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讨论活动主题﹕3D IC 技术研讨会

活动 提要
在终端产品应用朝向高效能、小型化与异质整合的需求下，传统的2D IC技术已渐渐无法达到此种要求，为了解决在2D IC技术的瓶颈，IC制造产业已从2D平面IC制造技术转向3D立体之IC制造技术，统称为3D IC。3D IC为芯片立体堆栈整合模式，3D IC不仅可以缩短金属导线长度及联机电阻，更能减少芯片面积，具体积小、整合度高、效率高、耗电量及成本更低等特点，因此被认为是下世代半导体新技术。 另一个使用3D IC技术的最大诱因在于系统芯片(System on Chip; SOC)的整合性更佳，以往在系统芯片或系统构装(System in Packaging; SIP)等芯片整合是以2D之平面整合方式成单一芯片，而3D IC最大特点在于3D IC可让不同功能性质，甚至不同基板芯片，以最适合的制程分别制作后，再利用硅穿孔(Through-Si Via, TSV)技术进行立体堆栈整合，如此可进一步缩短金属导线长度及联机电阻，也能减少芯片面积

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