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2月下旬DRAM价格小跌 Flash则大跌18～25% (2006.02.26)
过去一周，DRAMeXChange指数由2月中的3078下降至3052，主要反应DDR价格仍持续走跌。现货市场方面，DDR与DDR2近期交易清淡，DDR2部分，Elpida在现货市场有降价动作，DDR2 533MHz 512Mb价格由5.28美元小幅下跌至5.27美元 |
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新力推5GB高容量CF卡 (2006.02.20)
数字相机动态录像功能提升，为了满足消费者高储存容量需求，新力宣布推出第一款容量高达5GB的CF记忆卡，消费者将可以录制长达四小时的MPEG 4动态影片。
数字相机朝向高分辨率与动态摄影开发 |
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跌价声中 大厂持续投资NAND闪存 (2006.02.15)
尽管全球内存大厂一片看好NAND闪存，但今年以来NAND芯片现货价却呈现崩跌走势，以目前主流的2Gb NAND芯片为例，今年开春均价仍高达15美元，但昨日收盘价已接近10美元，等于在一个月余期间，价格已重挫近五成幅度 |
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Spansion产品荣获联想年度优秀供货商奖 (2006.02.08)
闪存解决方案供货商Spansion荣获了由联想行动通讯科技颁发的2005年度优秀供货商奖。这一奖项是联想对其供货商在过去一年中的出色表现所给予的最高形式的认可。这表示Spansion长期以来爲中国无线手持设备产业提供卓越的闪存産品和技术支持所做的努力，获得联想这样重要客户的充分肯定 |
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Spansion与Elpida合作提供无线储存系统 (2006.01.25)
Spansion 于23日宣布，将与日本DRAM供货商Elpida合作，共同爲无线市场提供完整的储存系统解决方案。透过MirrorBit NOR和ORNAND闪存与Elpida的Mobile RAM整合，Spansion可以帮助手机生産商设计出外型更加小巧并具有更丰富多媒体功能的手机 |
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M-Systems与Hynix共同研发新一代嵌入式快闪磁盘 (2006.01.11)
快闪记忆装置厂商M-Systems与内存及半导体厂商Hynix Semiconductor，于11日宣布双方首度合作计划、推出新一代嵌入式高密度快闪磁盘（Embedded Flash Drive，EFD）－DiskOnChip H3。DOC H3以实际验证的DiskOnChip架构为主、并采用Hynix最新设计的NAND闪存及M-Systems内建TrueFFS快闪管理软件所共同研发之产品 |
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常忆科技推出新一代高速PM25LV SPI闪存 (2006.01.03)
专业电子零组件代理商益登科技所代理的常忆科技(PMC)近日推出100 Mhz的1Mb、2Mb、4Mb串行外围接口(SPI)内存，8Mb及16Mb也将在2006年推出，以供应计算器、PC的BIOS 、LCD monitor、医疗监控器、硬盘、光储存(ODD)、无线局域网络系统、打印机、复杂可程序逻辑组件(CPLD)/现场可程序门阵列(FPGA)下载、电玩等制造厂商 |
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PQI将于95年1月1日推出快闪记忆卡产品终身保固服务 (2005.12.26)
:PQI有鉴于快闪记忆卡产品日益普及，且已成为消费者数字生活中不可或缺的重要配件之ㄧ，PQI为了提供给消费者更完善和贴心的产品服务，将于95年1月1日推出快闪记忆卡产品终身保固服务，并于全球同步实施，消费者只要是在正常使用情况下，若产品因自然因素损坏，皆可享有终身免费维修服务 |
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M-Systems与Toshiba连手推出嵌入式快闪磁盘 (2005.12.21)
M-Systems 二十日与东芝半导体共同宣布，两家公司将针对手机与消费性电子装置、提供DiskOnChip架构的新一代嵌入式高密度快闪磁盘（Embedded Flash Drive，EFD）－DOC H3。DOC H3可让装置设计师透过使用Toshiba MLC（multi-level cell，多层式单元格）NAND快闪产品、与M-Systems内建于韧体的TrueFFS快闪管理软件，整合可符合成本效益的高密度嵌入式储存装置 |
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SanDisk用记忆卡打开数字娱乐大门 (2005.12.12)
