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CTIMES / 晶体管
科技
典故
叫醒硬件准备工作的BIOS

硬件组装在一起,只是一堆相互无法联系的零件,零件要能相互联络、沟通与协调,才能构成整体的「系统」的基础,而BIOS便扮演这样的角色。
宜普电源推出单片半桥式氮化??功率电晶体 (2014.12.09)
为了协助功率系统设计增加效率与功率密度,宜普电源转换公司(EPC)推出60 V单片半桥式氮化??功率电晶体-- EPC2101。透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成?单个元件,可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙,使得电晶体的占板面积?少50%
大联大友尚推出德州仪器全整合型Thunderbolt DC/DC电源解决方案 (2014.12.09)
大联大控股旗下友尚将推出德州仪器(TI)首款针对总线供电 Thunderbolt 应用的全面整合电源解决方案。此次推出的TPS65980 DC/DC开关稳压器是经TI认证的Thunderbolt单埠外设参考设计的核心组件,不仅可简化电源链,而且还可加速硬盘驱动器、固态驱动器,以及影音解决方案等总线供电应用的设计
大联大友尚推出德州仪器全整合型Thunderbolt DC/DC电源解决方案 (2014.12.09)
大联大控股旗下友尚将推出德州仪器(TI)首款针对汇流排供电 Thunderbolt 应用的全面整合电源解决方案。此次推出的TPS65980 DC/DC开关稳压器是经TI认证的Thunderbolt单埠外设叁考设计的核心元件,不仅可简化电源链,而且还可加速硬碟驱动器、固态驱动器,以及影音解决方案等汇流排供电应用的设计
Diodes初级侧转换器降低电源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出离线式初级侧开关控制器AP3988,旨在为充电器、ADSL转接器和家电电源降低成本,以及提升电源效能。新元件提供初级侧控制,不需光耦合器和二次侧控制电路,从而减少元件数量,以及节省电路板空间和成本
Diodes初级侧转换器降低电源大小及成本暨提升效能 (2014.12.05)
Diodes公司推出脱机式初级侧开关控制器AP3988,旨在为充电器、ADSL转接器和家电电源降低成本,以及提升电源效能。新组件提供初级侧控制,不需光耦合器和二次侧控制电路,从而减少组件数量,以及节省电路板空间和成本
美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署於长达十年的罗塞塔号探测器任务 美高森美公司(Microsemi)祝贺欧洲太空总署(ESA)、美国国家航空暨太空总署(NASA)和其合作夥伴的罗塞塔号(Rosetta)探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标
美高森美太空产品长期促动罗塞塔号探测器任务 (2014.12.03)
美高森美太空产品逾一万五千个部署于长达十年的罗塞塔号探测器任务 美高森美公司(Microsemi)祝贺欧洲太空总署(ESA)、美国国家航空暨太空总署(NASA)和其合作伙伴的罗塞塔号(Rosetta)探测器成功达到了观测67P/Churyumov-Gerasimenko彗星的任务目标
IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02)
国际整流器公司 (International Rectifier;IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET硅技术组件,包括IRL6297SD双信道DirectFET MOSFET。 全新功率MOSFET备有极低的导通电阻,藉以大幅减少导通损耗,提供20V和30V N信道及P信道组态组件
IR推出电池保护应用MOSFET系列 (2014.12.02)
国际整流器公司 (International Rectifier;IR) 针对锂离子电池保护应用推出一系列IR最新低电压MOSFET矽技术元件,包括IRL6297SD双通道DirectFET MOSFET。 (圖一) 全新功率MOSFET备有极低的导通电阻,藉以大幅减少导通损耗,提供20V和30V N通道及P通道组态元件
意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项
意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项
英飞凌推出独立IGBT TO-247 4 Kelvin-Sense封装新版本 (2014.11.12)
英飞凌科技(Infineon)的IGBT产品阵容的TO-247封装推出新版本。全新TO-247 4 Kelvin-Sense封装满足了更高功率密度、高效率与体积精简的需求。创新的TO-247 4封装搭配英飞凌TRENCHSTOP 5 IGBT与Rapid 二极体技术,提供了卓越效率
英飞凌推出独立IGBT TO-247 4 Kelvin-Sense封装新版本 (2014.11.12)
英飞凌科技(Infineon)的IGBT产品阵容的TO-247封装推出新版本。全新TO-247 4 Kelvin-Sense封装满足了更高功率密度、高效率与体积精简的需求。创新的TO-247 4封装搭配英飞凌TRENCHSTOP 5 IGBT与Rapid 二极管技术,提供了卓越效率
意法半导体RF晶体管高电压新技术 实现高可靠度E级工业电源 (2014.11.05)
意法半导体600W-250V 的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E拥有先进的稳定性和高功率密度。采用热效率(thermally efficient)极高的微型封装,可用于高输出功率的E级工业电源
意法半导体RF电晶体高电压新技术 实现高可靠度E级工业电源 (2014.11.05)
意法半导体600W━250V 的13.6MHz RF功率电晶体STAC250V2-500E拥有先进的稳定性和高功率密度。采用热效率(thermally efficient)极高的微型封装,可用於高输出功率的E级工业电源
鳍式场效晶体管集成电路设计与测试 (2014.11.03)
鳍式场效晶体管的出现对集成电路物理设计及可测性设计流程具有重大影响。鳍式场效晶体管的引进意味着在集成电路设计制程中互补金属氧化物(CMOS)晶体管必须被建模成三维(3D)的组件,这包含了各种复杂性和不确定性
IR扩充超高速沟道IGBT系列 (2014.10.22)
因应多样化系统应用的需求,国际整流器公司(International Rectifier;IR)推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx元件,藉以扩充绝缘闸双极电晶体(IGBT)系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括太阳能逆变器、焊接设备、工业用马达、感应加热及不断电供应系统
IR扩充超高速沟道IGBT系列 (2014.10.22)
因应多样化系统应用的需求,国际整流器公司(International Rectifier;IR)推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx组件,藉以扩充绝缘闸双极晶体管(IGBT)系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括太阳能逆变器、焊接设备、工业用马达、感应加热及不间断电源
Diodes达灵顿阵列能驱动大电感负载 (2014.10.17)
Diodes公司推出高效能低成本的达灵顿(Darlington)阵列ULN2000系列。该系列符合业界标准,结合7款开路电极达灵顿电晶体,每款都能以额定50V输出提供高达500mA的输出电流。 (圖一) 全新的达灵顿阵列备有箝位二极体,可直接驱动多种电感负载,包括家电及工业产品的继电器和步进马达
Diodes达灵顿数组能驱动大电感负载 (2014.10.17)
Diodes公司推出高效能低成本的达灵顿(Darlington)数组ULN2000系列。该系列符合业界标准,结合7款开路电极达灵顿晶体管,每款都能以额定50V输出提供高达500mA的输出电流。 全新的达灵顿数组备有箝位二极管,可直接驱动多种电感负载,包括家电及工业产品的继电器和步进马达

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