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CTIMES / 反激式轉換器
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
意法半导体最新900V MOSFET提升反激式转换器之输出功效 (2017.03.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET让电源设计人员能够满足更高功率和更高效的系统需求，其拥有同级最好的导通电阻（RDS(ON)）和动态特性。 900V崩溃电压确保在高汇流排电压系统应用下具有更高的安全系数

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