SanDisk正式推出TrustedFlash 创新技术平台，透过此一平台的功能，消费者可购买快闪记忆卡上的付费音乐、电影与游戏，并可交互使用于手机、笔记计算机、PDA与其他便携设备，已突破过去局限于单一产品应用之上的窘境 |
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M-Systems推出即插即用的可开机嵌入式快闪磁盘 (2005.12.12)
快闪记忆装置厂商M-Systems宣布推出采用DiskOnChip架构的新一代嵌入式快闪磁盘（Embedded Flash Drive，EFD）－DOC H3。
DOC H3解决了NAND储存媒体的复杂问题，让最具成本效益的新型NAND快闪媒体，可迅速整合至手机和消费性电子装置中 |
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M-Systems与Renesas签署供应及策略合作契约 (2005.12.02)
M-Systems与瑞萨科技十二月一日宣布共同签署供应及策略合作契约。Renesas将提供性能优异的多层式单元格（multi-level cell，MLC）AG-AND高阶闪存，M-Systems则供应其技术先进的快闪控制器及TrueFFS快闪管理技术，以进行此项合作契约 |
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SanDisk获NOVA品牌票选第一名 (2005.12.02)
记忆卡厂商SanDisk再次获得消费者与零售商的最佳肯定。日前由国内最大的信息商城NOVA所公布的2005年理想通路品牌，在小型记忆卡的项目中，SanDisk荣获零售商票选第一名与消费者票选第三名的头衔，也是少数在消费者与经销商同时都有获奖的记忆卡厂商 |
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Spansion与M-Systems合作开发闪存模拟产品 (2005.11.30)
AMD和富士通公司共同投资的闪存公司 Spansion LLC 29日宣布，计划与策略伙伴共同合作开发一种独特的闪存解决方案，它将模拟模块整合在Spansion MirrorBit闪存解决方案中，成为一种闪存模拟（Logic on Flash）的新产品 |
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M-Systems明年推出具安全功能的手机记忆卡 (2005.11.30)
M-Systems29日宣布加入手机记忆卡市场，为和现有市场区隔，新产品将不单只作储存用，届时也会具有安全功能，例如防毒、备份管理、装置设定等。M-Systems指出，手机记忆卡的应用发展趋势，将会越来越像随身碟，为了将多储存在手机里的数据带着走，除了扩大记忆卡的容量外，确保数据的可用性及保密性亦为重点之一 |
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M-Systems将拓展手机及消费性电子装置市场产品 (2005.11.29)
快闪记忆装置领导与创新厂商M-Systems，28日宣布扩增现有产品、推出记忆卡产品系列，可大幅拓展供应手机及消费性电子装置市场的产品，以因应来自多重市场的储存需求 |
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M-Systems并购智能卡商Microelectronica Espanola (2005.11.23)
快闪记忆装置厂商M-Systems宣布并购欧洲智能卡及其操作系统的主要厂商Microelectronica Espanola，此并购案将大幅扩展M-Systems的技术、安全性、制造产能及扩大服务地区范围，并同时强化M-Systems的行动产品系列，拓宽行动市场通路 |
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英特尔推出90奈米多层堆栈闪存 (2005.11.21)
英特尔宣布开始量产一款90奈米多层单元(Multi-Level Cell；MLC) NOR闪存。新款Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)组件提供较先前130奈米版本组件更快的效能、更高的密度以及更低的耗电量，满足具有相机、彩色屏幕、Web浏览以及影片播放等多功能手机的需求 |
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M-Systems与Spansion携手研发安全性内存设计 (2005.11.18)
M-Systems十一月十七日宣布与Spansion LLC、为AMD及富士通的闪存合资企业进行签约，将共同合作设计产品，将结合M-Systems的快闪技术和逻辑智能财产（IP）及Spansion的MirrorBIT™的闪存产品 |
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瑞萨科技新单芯片微控制器 内含闪存 (2005.11.17)
瑞萨科技近日宣布推出内含闪存之SH7211F单芯片微控制器；此产品具有高效能SH-2A CPU核心，并提供绝佳的实时控制功能，和全球顶尖的160 MHz操作速度，可说是32位RISC(精简指令集计算机) 微控制器SuperH Family系列产品的生力军 |
