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讨论新闻主题﹕儒卓力供货高功率密度的威世N-Channel MOSFET

新闻 提要
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低导通电阻(RDS(ON))可以最大限度地降低传导损耗。此外，该器件的680pF低输出电容(Coss)和28.7nC的最隹化闸极电荷(Qg)则可减少与开关相关的功率损耗。 与采用6x5mm封装的类似解决方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷电路板(PCB)空间减少了65%，从而实现了更高的功率密度。它们通过了100%的RG和UIS测试，符合RoHS要求且不含卤素。 这款N-Channel MOSFET的应用包括AC/DC电源中的同步整流；针对电讯、伺服器和医疗设备的DC/ DC转换器中的初级和次级侧开关；用於伺服器和电讯设备中电压调节的半桥功率级和降压-升压转换器；电讯和伺服器电源中的OR-ing功能；用於开关电容器或开关箱转换器的功率级；电动工具和工业设备中的电机驱动控制；以及电池管理模组中的电池保护和充电

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