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Nexperia汽车级肖特基二极体采用R2P DPAK 封装 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二极管现已通过汽车认证PSC1065H-Q，并采用真正的双引脚（R2P） DPAK （TO -252-2）封装，适合於电动车和其他汽车的各种应用。此外，为了扩展 SiC 二极体产品组合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 额定电流为 6A、16A 和 20A 的工业级装置-2 包装有利於更大的设计灵活性 |
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英飞凌携手Worksport 以氮化??降低可携式发电站重量和成本 (2024.03.13)
英飞凌科技宣布与 Worksport合作，共同利用氮化??（GaN）降低可携式发电站的重量和成本。Worksport 将在其可携式发电站转换器中使用英飞凌的 GaN 功率半导体 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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顶部散热MOSFET助提高汽车系统设计的功率密度 (2023.11.20)
本文讨论顶部散热（TSC）作为一种创新的元件封装技术能够如何帮助解决多馀热量的散热问题，从而在更小、更轻的汽车中实现更高的功率密度。 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm最新技术白皮书： 常闭型D-Mode与增强型E-Mode氮化??电晶体平台关键优势 (2023.10.19)
氮化??功率半导体产品的先锋企业Transphorm今（19）日发布《Normally-off D-Mode 氮化??电晶体的根本优势》最新白皮书。该技术白皮书科普了共源共栅 （常闭） d-mode氮化??平台固有的优势 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管（FET），导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案 |
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SCHURTER新型FXP保险丝座适合超高功率应用 (2023.07.21)
封闭式的保险丝座精细优良：保险丝能被妥善保护，也容易替换。根据IEC-60127-6标准， 以往的限制是16A。硕特（SCHURTER）发起的标准扩展让限制成为历史。新款 FXP保险丝座是为额定电流最高设是25A（IEC标准）或 45A（UL标准）的 6.3x32保险丝设计 |
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英飞凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半桥驱动器IC系列 (2023.05.12)
英飞凌科技股份有限公司继推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V绝缘体上矽（SOI）三相闸极驱动器之後，现又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器IC系列的半桥配置补充了现有的1200V SOI系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性 |
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英飞凌QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准 (2023.04.14)
追求高效率的高功率应用持续往更高功率密度及成本最隹化发展，也为电动车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞凌今日宣布其高压MOSFET适用的QDPAK和DDPAK顶部冷却（TSC）封装已成功注册为JEDEC标准 |
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ICAA：以交流平台链结产业上下游夥伴 共谋智慧新未来 (2023.03.31)
近来ChatGPT引爆科技应用的无限想像，生成式人工智慧(Generative AI)所主导的新时代翩然到来。迎合新一阶段的智慧化浪潮，智慧产业电脑物联网协会(ICAA)与大联大控股世平集团透过「智慧物联 连接未来」交流会 |
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雷射焊接溯源扩大应用 (2022.12.25)
造就其中核心的光纤/半导体雷射源及模组架构不断推陈出新。但台厂技术能量与成本竞争力仍有落差，如今则可??迎接国际节能减碳的潮流而带来转机。 |
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Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基於超过850亿小时的现场应用资料，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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MIC预测2023台湾资通讯产业十大趋势 (2022.12.14)
MIC预测2023台湾资通讯产业十大趋势
国际净零转型浪潮来袭，为协助产业掌握未来新兴趋势优化竞争力，资策会产业情报研究所（MIC）於今（14）日举行《2023年台湾资通讯产业前景》记者会，发布2023年十大趋势：
一、国际净零转型要求提高，因应国际净零规范与品牌客户要求，台厂加速净零资源投入 |
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Convergent Photonics采用艾迈斯欧司朗CoS封装蓝光雷射二极体 (2022.12.01)
艾迈斯欧司朗宣布， Convergent Photonics正在开发新型雷射器模组，将采用艾迈斯欧司朗CoS（Chip-on-submount）封装形式的新型445奈米蓝光雷射二极体，，非常适合高功率工业应用和中等功率医疗应用 |
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台湾团队创新研发隹绩 2023 ISSCC入选23篇论文抢先发表 (2022.11.15)
国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference；ISSCC）向来有IC设计领域奥林匹克大会之称，将於2023年2月19日至23日在美国旧金山举行。台湾共有23篇论文入选，不仅较2022年多8篇获选，同时创下近五年来获选论文数量最多的隹绩！展现台湾先进半导体与固态电路领域技术研发的实力斐然 |
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Qorvo推出750V SiC FET 封装D2PAK-7L提供更大灵活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣布推出采用表面贴装D2PAK-7L封装的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封装选项，Qorvo SiC FET可为车载充电器、软切换DC/DC转换器、电池充电（快速DC和工业）以及IT/伺服器电源等快速增长应用量身客制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益高功率应用提供更隹解决方案 |
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ST与MACOM射频矽基氮化??原型晶片达成技术和性能里程碑 (2022.06.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和MACOM已成功制造出射频矽基氮化??（RF GaN-on-Si）原型晶片。意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。
射频矽基氮化??为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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Diodes推出反向放电理想二极体控制器 提高保护电路效率 (2022.03.22)
Diodes公司宣布推出一款用於保护系统，免遭反向放电的理想二极体控制器产品。DZDH0401DW控制器驱动P通道MOSFET来模拟理想二极体，在高达40V的系统中，提供阻断反向电流所需的高侧导轨绝缘 |
