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P通道功率MOSFET及其应用 (2024.04.17)
本文透过对N通道和P通道MOSFET进行比较，并介绍说明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目标应用。 |
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48 V低速电动车叁考设计 微型交通技术加速发展 (2024.03.22)
许多国家致力於实现气候目标，促使城市交通实现零排放。除了乘用汽车的电气化之外，低速电动车也能做出重要贡献。 |
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英飞凌新款160 V双通道闸极驱动IC适用於电池供电应用 (2024.01.04)
英飞凌科技（Infineon）宣布其汽车和工业电机控制应用的MOTIX双通道闸极驱动IC系列添新品，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160 V的绝缘层上覆矽（SOI）闸极驱动器均为小型闸极驱动器解决方案，具有出色的抗闩锁能力，适合於电池供电应用，如无线电动工具、多轴飞行器、无人机，以及电池电压高达120 V的轻型电动车等 |
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适用於整合太阳能和储能系统的转换器拓扑结构 (2023.12.27)
许多住宅使用的是组合太阳能发电和电池储能系统，这种类型的系统具有用於AC/DC和DC/DC转换的高效电源管理元件和高功率密度，但需要在子区块的电源转换拓扑上取舍，本文说明不同转换器拓扑结构的优点和挑战 |
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意法半导体STSPIN9系列新款高扩充性大电流马达驱动晶片量产 (2023.12.08)
全球半导体厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出STSPIN9系列大电流马达驱动晶片，首波推出两款产品，应用定位高阶工业设备、家电和专业设备。4.5A STSPIN948和5.0A STSPIN958整合PWM控制逻辑电路和58V功率级 |
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TI：扩大低功率GaN产品组合 实现AC/DC电源供应器体积缩小50% (2023.12.04)
德州仪器（TI）扩大其低功率氮化?? (GaN) 产品组合，旨在协助提升功率密度、最大化系统效率，以及缩小 AC/DC 电源供应消费电子和工业系统的尺寸。TI 具备整合式闸极驱动器的 GaN 场效应电晶体 (FET) 整体产品组合，可解决常见的散热设计挑战，让供应器维持低温，同时以更小的体积推动更大功率 |
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KISS新型智慧锁采用英飞凌NFC锁单晶片解决方案wu6g/ u/4m/4 (2023.11.27)
许多产业正在迅速淘汰传统钥匙，自助仓储业也相对的提升门锁应用效益。总部位於美国的Keep It Simple Storage（KISS）公司致力於简化自助式仓储设施营运流程，该公司所使用的安全锁已经从手动锁过渡到了全自动遥控安全锁系统 |
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设计低功耗、高精度自行车功率计 (2023.11.26)
本文主要探讨讯号链、电源管理和微控制器IC在一种实用的力感测产品：自行车功率计的应用，以及说明自行车功率计运作的物理原理和电子设计，该解决方案功耗非常低，能够精准放大低频小讯号，并且成本低、体积小 |
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英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组 (2023.09.18)
英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能 |
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ST高整合高压驱动器可缩小高性能超音波扫描器尺寸并简化设计 (2023.08.11)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）新款STHV200超音波IC单晶片整合线性驱动器、脉冲驱动器与钳位、开关和诊断电路，可简化医疗用和工业用扫描器设计，缩小尺寸并降低物料成本 |
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意法半导体ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）率先推出通过USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）规范认证的整合化数位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP为ST-ONE系列中的第三款控制器，其输出电压为28V，可简化最高额定功率140W的充电器和电源转接器的开发设计 |
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Transphorm新款SuperGaN FET驱动器解决方案符合中低功率应用 (2023.06.16)
全球氮化??（GaN）功率转换产品供应商Transphorm 发布一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案针对中低功率的应用，适用於LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑，强化公司在此30亿美元电力市场客户的价值主张 |
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英飞凌推出新双通道电气隔离EiceDRIVER闸极驱动器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的开关式电源（SMPS）透过采用图腾柱PFC级中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能够满足高压DC-DC功率转换要求的氮化??（GaN）功率开关等最新技术，使得功率密度可以达到100 W/inch3 |
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英飞凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半桥驱动器IC系列 (2023.05.12)
英飞凌科技股份有限公司继推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V绝缘体上矽（SOI）三相闸极驱动器之後，现又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器IC系列的半桥配置补充了现有的1200V SOI系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性 |
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ROHM SiC MOSFET/SiC SBD结合Apex Microtechnology模组提升工控设备功率 (2023.03.31)
电源和马达占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高其效率已成为全球性的社会问题，而功率元件是提高效率的关键。ROHM的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（简称SiC SBD）已被成功应用於大功率类比模组制造商Apex Microtechnology的功率模组系列产品 |
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隔离式封装的优势 (2023.02.09)
本文说明高功率半导体的先进封装有效提升效率及效益的技术与列举应用范例。 |
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英飞凌携手NuCurrent提高NFC能量采集和充电技术应用 (2023.02.06)
英飞凌科技股份有限公司宣布NuCurrent将成为英飞凌的首选合作夥伴（Infineon Preferred Partner）。双方将共同合作，提高近场通讯（NFC）技术在能量采集和充电应用方面的性能与可扩展性 |
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安森美与大众汽车集团就电动车SiC技术达成策略协议 (2023.01.31)
安森美（onsemi）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署策略协定，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模组和半导体元件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统最隹化的一部分，形成能够支援大众车型前轴和後轴主驱逆变器的解决方案 |
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ST推出ACEPACK SMIT功率元件封装 提升散热效率 (2023.01.17)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出多种常用桥式拓扑的ACEPACK SMIT封装功率半导体元件。相较於传统穿孔型封装，意法半导体先进之ACEPACK SMIT封装能够简化组装制程，提升模组的功率密度 |
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Transphorm 240瓦电源适配器叁考设计使用TO-220封装氮化??功率管 (2023.01.13)
氮化??（GAN）电源转换产品供应商Transphorm公司推出新的240瓦电源适配器叁考设计。TDAIO-TPH-ON-240W-RD设计方案采用CCM升压PFC+半桥LLC拓扑结构，功率密度高达30W/in3，最大功率转换效率超过96% |
