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LED照明成长 推升MOCVD市场需求 (2014.02.11)
Veeco是提供制造LED晶粒的MOCVD设备生产商。MOCVD（有机金属气相沈积）是LED制程中非常重要的生产步骤，而且是一个高度复杂的化学制程，藉由成长不同特性的半导体薄膜层之材料结构，得以将电能转换为光能 |
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R&S与Ubiquisys携手开发Femtocell量测解决方案 (2009.02.10)
罗德史瓦兹（Rohde & Schwarz,R&S）与智能型3G微型蜂巢式基地台（Femtocell）供货商Ubiquisys，于日前宣布已成功地开发Femtocell于产线量产时的量测解决方案，此套系统搭配R&S CMU300专业型基地台测试仪，即能在高速的情况下，确保讯号的精确与稳定 |
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RFMD扩充标准RF零组件内容提供RF切换器系列 (2007.11.23)
RF Micro Devices宣布其最新成立的多重市场产品事业群(MPG)将为该公司的标准RF零组件产品组合新增RF切换器系列产品。此产品扩展将发挥RFMD日渐成长的内部pHEMT制造业能力，并延伸由RFMD蜂巢式产品事业群(CPG)所驱动，于pHEMT切换器之领导地位 |
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砷化镓的磊晶技术与应用市场 (2007.04.04)
砷化镓早年主要是应用于国防太空工业，以及高速电脑元件、高频测量仪器等特定应用领域。随着冷战时代的结束、军事管制的解除及个人通讯的快速发展，以微波频率为主的无线通讯已可广泛用于个人通讯、卫星通讯及光纤通讯等民生用途上 |
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大陆成立首家MBE技术砷化镓磊晶厂 (2003.02.07)
据中央社报导，中国大陆为扶植无线通讯上游关键零组件发展，加上大陆官方、产业界及归国学人的配合，已成立第一家以分子束磊晶（MBE）技术生产的砷化镓磊晶厂──北京圣科佳电子 |
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量子点技术将突破光通讯元件瓶颈 (2002.10.30)
光通讯产业是21世纪极具发展潜力的明星产业，为使台湾在该领域能有所发展，近日工研院与德国柏林工业大学签订「奈米光电技术合作协议」，双方以化合物半导体量子点之技术合作为主，共同开发量子点雷射元件、1 |
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E-pHEMT技术开发竞赛 (2002.06.05)
III-V E-pHEMT功率放大器的开发过程，可以比喻为一场竞赛。本文将介绍安捷伦开发其E-pHEMT组件及制程的经验，以做为国内砷化镓产业发展的参考。 |
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磷化铟镓InGaP HBTs 元件的可靠性讨论 (2001.12.05)
随着无线通信的发展，仿佛无穷尽地在探索 「体积小、性能好、价格便宜」的特性, 这股动力不断地驱动着设备制造商及其供应商朝这共同的目标迈进。以砷化镓 (GaAs) 为基础的异质介面双极电晶体 (HBT) 技术涵含盖了上述的三个特性，并持续地对特定应用提供绝佳的解决方案 |
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SiGe HBT技术发展概述 (2001.06.01)
SiGe技术经过这十几年的研究发展，已渐渐开花结果。 |
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保守看待萌芽期砷化镓产业 (2001.02.01)
2000年上半年以来，由于资本市场蓬勃发展，使国内多余的资金不断寻找新的高科技产业，以期及早切入市场，并作多角化及转投资布局准备。自从博达及全新在砷化镓(GaAs)磊晶圆崭露头角后，便掀起一股无线通讯热；陆续有许多上市公司及集团，看好手机市场的发展，投资砷化镓产业 |
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IrDA在信用卡市场的商机与应用 (2000.09.01)
今年年初，全球信用卡巨擘威士集团(VISA)加入国际IrDA组织，希望创造无卡片的支付时代，以减少现有塑胶信用卡盗刷及伪卡的事件。 2000年五月份出版的尼尔逊报告显示，目前全球塑胶信用卡发行量约20亿张，若IrDA能成功切入信用卡市场，就此部份将可单为IrDA收发器市场创造至少600亿新台币的产值，至于其他系统附加产值则难以估算 |
