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CTIMES / Rram
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独霸编码,笑傲江湖──ASCII与Unicode间的分分合合

为了整合电子位信息交换的共同标准,统一全球各国分歧殊异的文字符号,独霸全球字符编码标准,ASCII与Unicode的分分合合就此展开........
力旺电子和联电合作22奈米RRAM可靠度验证 对应AIoT和行动通讯市场需求 (2023.03.28)
力旺电子与联华电子今(28)日宣布,力旺的可变电阻式记忆体(RRAM)矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证,为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案
把发光与储存整合成一个元件!台师大团队研发可发光记忆体技术 (2021.09.22)
光与电,在电子系统里一直被视为两个独立分开的元件功能。而来自台湾师范大学光电工程研究所的跨国研究团队,却打破了这个疆界,他们发现了透过整合可变电阻式记忆体(RRAM)和量子点钙钛矿,成功实现了一种同时具备储存与发光功能的电子元件,为科技应用开启了新的视野
物联网与AI将推升次世代记忆体需求 (2017.12.25)
经过十多年的沉潜,次世代记忆体的产品,包含FRAM(铁电记忆体),MRAM(磁阻式随机存取记忆体)和RRAM(可变电阻式记忆体),在物联网与智慧应用的推动下,开始找到利基市场
[Tech Spot]四大闪存替代技术 (2012.12.06)
闪存仍如日中天,智能手机消费型设备,例如平板计算机和智能手机,强劲地推动了闪存及整个半导体市场。未来几年,平板计算机的市占率将不断增加,目前最常见的闪存类型是 NAND,一位市场分析师预测:2011 至 2015 年之间, NAND的市场复合年增长率将达到 7%
革新闪存迈出下一步 (2008.11.05)
市场对于主流非挥发性内存、特别是NAND Flash独立储存应用仍有广大需求动能,短期内市场对NAND Flash及SSD的发展规模渐趋保守,长期发展前景仍旧维持审慎乐观。NAND Flash在奈米微缩可扩充能力(Scalability)、储存覆写次数耐久性(Endurance)和数据保存能力(Data Retention)的局限,使其面临技术上和经济上必须革新的关键
电阻式记忆体技术研发现况 (2008.11.05)
电阻式记忆体的元件结构相当简单;同时所采用的材料并不特殊,元件所需制程温度不高,因此相当容易与相关元件或电路制程相整合。本文将介绍电阻式记忆体的元件操作特性
工研院RRAM研发成果获国际电子组件研讨会肯定 (2008.09.22)
工研院研发的电阻式非挥发性内存(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研发成果,获选在2008国际电子组件会议(International Electron Devices Meeting, IEDM),向全球电机电子研发菁英发布最新技术进展
快闪IC「RRAM」发展动向 (2005.09.05)
随着各种可携式电子产品的记忆容量不断扩张,传统的Flash Memory已很难满足市场需求。虽然FeRAM曾经是各半导体厂商嘱目的焦点,不过随着RRAM的出现,也代表着非挥发性内存即将进入崭新的纪元

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