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国联与日商合作量产高速LED (2000.05.25)
国联光电与日本大同特殊钢株式会社签订量产高速LED(发光二极管)合约，这是国联光电在有机金属气相磊晶成长(MOCVD)技术获得国际大厂的肯定。日方保守估计5年内回销日本的金额约新台币30亿元，到了公元2005年每年至少可以有36亿日圆(约新台币10亿元)的产值，国联将在下半年开始出货
胜阳成功试产砷化镓芯片 (2000.05.21)
无线通信持续发烧，GaAS砷化镓磊芯片成为全球当红炸子鸡，继博达、全新量产HBT磊芯片后，胜阳光电日前宣布以有机金属气相磊晶成长法(MOCVD)制程试产成功砷化镓磊芯片，现接受美国大厂质量验证中，预计今年第三季后将可大量投产


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