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奇梦达美国子公司申请破产保护 (2009.02.24)
外电消息报导，奇梦达周一（2/23）表示，将为其在美国的子公司申请破产保护。
据报导，奇梦达是在本周一时发表美国子公司的破产保护声明。奇梦达表示，奇梦达的美国子公司奇梦达北美公司及奇梦达Richmond L.L.C，已于2009年2月20日提交了破产保护申请 |
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Numonyx发表首款45奈米NOR快闪记忆体技术 (2009.02.23)
恒忆(Numonyx)日前发表了业界首款采用45奈米制程的MLC NOR快闪记忆体样本。该技术不但为客户提供高度的产品升级弹性和可靠度外，更大幅提高恒忆记忆体产品效能。
(圖一) BigPic:389x400
这款45奈米，容量达1 GB的单石(monolithic)元件，是基於Numonyx StrataFlash 记忆体架构，与恒忆目前量产的65奈米 NOR快闪记忆体晶片接脚相容 |
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Numonyx发表首款45奈米NOR闪存技术 (2009.02.23)
恒忆(Numonyx)日前发表了业界首款采用45奈米制程的MLC NOR闪存样本。该技术不但为客户提供高度的产品升级弹性和可靠度外，更大幅提高恒忆内存产品效能。
这款45奈米，容量达1 GB的单石(monolithic)组件，是基于Numonyx StrataFlash 内存架构，与恒忆目前量产的65奈米 NOR闪存芯片接脚兼容 |
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ONFI 2.1标准问世 NAND传输提升至200MB/s (2009.02.11)
开放式NAND闪存接口（ONFI）工作小组今日（2/11）发布了ONFI 2.1版技术规范。ONFI 2.1版本除具备更简化的闪存控制器设计，并将传输性能提升至每秒166MB/s到200MB/s间。目前ONFI工作组已着手制订ONFI 3.0版，预计速度将可达400MB/s |
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ONFI 2.1标准问世 NAND传输提升至200MB/s (2009.02.11)
开放式NAND快闪记忆体介面（ONFI）工作小组今日（2/11）发布了ONFI 2.1版技术规范。ONFI 2.1版本除具备更简化的快闪记忆体控制器设计，并将传输性能提升至每秒166MB/s到200MB/s间 |
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NOR内存大厂Spansion日本公司声请破产保护 (2009.02.10)
由AMD与富士通所合组内存公司飞索半导体（Spansion）今日（2/10）宣布，其日本分公司已声请破产保护，目前正在进行企业重整。而在这段期间，其相关的产品与服务仍将维持运作 |
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NOR记忆体大厂Spansion日本公司声请破产保护 (2009.02.10)
由AMD与富士通所合组记忆体公司飞索半导体（Spansion）今日（2/10）宣布，其日本分公司已声请破产保护，目前正在进行企业重整。而在这段期间，其相关的产品与服务仍将维持运作 |
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Epson多媒体播放器采用Actel可编程闪存 (2008.12.25)
Actel公司宣布精工爱普生公司（Seiko Epson）在其新推出的Epson 多媒体播放器 P-7000和P-6000産品中采用Actel的低耗电快闪型装置ProASIC3 FPGA。获采用的A3P125 ProASIC3装置，拥有125,000系统闸，最适用于CompactFlash记忆卡及接口电路的高速存取 |
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Epson多媒体播放器采用Actel可编程快闪记忆体 (2008.12.25)
Actel公司宣布精工爱普生公司（Seiko Epson）在其新推出的Epson 多媒体播放器 P-7000和P-6000産品中采用Actel的低耗电快闪型装置ProASIC3 FPGA。获采用的A3P125 ProASIC3装置，拥有125,000系统闸，最适用於CompactFlash记忆卡及介面电路的高速存取 |
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站稳SerDes IP 创意电子看好09年高速连接市场 (2008.12.23)
2009年IC设计有哪些发展重点？台湾IC设计服务领导商创意电子说：开发平台、高速连接、奈米设计、低功耗以及SiP技术。其中先进的高速连结技术跨入难度极高，一般厂商短时间内难有成果，但却是创意电子最具竞争力的市场之一 |
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站稳SerDes IP 创意电子看好09年高速连接市场 (2008.12.23)
2009年IC设计有哪些发展重点？台湾IC设计服务领导商创意电子说：开发平台、高速连接、奈米设计、低功耗以及SiP技术。其中先进的高速链接技术跨入难度极高，一般厂商短时间内难有成果，但却是创意电子最具竞争力的市场之一 |
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华邦电子选中惠瑞捷测试快闪记忆体晶圆 (2008.12.17)
惠瑞捷(Verigy) 宣布，快闪记忆体供应商华邦电子 (Winbond) 已采购多套Verigy V5400快闪记忆体测试系统，供台中厂使用，以测试SpiFlash序列式快闪记忆体的晶圆。这些记忆体采用序列周边介面 (SPI)，广泛使用於PC、行动电话和其它行动装置中 |
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华邦电子选中惠瑞捷测试闪存晶圆 (2008.12.17)
惠瑞捷(Verigy) 宣布，闪存供货商华邦电子 (Winbond) 已采购多套Verigy V5400闪存测试系统，供台中厂使用，以测试SpiFlash序列式闪存的晶圆。这些内存采用序列外围接口 (SPI)，广泛使用于PC、移动电话和其它行动装置中 |
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Netbook也不爱 09年SSD难有进展 (2008.12.17)
外电消息报导，市场研究公司DRAMeXchange日前公布一份报告指出，Netbook销售将在2009年拉出长红，但SSD的需求量却无法相对提升，甚至还会出现出现下滑，从原来的70%占有率减至20%左右 |
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Netbook也不爱 09年SSD难有进展 (2008.12.17)
外电消息报导，市场研究公司DRAMeXchange日前公布一份报告指出，Netbook销售将在2009年拉出长红，但SSD的需求量却无法相对提升，甚至还会出现出现下滑，从原来的70%占有率减至20%左右 |
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海力士可能考虑融资贷款来因应亏损 (2008.12.03)
外电消息报导，由于内存芯片价格持续滑落，加上全球景气衰退的因素，全球第二大内存芯片供货商海力士，正在考虑采取融资筹款的方式，来因应未见好转的亏损状况。
据报导，海力士受库存过剩导致内存芯片价格不振的拖累，目前已蒙受7年来最大亏损 |
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海力士可能考虑融资贷款来因应亏损 (2008.12.03)
外电消息报导，由於记忆体晶片价格持续滑落，加上全球景气衰退的因素，全球第二大记忆体晶片供应商海力士，正在考虑采取融资筹款的方式，来因应未见好转的亏损状况 |
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新一代NVM内存之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案 |
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新一代NVM记忆体之争 MRAM赢面大 (2008.11.12)
全球先进半导体设备及制程技术供应商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希??从多家新一代非挥发性记忆体（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型记忆体解决方案 |
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革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能，短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守，长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力（Scalability）、储存覆写次数耐久性（Endurance）和数据保存能力（Data Retention）的局限，使其面临技术上和经济上必须革新的关键 |
