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不断进化的电力电子设计：先进模拟工具 (2024.03.22)
电力电子设计领域正在快速演进，引领着高速、高效元件的新时代；而突破性的模拟工具，重新定义了工程师对电力系统进行概念化、设计及验证的方式。在虚拟原型设计中运用模拟工具，带来了设计流程的重大变革 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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GE科学家展示超高温SiC MOSFET产品效能 (2023.06.02)
来自通用电气研究（GE Research）的科学家们创造了一项新记录，展示可以承受超过温度 800 ℃的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）。这相较於之前已知的该技术演示高出 200℃，对於极端操作环境中未来应用深具潜力 |
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ICAA：以交流平台链结产业上下游夥伴 共谋智慧新未来 (2023.03.31)
近来ChatGPT引爆科技应用的无限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主导的新时代翩然到来。迎合新一阶段的智慧化浪潮，智慧产业电脑物联网协会(ICAA)与大联大控股世平集团透过「智慧物联 连接未来」交流会 |
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Magnachip新型超短通道 MXT MOSFET可用於智慧手机电池保护电路模组 (2023.03.03)
为了满足移动设备制造商多样化和不断变化，必须解决电源管理方面的需求，Magnachip半导体发布两款第七代 MXT 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，内置超短通道技术可用於智慧型手机中的电池保护电路模组 |
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东芝推出汽车 40V N 沟道功率 MOSFET采用新型高散热封装 (2023.01.31)
近年来，电动汽车的进展推动对於适应汽车设备功耗增加的组件的需求。东芝电子推出汽车40V N沟道功率 MOSFETXPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它们使用新的 L-TOGL（大型晶体管外形鸥翼引线）封装，并且具有高漏极电流额定值和低导通电阻，今日开始供货 |
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TI：以V2G的愿景展现电动车实力 (2022.09.29)
老化的电网正在面临全球前所未有的充电需求，而且这种压力可能只会随着汽车电气化而加剧。不过，如果电动车可以将电力送返电网来减轻负担，又会是什麽样的情境？
这个概念称为Vehicle to Grid (V2G)，设想电动车能够提供有助於加强电网的电池电力，尤其是在需求尖峰期间 |
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大联大友尚推出基於onsemi和GaN System产品之PD快充电源方案 (2022.09.20)
大联大控股宣布，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化??系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。
以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具 |
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大联大诠鼎推出高效超薄型200W LED驱动电源方案 (2022.09.15)
大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基於英诺赛科（Innoscience）INN650D01场效应晶体管的高效超薄型200W LED驱动电源方案。
随着人们对灯具品质的要求越来越高，传统的LED驱动器已经无法满足小而薄的灯具设计 |
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安森美於新罕布什尔州碳化矽工厂落成 提供客户必要供应保证 (2022.08.12)
安森美（onsemi），美国时间8月11日举行了剪彩仪式，厌祝其位於新罕布什尔州哈德逊（Hudson, New Hampshire）的碳化矽（SiC）工厂的落成。
该厂区将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在哈德逊的员工人数也将成长近四倍 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来，功率半导体以矽为基础，但碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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三菱电机将推出商用双向无线电用的新型RF高功率MOSFET模组 (2022.07.14)
三菱电机株式会社宣布将於8月1日推出一款50W矽射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模组，用於商用双向无线电的高频功率放大器。该模组提供先进的763MHz至870MHz频段内功率输出50W，整体效率可达到40%，将有助於扩大无线电通信范围并降低功耗 |
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东芝与Farnell合作加强供应链 扩大新品及创新范畴 (2022.06.15)
东芝电子欧洲销售和行销子公司东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH）扩大与Farnell的全球合作夥伴关系，Farnell为全球电子元件、产品和解决方案经销商，在欧洲以Farnell、北美的纽瓦克和在亚太地区的e络盟（element14）进行交易 |
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评比奈米片、叉型片与CFET架构 (2022.04.21)
imec将於本文回顾奈米片电晶体的早期发展历程，并展??其新世代架构，包含叉型片（forksheet）与互补式场效电晶体（CFET）。 |
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自动对焦相机有效提升PCBA检测效率 (2022.04.21)
电子代工制造厂通过自动对焦相机进行影像撷取，实现PCBA电路板组装的即时检测，并标示出瑕疵，淘汰不合格的电路板，有效提升检测效率。 |
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安森美NCP1680控制器获PowerBest奖 实现PFC同时降低成本 (2022.02.16)
安森美（onsemi）宣布，其领先市场的NCP1680临界导通模式（CrM）无桥图腾柱功率因数校正（PFC）控制器获《Electronic Design》授予PowerBest奖。
安森美NCP1680获颁该奖项，是因为其采用混合讯号控制器，实现无桥图腾柱PFC，为设计人员提供良好的工具，可提高高效能电源的能效、降低成本和设计复杂度 |
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东芝新建12寸晶圆厂 扩大功率半导体产能 (2022.02.06)
东芝(Toshiba)日前宣布，将在日本石川县建造一个新的12寸(300mm)晶圆制造厂，主要用於生产功率半导体。该厂预计於2024财年开始量产，整体供应的产能将会是目前的2.5倍。
东芝指出，新晶圆厂的建设将分两个阶段进行，第一阶段的生产计划在 2024 财年开始 |
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新一代异质运算带动资料中心运算架构变革潮 (2022.01.25)
随着人工智慧及大数据崛起，资料中心日益庞大，储存容量也因疫后数位转型加速而大幅成长。另一方面，智慧型网路卡与资料处理器所代表的新兴加速运算装置预料也将带动伺服器硬体加速成长 |
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大联大友尚推出基于onsemi和GaN System产品的65W PD电源方案 (2021.11.11)
现今移动设备充电功率不断提高，高功率充电器的小型化，便携化将成为未来发展的重要方向。而功率往往和充电器的体积相互影响，亦即输出功率越大，体积通常就越大 |
