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意法半导体为电动车牵引变频器打造新一代碳化矽功率技术 (2024.10.08)
全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技术。这项新技术不仅满足车用及工业市场的需求，还针对电动车（EV）动力系统中的关键元件牵引变频器进行专门优化，在功率效率、功率密度及稳定性上树立全新的标竿 |
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用於快速评估三相马达驱动设计的灵活平台 (2024.09.29)
为了实现环境目标并减少排放，世界各国政府纷纷推出立法，要求提高电动马达的效率。 |
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热泵背後的技术：智慧功率模组 (2024.07.26)
热泵是一种用於制冷和供暖的多功能、高效能技术。而高品质封装技术的关键，在於能够保持出色散热性能的同时优化封装尺寸，并且不降低绝缘等级。 |
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贸泽全新综合资源中心联结工程师与EV/HEV技术未来 (2024.07.18)
推动创新产品导入（NPI）代理商贸泽电子（Mouser Electronics）透过广泛的EV/HEV资源中心探索电动和混合动力车技术的最新发展、进步与挑战。随着双向充电和车辆自动驾驶等先进技术进入市场，掌握最新潮流比以往任何时候都更加重要 |
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意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体（STMicroelectronics，ST），将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽（SiC）功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂，意法半导体将打造一个碳化矽产业园区，达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景 |
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安森美第7代IGBT模组协助再生能源简化设计并降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模组，与其他同类产品相比，该模组的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。这800 安培 (A) QDual3 模组基於新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术，带来出色的效能表现，有助於降低系统成本并简化设计 |
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智慧充电桩百花齐放 (2024.04.29)
电动车产业在经历疫情与全球竞逐净零碳排目标下已逐渐成熟，包含充电桩等客制化、模组化终端产品甚至由下而上，驱动制造业加速转型升级。 |
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挥别续航里程焦虑 打造电动车最隹化充电策略 (2024.04.29)
随着电动车持续发展，300英里成为标准，续航里程焦虑开始消散。
各国已制定不同的电动车标准，以因应不同的需求和应用。
透过实验室模拟，才是验证电动车和充电桩互通性的最隹方法 |
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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19)
近年来全球光储系统（PV-ES）市场快速增长。光储市场竞争加速，提高功率密度成为厂商得胜关键；英飞凌科技（Infineon）为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件，共同推动绿色能源发展 |
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经济部补助A+企业创新研发淬链 聚焦数位减碳及AI应用 (2024.02.15)
因应现今数位减碳及人工智慧（AI）应用需求不断增加，依经济部日前召开2024年度A+企业创新研发淬链计画第1次决审会议，共通过4项计画。
其中由世界先进拟发展全球首例化合物半导体氮化??磊晶 |
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意法半导体碳化矽技术为致瞻提升新能源汽车车载空调控制器效能 (2024.01.30)
意法半导体（STMicroelectronics；ST） 宣布与聚焦於碳化矽（SiC）半导体功率模组和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为其电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化矽（SiC）MOSFET技术 |
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意法半导体碳化矽协助理想汽车加速进军高压纯电动车市场 (2024.01.05)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）与中国新能源汽车商理想汽车签立一项碳化矽（SiC）长期供货协议，而意法半导体将为理想汽车提供碳化矽MOSFET，支援理想汽车进军高压电池纯电动车市场的策略 |
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意法半导体GaN驱动器整合电流隔离功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出首款具有电流隔离功能的氮化??（GaN）电晶体闸极驱动器，新款STGAP2GS缩小了晶片尺寸，同时降低物料清单成本，能够满足应用对宽能隙晶片的效能以及安全性和电气保护的更高需求 |
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英飞凌扩展1200V 62mm IGBT7产品组合 推出全新电流额定值模组 (2023.09.18)
英飞凌科技推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半桥和共发射极模组产品组合。模组的最大电流规格高达 800A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能 |
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Magnachip电动汽车PTC加热器用1200V和650V IGBT开始量产 (2023.09.12)
Magnachip半导体推出专为正温度系数设计的1200V和650V绝缘栅双极晶体管（IGBT）（PTC）电动汽车 （EV）加热器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的场截止沟槽技术，可提供10μs的最短短路耐受时间 |
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东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等 |
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贸泽电子2023年第二季推出近30,000项新品 (2023.07.20)
贸泽电子（Mouser Electronics）为原厂授权代理商，致力於快速导入新产品与新技术，协助超过1,200个半导体及电子元件制造商从设计链到供应链加快产品的上市速度，将新产品卖到全世界 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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英飞凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半桥驱动器IC系列 (2023.05.12)
英飞凌科技股份有限公司继推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V绝缘体上矽（SOI）三相闸极驱动器之後，现又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器IC系列的半桥配置补充了现有的1200V SOI系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性 |
