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力旺携手联电推出新兴非挥发记忆体ReRAM矽智财 (2021.11.04)
力旺电子与联电(UMC)今日宣布，力旺电子的可变电阻式记忆体（ReRAM）矽智财已成功通过联电40奈米认证，支援消费性与工业规格之应用。
力旺电子的ReRAM矽智财于联电40奈米制程验证成功，充分显示力旺不但在传统非挥发记忆体矽智财产品线稳居领先地位，也在新兴非挥发记忆体技术研发布局有成 |
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实现物联网与云端运算的新型记忆体技术 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可节省达 90% 的功耗。这些功耗与面积成本优势，使得MRAM成为边缘装置的理想选择。 |
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松下与联华电子合作开发新一代可变电阻式记忆体量产制程 (2017.02.08)
松下电器半导体（PSCS）已与联华电子（UMC）达成一项协议，双方将合作开发新一代40nm 可变电阻式记忆体(ReRAM)的量产制程。
ReRAM与目前广泛应用的快闪记忆体十分相似，是一种非挥发性记忆体 |
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如何让芯片记忆更多？Rice大学和惠普告诉您 (2010.09.01)
有没有另一种新的半导体技术，能够在更短的时间内缩小芯片尺寸、又能提高储存容量？答案正在呼之欲出。美国德州莱斯大学（Rice Univ.）的科学家们与惠普（HP）的研发团队不约而同地，在这礼拜公布两项关键技术和合作计划，宣布可以克服最基本的物理限制，能够更快速地将内存芯片微型化，他们认为是消费电子芯片的革命性突破 |
