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Littelfuse新款800V N沟道耗尽型MOSFET采用改进型SOT-223-2L封装 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET新品CPC3981Z。 与标准SOT-223封装相比,这款新产品的SOT-223-2L封装移除中间引脚,将漏极与闸极之间的引脚间距,从1.386毫米增加到超过4毫米间距增加简化宽输入电压电源的隔离管理,实现精巧的印刷电路板布局
英飞凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 适用於 PFC 与返驰拓扑 (2018.09.07)
英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) CoolMOS? P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新产品,符合最为严格的设计要求:适用於照明、智慧电表、行动充电器、笔电电源供应器、辅助电源供应器,以及工业 SMPS 应用
英飞凌推出SOT-223封装CoolMOS P7兼具效能及易用性 (2017.08.24)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)扩充新 CoolMOS P7技术系列,推出 SOT-223 封装产品。新产品与 DPAK 基底面完全相容,可直接进行替代。结合新 CoolMOS P7 平台与 SOT-223 封装,非常适合智慧型手机充电器、笔记型电脑充电器、电视电源供应器和照明等应用
英飞凌推出采用SOT-223封装的CoolMOS CE (2016.03.22)
【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)扩展采用SOT-223 封装的 CoolMOS CE 产品组合。采用此封装的英飞凌CoolMOS,可在DPAK之外提供另一项具成本效益的选择,也能在部分设计中节省空间,并降低功耗
ST推动功率封装微型化 同时提高电气安全标准 (2011.03.30)
意法半导体(ST)于日前宣布推出新型封装技术,可进一步缩减符合严格安全标准(如 IEC 60370和IEC 60335)的控制模块的尺寸。 意法半导体表示,部分新産品已开始采用新型SMBflat三针表面黏着(three-lead surface-mount)封装
英飞凌推出0.5瓦LED适用的低成本驱动器系列 (2009.12.03)
英飞凌近日推出新低成本线性LED驱动器系列,全新BCR320和BCR420系列产品,能满足市场对于符合节能与环保的发光二极管(LED)照明方案日益扩大的需求。这些LED驱动器专为在150mA至200 mA一般电流之下驱动0.5瓦LED而设计,其负温度系数能让LED的使用寿命更长,亦提供脉冲宽度调整(PWM)讯号适用的数字接口,供调暗灯光时使用
凌力尔特推出新一代线性稳压器系列最新成员 (2009.08.21)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表新一代线性稳压器系列之最新成员,其可透过单一电阻调降至0伏特,并且易于并联以达到更高电流。 LT3082 200mA PNP低压差稳压器(LDO)透过电流参考和电压随耦器以提供全新的架构
安茂微电子推出可输出600mA电流低压差稳压器 (2009.03.13)
安茂微电子推出低压差、低静态电流,可输出600mA电流低压差稳压器。AME8819低压差电压为540mV, 静态电流约为70uA,输出电压版本是从1.2V 到3.6V。AME8819内建过电流(Over Current Protection )与过温度保护(Thermal Shutdown Protection)的双重保护,进而提供终端产品的安全性
凌力尔特推出1.1A LDO可简易并联不需热点 (2007.07.25)
凌力尔特(Linear Technology Corporation )发表一款1.1A、3接脚LDO LT3080,其可轻易并联以进行散热,同时亦可透过单一电阻进行调整。此新架构的稳压器透过电流参考,在多个稳压器之间以短PC布线作为稳流器进行分享,因此能在所有表面黏着系统上达到多安培的的线性稳压,而不需散热片
IR新MOSFET解决方案 为PoE应用减少80%占位面积 (2005.12.23)
功率半导体及管理方案厂商-国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出IRF4000型100V额定组件,它把4个HEXFET MOSFET整合于一个功率MLP封装,能针对以太网络供电(Power-over-Ethernet,简称PoE)应用的需要
IR推出PMOS LDO线性调节器 (2003.11.11)
全球功率半导体及管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier)推出一项采用6脚MLPM封装、在全负载电流(1A)下电压差低于0.6V的PMOS LDO线性调节器。PMOS LDO调节器适合需要低压差和低静态电流的应用,和传统BJT LDO比较,效率更好


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