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投身车电领域的入门课:IGBT和SiC功率模组 (2023.05.19)
随着2021年全球政府激励政策和需求上升,正推动亚太、北美和欧洲地区的电动车市场稳步扩大。作为电能转换的关键核心,IGBT和SiC模组极具市场潜力。
Microchip首款碳化矽MOSFET 可降低50%开关损耗 (2021.09.22)
随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化矽的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化矽MOSFET分离式和模组产品组合
u-blox新MAYA-W1模组 加速双频Wi-Fi 4和Bluetooth 5组合应用开发 (2021.03.17)
u-blox宣布,推出专业级u-blox MAYA-W1 Wi-Fi 4和Bluetooth 5多重无线电模组。该模组采用NXP的IW416晶片,是专为各种快速成长的未来专业应用所量身打造,包括电源管理、电动车充电、专业设备、追?、车载资通讯系统和车队管理等
ST先进IGBT专为软切换优化而设计 可提升家电感应加热器的效率 (2019.04.22)
意法半导体(STMicroelectronics)新推出之STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER IGBT两款新产品能够在软切换电路中带来最隹导通和切换性能,提升谐振转换器在16kHz-60kHz切换频率范围内的效能
直流电源模组的介绍与应用 (2018.07.27)
人类的好奇心驱使对新科技的需求,而一个产品能够成功的推出,除了靠优异的效能与扎实的内在功能性设计之外,产品外观设计又攸关顾客的第一印象。在有限的产品空间中保持效能与增加功能性
英飞凌OptiMOS 5 150 V 可大幅降低导通电阻和逆向复原电荷 (2016.10.18)
【德国慕尼黑讯】为满足高效率设计和应用的需求,英飞凌科技(Infineon) 推出OptiMOS 5 150 V 产品组合,进一步拓展OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新150 V系列特别针对需求低电荷、高功率密度同时具备高耐用度的高效能应用,如低压驱动器、电信电源与的同步整流以及太阳能转换器所设计
意法半导体650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用效能 (2015.07.23)
意法半导体(STMicroelectronics, ST)推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷且经济实惠的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC)马达驱动器、不间断电源、太阳能转换器以及所有硬开关(hard-switching)电路拓扑20kHz功率转换应用
Mouser 供货 Cree推出 1200V 高频碳化硅半桥模块 (2013.06.14)
Mouser Electronics宣布开始供应Cree 的 CAS100H12AM1,为业界第一款将 SiC MOSFET 与 SiC 萧特基二极管 (Schottky diode) 结合至单一半桥封装的产品。 Cree CAS100H12AM1 1200V 高频碳化硅半桥模块是第一款市售的全碳化硅 (SiC) 电源模块, 同时也是第一款将 SiC MOSFET 与 SiC 萧特基二极管结合至单一半桥封装的完全合格模块
科锐的碳化硅功率 MOSFET为台达能源系统公司 (2013.04.25)
科锐公司(Nasdaq: CREE)与台达能源系统公司(Delta Energy Systems)共同宣布成功达成太阳能逆变器(PV inverter)业内一项计划,台达的新一代的太阳能转换器将科锐的碳化硅(SiC)功率 MOSFET纳入设计
CP0807/E41 --- 一种低成本太阳能转换器,用于隔离负载和电池充电-CP0807/E41 --- 一种低成本太阳能转换器,用于隔离负载和电池充电 (2011.04.08)
CP0807/E41 --- 一种低成本太阳能转换器,用于隔离负载和电池充电
Infineon推出第二代碳化硅萧特基二极管 (2010.05.17)
英飞凌(Infineon)日前宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代碳化硅(SiC)萧特基二极管。全新的TO220 FullPak系列产品结合第二代ThinQ!碳化硅萧特基二极管的高效能电气标准以及完全绝缘的封装优势,无需使用绝缘套管及垫片,安装更容易、可靠度更高
Infineon推出新High Speed 3 IGBT产品 突破切换与效率的限制 (2010.05.13)
英飞凌(Infineon)日前推出600 V及1200V第三代高速型IGBT High Speed 3产品系列,特别适用于高频率和硬式切换相关应用。这一系列的装置为降低切换损失以及极优异效率立下了新的标竿,可适用于高达 100 kHz的拓朴切换
Google綠能投資 首購風力發電廠 (2010.05.05)
Google綠能投資 首購風力發電廠
深耕有成 英飞凌将持续强化节能技术 (2009.09.08)
英飞凌科技在九月初来台举办媒体说明会,会中除了跟媒体朋友分享未来能源市场的相关趋势外,同时也针对英飞凌的近况对大家提出相关的说明与分享英飞凌在电源管理上新一代的技术
深耕有成 英飞凌动能全世界 (2009.09.04)
英飞凌科技在台举办最新能源效率及节能技术趋势记者会,就英飞凌近况及各类产品在市场上傲人的市占率与媒体朋友们分享,会中针对日益受到重视的节能议题及技术发展作了详尽的报告,并透过介绍英飞凌最新一代CoolMOS C6系列及应用,来说明英飞凌对提升能源效率及节能技术的贡献与突破
ST MDmesh V MOSFET 为终端产品带来节能优势 (2009.02.23)
意法半导体(ST)宣布在功率MOSFET芯片的性能方面取得巨大突破,MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET,采用紧凑型功率封装,可将RDS(ON)降到0.079Ω以下。这些产品的应用是锁定以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统
ADI发表具整合型隔离电源的隔离型闸极驱动器 (2008.05.02)
美商亚德诺公司(ADI),正式发表一款在单一封装内就包含了隔离型电源与隔离型闸极驱动器的的隔离型半桥(half-bridge)闸极驱动器。同构型的产品像是光耦合器(optocoupler)隔离型闸极驱动器之类都需要个别隔离的电源供应
Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (2008.03.17)
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率
IR推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列 (2008.03.07)
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,能够在最高3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器,减少高达30%的功率耗损。 这款新特定应用组件利用IR最新一代的场终止沟道技术降低传导和开关损耗,并为低短路要求的20kHZ开关作出优化,提升UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率
TI发表新型定点数字讯号控制器 (2008.02.29)
嵌入式控制工程师虽然较偏好浮点架构的简单程序设计,却往往因成本太高而怯步。为了解决这个难题,德州仪器(TI)发表第一颗硬件与软件皆能兼容于高效能浮点数字讯号控制器(DSC)的定点数字讯号控制器


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