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科技
典故		 制定无线传输规范的组织 - ITU

ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
英飞凌与西门子合作 以碳化矽技术赋能资料中心及工厂电气保护 (2026.06.11)
英飞凌科技与西门子开展合作，共同提升资料中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水准，保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化矽（SiC）功率模组，用於西门子的SENTRON 3QD2半导体断路器
格棋化合物半导体荣获第22届台湾金根奖 (2026.06.10)
台湾碳化矽（SiC）材料厂格棋化合物半导体获第22届台湾金根奖肯定。台湾金根奖以「深耕台湾、布局全球」为核心精神，表扬以台湾为营运根基、具备国际市场拓展能力与产业竞争力的企业
德州仪器：AI算力物理限制已到 800V高压直流供电成唯一解方 (2026.05.19)
德州仪器（TI）美国总部算力技术专家 Pradeep S. Shenoy 在受访时直言，AI 晶片对电力的索求正以惊人的几何级数??升。
工研院组队亮相NEPCON JAPAN 展现研制AI、车用半导体实力 (2026.01.22)
迎合AI基础建设与电动车创造庞大能源需求，工研院近期叁与日本国际电子制造关连展（NEPCON JAPAN），便以「车用碳化矽技术解决方案」、「直流电网技术解决方案」及「氮化??元件整合封装解决方案」3大主题，展示逾14项前瞻技术成果，并携手台湾厂商，加速研发成果产业化与国际布局，持续强化在先进电子与半导体领域的竞争优势
工研院组队亮相NEPCON JAPAN 展现研制AI、车用半导体实力 (2026.01.22)
迎合AI基础建设与电动车创造庞大能源需求，工研院近期叁与日本国际电子制造关连展（NEPCON JAPAN），便以「车用碳化矽技术解决方案」、「直流电网技术解决方案」及「氮化??元件整合封装解决方案」3大主题，展示逾14项前瞻技术成果，并携手台湾厂商，加速研发成果产业化与国际布局，持续强化在先进电子与半导体领域的竞争优势
GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄准AI资料中心与高功率工业应用 (2025.11.13)
面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑
GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄准AI资料中心与高功率工业应用 (2025.11.13)
面对高速成长的人工智能资料中心、电动车、航空航太与高功率工业应用带来的能源挑战，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成为推动新一波能源效率提升的重要技术里程碑
Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统
Nexperia新款1200 V SiC 萧特基二极体适用於高功率密集基础设施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出两款1200V、20A碳化矽（SiC）萧特基二极体PSC20120J与PSC20120L，专为高功率密集型基础设施设计，目标应用涵盖AI伺服器丛集、电信设备与太阳能逆变器等对能效要求极高的电源系统
工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力，兼顾在高压、高温下稳定运行，使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成为该领域深受关注的元件材料
工研院与台达开发SiC模组 抢攻高功率电子市场 (2025.02.08)
基於现今电动车为了符合低碳永续趋势及续航力，兼顾在高压、高温下稳定运行，使得具备高功率密度的宽能隙化合物半导体（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成为该领域深受关注的元件材料
工研院SiC技术亮相日本 助攻电动车产业升级 (2025.01.22)
工研院於日本国际电子制造关连展发表车用碳化矽（SiC）解决方案，吸引逾8万人次叁观，并与车厂及零件商洽谈合作。 (圖一)工研院携手台达共同展出1200V/660A T2系列碳化矽功率模组 工研院展示了与台达电共同开发的SiC功率模组，可提升电动车动力效能、延长续航里程并加速充电
工研院SiC技术亮相日本 助攻电动车产业升级 (2025.01.22)
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。
Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关
Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局
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