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日本OIST发表全新简化高NA EUV设计 大幅降低半导体功耗与成本 (2026.06.18)
冲绳科学技术大学院大学（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米图案化、材料与计量学期刊》（JM3）发表一项创新性的光学硬体破局技术，宣布对高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）曝光机的照明与投影系统进行激进重构，解决半导体光学功耗与昂贵资本支出瓶颈 |
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先进制造布局 半导体与工具机的共生演进 (2026.04.08)
随着2026年生成式AI正式由云端大模型（Cloud AI）转向更具即时性、隐私性的地端代理人（Agent AI）与物理人工智慧（Physical AI），全球对於算力的定义正在发生质变。 |
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金属中心携手SUSS布局高精度曝光对位技术 强化先进封装设备能量 (2026.03.16)
金属中心与德商SUSS签署MOU
(圖一)金属中心??执行长林烈全与德商休斯微技术公司(SUSS) 总经理高正? 签署合作备忘录，共同布局次世代高精度曝光定位技术。
携手布局次世代高精度曝光对位技术
在人工智慧（AI）、高效能运算（HPC）与5G应用快速推进下，先进封装与奈米级制程技术的重要性日益提升 |
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金属中心携手SUSS布局高精度曝光对位技术 强化先进封装设备能量 (2026.03.16)
金属中心与德商SUSS签署MOU
携手布局次世代高精度曝光对位技术
在人工智慧（AI）、高效能运算（HPC）与5G应用快速推进下，先进封装与奈米级制程技术的重要性日益提升 |
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TMTS 2026推数位寻宝挑战 互动式观展串联AI与绿色制造 (2026.03.10)
两年一度的工具机产业盛会「2026台湾国际工具机展（TMTS 2026）」将於3月25日至28日在台中国际会展中心登场。为强化展览互动体验并促进叁观者与展商之间的技术交流，主办单位今年首度规划「TMTS数位寻宝挑战」活动 |
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TMTS 2026推数位寻宝挑战 互动式观展串联AI与绿色制造 (2026.03.10)
两年一度的工具机产业盛会「2026台湾国际工具机展（TMTS 2026）」将於3月25日至28日在台中国际会展中心登场。为强化展览互动体验并促进叁观者与展商之间的技术交流，主办单位今年首度规划「TMTS数位寻宝挑战」活动 |
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imec光阻剂减量：MOR曝光後烘烤步骤注入氧气成为产量关键推手 (2026.03.03)
日前举行的2026年国际光学工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步骤精准控制气体成分有助於尽量减少所需的曝光阻剂，进而推动晶圆产量增加 |
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imec光阻剂减量：MOR曝光後烘烤步骤注入氧气成为产量关键推手 (2026.03.03)
日前举行的2026年国际光学工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography + Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示在EUV微影曝光後步骤精准控制气体成分有助於尽量减少所需的曝光阻剂，进而推动晶圆产量增加 |
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Canon喷墨式平坦化技术 为先进制程带来成本革命 (2026.01.13)
长期以来，晶圆在多层堆叠过程中，表面会产生细微的起伏，这会导致光学曝光时出现失焦，进而造成电路缺陷。传统上，业界依赖化学机械研磨（CMP）来磨平晶圆，但随着制程迈向 2 奈米甚至更深层，CMP 的精度已逐渐遇到瓶颈 |
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Canon喷墨式平坦化技术 为先进制程带来成本革命 (2026.01.13)
长期以来，晶圆在多层堆叠过程中，表面会产生细微的起伏，这会导致光学曝光时出现失焦，进而造成电路缺陷。传统上，业界依赖化学机械研磨（CMP）来磨平晶圆，但随着制程迈向 2 奈米甚至更深层，CMP 的精度已逐渐遇到瓶颈 |
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韩国晶片大厂扩产潮启动 供应链再迎新一波成长动能 (2025.11.19)
韩国半导体产业再度吹起扩张号角。根据报导，韩国两大晶片制造商近期针对先进制程与记忆体产能展开大规模投资，带动整体供应链期待升温，形成一股向外扩散的产业活水 |
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韩国晶片大厂扩产潮启动 供应链再迎新一波成长动能 (2025.11.19)
韩国半导体产业再度吹起扩张号角。根据报导，韩国两大晶片制造商近期针对先进制程与记忆体产能展开大规模投资，带动整体供应链期待升温，形成一股向外扩散的产业活水 |
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imec采用High-NA EUV单次图形化 展示20奈米金属导线电性良率 (2025.03.04)
日前举行的国际光电工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示首次在20奈米间距金属导线结构上取得的电性测试（electrical test）结果，这些结构经过高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）的单次曝光之後完成图形化 |
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imec采用High-NA EUV单次图形化 展示20奈米金属导线电性良率 (2025.03.04)
日前举行的国际光电工程学会（SPIE）先进微影成形技术会议（Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利时微电子研究中心（imec）展示首次在20奈米间距金属导线结构上取得的电性测试（electrical test）结果，这些结构经过高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）的单次曝光之後完成图形化 |
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雷射干涉仪实现线型马达平台 位移即时补偿回授控制 (2024.10.29)
本文说明透过雷射干涉仪选用装设有内建增量式光学尺的商用线型马达移动平台，搭配驱动控制器进行定位精度的分析与比较。 |
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进入High-NA EUV微影时代 (2024.09.19)
比利时微电子研究中心（imec）运算技术及系统／运算系统微缩研究计画的资深??总裁（SVP）Steven Scheer探讨imec与艾司摩尔（ASML）合建的High-NA EUV微影实验室对半导体业的重要性 |
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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构 (2024.08.11)
比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光後的图形化元件结构 |
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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室 (2024.06.05)
比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具 |
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ASML与imec成立High-NA EUV微影实验室 (2024.06.05)
比利时微电子研究中心（imec）与艾司摩尔（ASML）共同宣布，双方於荷兰费尔德霍温合作开设的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室正式启用，为尖端的逻辑、记忆体晶片商以及先进的材料、设备商提供第一部高数值孔径（high-NA）极紫外光（EUV）曝光机原型TWINSCAN EXE:5000以及相关的制程和量测工具 |
