器（可简化其温度的监控）、内建散热器的最先进的多层板，以及一流的LDMOS技术 |
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贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。
QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW，为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体，拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围，适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用 |
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贸泽供应Qorvo QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体 适合航空电子应用 (2018.05.31)
贸泽电子即日起开始供应Qorvo的QPD1025L碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 电晶体。
(圖一)贸泽供应Qorvo 1800W QPD1025L碳化矽基氮化??电晶体，适合打造航空电子相关应用。
QPD1025在65V的运作功率达1.8 kW，为业界功率最高的碳化矽基氮化?? (GaN-on-SiC) 射频电晶体，拥有高讯号完整度和延伸的涵盖范围，适合L波段航空电子和敌我识别 (IFF) 应用 |
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200W LDMOS输入/输出匹配放大器模组加速433MHz系统开发 (2018.04.11)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模组该模组适用於各种电浆照明、工业加热、医疗、射频??饪和除霜应用。这款小巧轻便的pallet，其工作频率范围为423MHz至443MHz，尺寸仅为125mm×33mm，重量为85g，并可在脉冲波和连续波模式下工作 |
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200W LDMOS输入/输出匹配放大器模组加速433MHz系统开发 (2018.04.11)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模组该模组适用於各种电浆照明、工业加热、医疗、射频??饪和除霜应用。这款小巧轻便的pallet，其工作频率范围为423MHz至443MHz，尺寸仅为125mm×33mm，重量为85g，并可在脉冲波和连续波模式下工作 |
