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Xilinx推出LDPC错误校正IP基础 (2015.08.13)
美商赛灵思（Xilinx）推出低密度奇偶校验（Low-Density Parity-Check；LDPC）错误校正IP基础，为云端与资料中心储存市场实现各种新一代快闪型应用。由于各种3D NAND技术让NAND快闪记忆体不断精进，LDPC错误校正已然成为一项关键的核心功能以因应现今储存解决方案对可靠度和耐用度的严格要求 |
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Xilinx推出LDPC错误校正IP基础 (2015.08.13)
美商赛灵思（Xilinx）推出低密度奇偶校验（Low-Density Parity-Check；LDPC）错误校正IP基础，为云端与资料中心储存市场实现各种新一代快闪型应用。由於各种3D NAND技术让NAND快闪记忆体不断精进，LDPC错误校正已然成为一项关键的核心功能以因应现今储存解决方案对可靠度和耐用度的严格要求 |
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东芝16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体搭载TSV技术 (2015.08.07)
东芝公司（Toshiba）宣布研发出运用矽穿孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将於8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型 |
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东芝16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体搭载TSV技术 (2015.08.07)
东芝公司（Toshiba）宣布研发出运用矽穿孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将于8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型 |
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东芝为微控制器和无线通讯积体电路开发新制程技术 (2015.07.09)
（日本东京讯）东芝公司（Toshiba）宣布，该公司已根据使用小於当前主流技术功率的65奈米逻辑制程开发了快闪记忆体嵌入式制程，以及采用130奈米逻辑及类比电源制程开发了单层多晶矽非挥发性记忆体（NVM）制程 |
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东芝为微控制器和无线通讯积体电路开发新制程技术 (2015.07.09)
（日本东京讯）东芝公司（Toshiba）宣布，该公司已根据使用小于当前主流技术功率的65奈米逻辑制程开发了快闪记忆体嵌入式制程，以及采用130奈米逻辑及类比电源制程开发了单层多晶矽非挥发性记忆体（NVM）制程 |
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宜鼎国际工控模块全新升级，推出高IOPS全系列产品 (2015.05.19)
工控储存厂商宜鼎国际（Innodisk）新一代3ME3模块产品系列升级自3ME系列，采用先进控制器，及针对工业计算机应用所设计的韧体，搭配A19奈米制程的原厂高质量同步闪存，可让微型模块效能大幅提升 |
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宜鼎国际工控模组全新升级，推出高IOPS全系列产品 (2015.05.19)
工控储存厂商宜鼎国际（Innodisk）新一代3ME3模组产品系列升级自3ME系列，采用先进控制器，及针对工业电脑应用所设计的韧体，搭配A19奈米制程的原厂高品质同步快闪记忆体，可让微型模组效能大幅提升 |
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SST和GLOBALFOUNDRIES宣布汽车级55nm嵌入式快闪记忆体技术获认证 (2015.05.15)
·SST的 SuperFlash技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx结合，实现低功耗、低成本、高可靠度、资料保存性能和高耐用度兼备的客户解决方案
(圖一)
·因应智慧卡、NFC、IoT、MCU和汽车1级标准应用方面的客户需求不断增长 |
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SST和GLOBALFOUNDRIES宣布汽车级55nm嵌入式闪存技术获认证 (2015.05.15)
‧SST的 SuperFlash技术与GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx结合，实现低功耗、低成本、高可靠度、数据保存性能和高耐用度兼备的客户解决方案
‧因应智能卡、NFC、IoT、MCU和汽车1级标准应用方面的客户需求不断增长 |
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瑞萨电子开发28奈米嵌入式闪存技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新闪存技术，可达到更快的读取与覆写速度。 这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制程技术的芯片内建闪存微控制器（MCU）所设计 |
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瑞萨电子开发28奈米嵌入式快闪记忆体技术 (2015.05.15)
瑞萨电子（Renesas）宣布已开发全新快闪记忆体技术，可达到更快的读取与覆写速度。这项新的技术是针对采用28奈米（nm）嵌入式快闪记忆体（eFlash）制程技术的晶片内建快闪记忆体微控制器（MCU）所设计 |
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MTBF提升25% + HGST SAS SSD =整体优越效能 (2015.05.14)
随着不断增长的数据量，可否能有效且可靠地储存与读取数据成为了企业的竞争关键。 数据数据中的信息能协助做出更快速且明智决策，提供各行各业宝贵的洞见... |
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TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固态硬碟SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本东京讯）TDK株式会社将於2015年8月开始发售搭载有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型快闪记忆体控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工业用固态硬碟SDS1B系列产品。
(圖一)TDK搭载自主开发的高可靠性SATA Gen3 SSD新型控制器GBDriver GS1
近年来 |
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TDK推出支持串行ATA 6Gbps的高可靠性固态硬盘SDS1B系列 (2015.05.11)
（日本东京讯）TDK株式会社将于2015年8月开始发售搭载有可支持串行ATA 6Gbps的NAND型闪存控制IC GBDriver GS1的2.5inch型工业用固态硬盘SDS1B系列产品。
近年来，以OS的高容量化及4K、8K全高画质数字播放为代表的高画质大容量数据的储存等都逐渐要求储存器实现高速、大容量的用途 |
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2015数据资料将如何发展? (2015.02.24)
数据资料是新型经济的货币，数量不曾如此之多，亦不曾如此重要。
应用程式、装置与资料类型等不断地增加，再加上物联网(IoT)的应用，现在人们创造与复制的资料量每两年增加一倍 |
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意法半导体新款STM32F3微控制器高达512KB快闪记忆体容量 (2015.02.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的STM32F3系列微控制器再添新成员，满足市场对高性能、创新功能及价格实惠要求。新微控制器的记忆体容量增至512KB快闪记忆体（Flash）以及80KB静态随机存取记忆体（SRAM），并整合丰富的周边设备介面，其中包括高速控制器及晶片外（off-chip）记忆体介面 |
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意法半导体新款STM32F3微控制器高达512KB闪存容量 (2015.02.10)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的STM32F3系列微控制器再添新成员，满足市场对高性能、创新功能及价格实惠要求。新微控制器的内存容量增至512KB闪存（Flash）以及80KB静态随机存取内存（SRAM），并整合丰富的接口设备接口，其中包括高速控制器及芯片外（off-chip）内存接口 |
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意法半导体推出多款超值型系列微控制器款新品 (2015.02.05)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）全面升级STM32F0 超值型系列ARM Cortex-M0微控制器的功能。为了扩大对成本导向的消费性电子、智能能源、通讯网关和物联网等应用的支持，新产品增加了USB接口，并搭载更高的闪存容量 |
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意法半导体推出多款超值型系列微控制器款新品 (2015.02.05)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）全面升级STM32F0 超值型系列ARM Cortex-M0微控制器的功能。为了扩大对成本导向的消费性电子、智慧能源、通讯闸道和物联网等应用的支援，新产品增加了USB介面，并搭载更高的快闪记忆体容量 |
