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Transphorm与伟诠电子合作推出新款整合型氮化??器件 (2024.04.25)
全球氮化鎵（GaN）功率半导体供应商Transphorm与适配器USB PD控制器IC供应商伟诠电子Weltrend Semiconductor）今（25）日推出两款新型系统级封装氮化鎵器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化鎵 SiP组成首个基於 Transphorm SuperGaN平台的系统级封装氮化鎵产品系列 |
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Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器 (2023.12.21)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm推出两款针对电动车充电应用的全新叁考设计。300W和600W??流/??压（CC/CV）电池充电器采用Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN元件，以成本实现高效的AC-DC 功率转换和高功率密度 |
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Transphorm与Allegro合作提升大功率应用中氮化??电源系统性能 (2023.12.08)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm与为运动控制和节能系统提供电源及感测半导体技术的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm的SuperGaN场效应电晶体和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率应用扩展氮化??电源系统设计 |
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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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Transphorm新款SuperGaN FET驱动器解决方案符合中低功率应用 (2023.06.16)
全球氮化??（GaN）功率转换产品供应商Transphorm 发布一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案针对中低功率的应用，适用於LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑，强化公司在此30亿美元电力市场客户的价值主张 |
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飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中采用Transphorm公司的氮化??（GaN）技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术，这是一种氮化??场效应管（FET）平台，具有系统设计简单，元件数量少，高性能，高可靠等优点 |
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Transphorm推出叁考设计 加速氮化??电源配接器开发 (2022.06.27)
Transphorm推出七款叁考设计，旨在加快采用氮化??的USB-C PD电源配接器的研发。该叁考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，涵盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W） |
