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讨论新闻主题﹕ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67%

新闻 提要
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」。该产品适用于电动车（xEV）充电器和DC/DC转换器，以及太阳能发电用的功率稳压器等，处理大功率的车电装置和工控装置。 近年来，在全球「无碳社会」和「碳中和」等环保风潮中，电动车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统效率，各种车电装置的逆变器，以及转换器电路中使用的功率半导体等，也出现了多样化需求，超低损耗的SiC功率元件（SiC MOSFET、SiC SBD等），和传统的Si功率元件（IGBT、SJ-MOSFET等）也都正持续大幅度的技术革新

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