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CTIMES / 3d Ic
科技
典故
制定电子商业标准协会 - OASIS

OASIS是一个非营利的机构,其作用在于发展、整合,以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通,以及电子业的出版。
积极创新 台积电获2013百大创新机构殊荣 (2013.11.04)
情报信息供货商汤森路透(Thomson Reuters)旗下的智权与科学(IP & Science)事业群公布2013年全球百大创新机构(2013 Top 100 Global Innovators)获奖名单。台积电(TSMC)获选为全球百大创新的机构之一
行动内存需求 加速3D IC量产时程 (2013.10.03)
尽管3D IC架构设计上充满挑战,但就产品应用的重要性而言,3D IC高整合度的特性,对于电子终端存在着不言可喻的优势。只不过,也正因3D IC的高技术门坎,使得包括市场整合、研发、材料供应、制造、设计工具、测试、商品化与标准化、EDA工具
行動記憶需求 3D IC步向成熟 (2013.07.22)
行動記憶需求 3D IC步向成熟
行动记忆需求 3D IC步向成熟 (2013.07.19)
由于技术上仍存在挑战,使得3D IC一直都成为半导体业界想发展,却迟迟到不了的禁区。尽管如此,国际半导体材料协会SEMI仍乐观认为,系统化的半导体技术仍将是主流趋势,这意味着3D IC的发展将不会停下脚步
Cadence:与合作伙伴之间的「信任度」得来不易 (2013.06.19)
没有任何公司可以独自实现16/14nm FinFET设计, 必须仰赖协作式的生态系统,由EDA商、IP商、晶圆厂商, 一起迎向FinFET设计与制造挑战。
台积电:高效能行动GPU成先进制程推力 (2013.03.26)
随着GPU日益成为影响下一代SoC面积、功率和效能的重要关键,以及设计人员可采用的先进硅晶制程选项越来越复杂,因此必须为设计流程和单元库进行优化调校,才能使设计团队在日趋缩短的时程内达成最佳的效能、功耗和芯片面积目标
发展下世代内存 英特尔:我们在正确的轨道上 (2012.12.04)
尽管英特尔面临很大的竞争,但仍持续投入许多前瞻技术研发,今日(4日)英特尔实验室与台湾工研院宣布合作研究成果,展示一款实验性数组内存(experimental memory array)。此实验性数组内存藉由3D堆栈与系统优化,建构出低耗能的平台
[分析]力抗三星 台积电晶圆、封测一手抓 (2012.10.12)
为抗拒三星和Intel跨足晶圆代工的竞争,以及从三星手上抢下苹果处理器(A7)的订单,台积电近年来跨业整合的策略明确,从入股Mapper、ASML等半导体设备商,转投资创意电子,扩大晶圆代工事业,到布建逾400人的封测团队,不断出手进行一条龙事业体的布局
台积电推20奈米及3D IC设计参考流程 (2012.10.12)
台积电日前(10/9)宣布,推出支持20奈米制程与CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技术的设计参考流程,展现了该公司在开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP)架构中支持20奈米与CoWoS技术的设计环境已准备就绪
半导体『0.5D』的距离有多远? (2012.09.25)
近期看到FPGA大厂陆续推出3D系统芯片,令人想起几前年半导体产业开始积极推展的3D芯片,似乎经过几年的酝酿,目前开始看到该技术的开花结果。只不过,Altera台湾区总经理陈英仁指出,这些其实都是属于2.5D的制程,不是真正3D的技术范畴
3D IC必成商机:台湾问题在于产业链整合 (2011.12.19)
摩尔定律究竟能否延续?许多人把希望放在3D IC上。不过,工研院电光所顾子琨组长表示,3D IC的确是一项不错的技术,但未来挑战仍多,台湾产业要注意如何整合共创商机
5年1500万美元 工研院与Intel共推3D内存 (2011.12.06)
Intel今日(12/6)与工研院、经济部技术处共同宣布一项针对下世代内存技术的合作案,未来五年总投入金额共达一千五百万美元。这是Intel在Ultrabook以及行动装置的布局,工研院将提供 IC 架构及软件技术,目标是在五年内,将内存功耗节省至10倍、甚至百倍以上
可携式产品锱铢必较 3D IC量测工夫再上层楼 (2011.09.07)
便携设备将成为引领电子产业向前迈进的新动力,智能型手机、平板计算机都是绝佳例证;而PC产业面临挑战,自也不遗余力追求薄型化与轻量化。晶圆量测厂商惠瑞捷成为Advantest旗下子公司后再度发表新产品,推出新产品以因应3D IC与SIP时代之量测需求
三闸极晶体管助威 英特尔直捣平板和智能机 (2011.05.12)
英特尔推出最新三闸极晶体管(Tri-Gate transistor)技术量产化,大大有益于直取媒体平板装置和智能型手机的战略高地。对于在这两大领域「喊水会结冻」的安谋(ARM)来说,绝对不是一个好消息,而ARM想要迂回渗透到英特尔老巢PC/NB的计划,也可能会受到一定程度的阻碍
3D IC卡在哪里? (2010.12.13)
在芯片微型化的过程中,兼具效能是非常关键的目标。如何在更小的芯片尺寸中,塞进更多的功能,一直是半导体业者所努力的研发方向。而所谓的「3D IC」制程,也是在此前提下所产生的技术
高容量内存 可望因3D IC而不再是奢侈品 (2010.06.24)
旺宏电子今日(6/24)发表最新的3D NAND Flash研究成果,其总经理卢志远表示,这颗3D IC与一般讨论的Sip、TSV技术不同,但是能够大幅降低Bit Cost。未来若能步入量产,可以解决高容量内存成本高昂的问题,最高目标希望能与硬盘并驾齐驱,甚至超越硬盘
从3D IC/TSV 的不同名词看3D IC 技术 (下) (2010.05.05)
目前,3D-IC定义并不相同,有人认为只要将一颗 die 放在一个substrate 上就是 3D integration,这似乎与将Chip 放在PCB上面没有两样,顶多称之为3D Package。 3D-IC与3D 封装(package)不同的是,3D Package 里面的元件是离散的,都是在元件的周边利用bonding wire 相接,但是3D IC 却是一个独立的IC,透过垂直与水平整合来大量提高集积密度
合纵连横的3D IC国际研究趋势(上) (2009.11.03)
3D IC的研发工作是一件庞大的整合工作,加上其异质整合的特性,初期研发不是一间公司所能负担的起。目前,从亚洲到欧洲及美国都成立了一些研发联盟来推动3D IC的研发工作
工研院与应用材料合作开发3DIC核心制程 (2009.10.15)
工研院与美商应用材料(Applied Material),于周四(10/15)宣布,进行3D IC核心制程的客制化设备合作开发。该开放制程平台将整合3D IC主流技术硅导通孔(TSV)制程流程,缩短集成电路及芯片开发时间,协助半导体厂商迅速地将先进芯片设计导入市场,进而大幅降低初期投资
后摩尔定律时代 (2009.09.27)
知名物理学大师费曼早在多年前就预测:「其实下面还有许多空间」,英特尔科学家摩尔也据此提出晶圆效能与密度每18个月就会扩增一倍的「摩尔定律」。虽然多年来半导体工业随着摩尔定律而蓬勃发展

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