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前端射頻大廠財務與專利分析 (2020.09.10)
前端射頻模組技術直接決定無線通訊品質,隨著5G與高頻通訊演進,其重要性將越來越高,作者針對相關大廠財務與專利部分進行深入的探討分析。
RFMD針對行動WiFi市場擴展產品線 (2009.06.18)
設計及製造高效能半導體零組件廠商RF Micro Devices, Inc.宣佈擴展該公司的WiFi產品陣容,以包括四款新切換器和切換器/低雜訊放大器產品:RF5500、RF5501、RF5510和RF5511。新前端解決方案系列專門設計以因應行動WiFi應用中高效能和持續減小尺寸的需求,包括蜂巢式手機、個人導航裝置(PND),數位相機和MP3播放器
RFMD針對新興市場手機發表2G雙頻傳輸模組 (2009.03.02)
設計及製造半導體零組件廠商RF Micro Devices,Inc.(RFMD)發表雙頻(EGSM900/DCS1800或GSM850/PCS1900)GSM/GPRS RF716x系列傳輸模組。RF716x產品系列專門設計以符合新興市場手機的前端要求,其擁有更小的解決方案尺寸、更高的效率及強固的ESD保護
RFMD推出兩款3G開關濾波器模組 (2009.03.02)
設計及製造半導體零組件廠商RF Micro Devices,Inc.(RFMD)宣佈跨足蜂巢式開關濾波器模組市場。RFMD發表的開關濾波器模組RF1194和RF1195,專門設計以應用於多頻、多模3G手機。兩款SFM均運用RFMD POLARIS無線電解決方案所展現之高量能蜂巢式開關技術與濾波器整合能力,與RFMD經驗證的GaAs製造專業
RFMD發表PowerStar雙頻GSM/GPRS傳輸模組 (2008.02.22)
RF Micro Devices,Inc.發表RF4180 PowerStar雙頻GSM/GPRS傳輸模組。RFMD的RF4180專為降低前端複雜性而設計,並能滿足今日新興市場手機的價格及效能需求。 RF4180 PowerStar傳送模組運用RFMD之工藝等級電源控制能力,提供更小的方案尺寸、簡化的傳輸器設計、最佳諧波且容易建置
RFMD推出內建RF屏蔽的MicroShield (2008.02.21)
RF Micro Devices近日發表專利申請中、內建RF屏蔽技術的MicroShield。RFMD整合RF屏蔽技術的MicroShield,藉由將RF屏蔽直接內建於RFIC或模組中,去除大體積和昂貴外部屏蔽元件的需求
RFMD宣佈供貨3G傳輸系統 (2008.02.21)
RF Micro Devices宣佈開始供貨RF6280 3G傳輸系統,此為一專為簡化和加速多頻帶和多模式3G手機和行動裝置平台之建置而設計的彈性3G多重模式解決方案。 RFMD的RF6280 3G傳輸系統可支援所有主要WCDMA頻帶,內建一個能根據搭配一個或兩個可用功率放大器選配元件,RF6281和/或RF6285來進行最佳化的前端電源管理IC
RFMD發表致能行動裝置定位服務的定位解決方案 (2008.02.21)
RF Micro Devices發表針對全球定位系統(GPS)應用的RF8000系列定位解決方案。RFMD的高整合性、低功耗 RF8000系列定位解決方案具備軟體、系統單晶片(SoC)架構,並專為能源敏感度高的行動裝置致能定位服務而設計
RFMD的EDGE功率放大器支援Huawei3G多模手機 (2007.12.12)
設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球廠商RF Micro Devices,Inc.宣佈其正以RF3161四頻大訊號極性調變(LSPM)EDGE功率放大器(PA)模組,支援Huawei的U120E 3G多模(UMTS/EDGE)手機生產
RFMD發表RF高功能整合之新致能技術 (2007.11.26)
RF Micro Devices發表由RFMD所研發的新技術,以於RF應用中達到最高的功能整合性。此新技術包括密封式晶圓等級封裝(WLP)、微機電系統(MEMS)、整合式順形屏蔽、氮化鎵(GaN)、GaAs E/D pHEMT及GaAs BiFET
RFMD擴充標準RF零組件內容提供RF切換器系列 (2007.11.23)
RF Micro Devices宣佈其最新成立的多重市場產品事業群(MPG)將為該公司的標準RF零組件產品組合新增RF切換器系列產品。此產品擴展將發揮RFMD日漸成長的內部pHEMT製造業能力,並延伸由RFMD蜂巢式產品事業群(CPG)所驅動,於pHEMT切換器之領導地位
RFMD發表MEMS技術 (2007.11.23)
設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球廠商RF Micro Devices,Inc.發表其用於RF和其它應用的專利微機電系統, 或稱MEMS技術。RFMD是針對低成本、整合性RF應用("RF MEMS")研發MEMS技術的先驅自2004年以來,並相當積極投入MEMS技術的商品化
RFMD完成第一代氮化鎵製程技術資格審核 (2007.11.22)
RF Micro Devices宣佈已完成第一代48V氮化鎵(GaN)製程技術之技術資格審核。該公司發揮其既有的製造資產及於高量能複合式半導體設計與製造的經驗證專業,提供其新GaN製程之絕佳熱及RF效能
RFMD出貨第一億個POLARIS RF解決方案 (2007.11.22)
RF Micro Devices宣佈已出貨第一億個POLARIS TOTAL RADIO RF解決方案。RFMD為蜂巢式RF解決方案之供應商。 RFMD總裁暨執行長Bob Bruggeworth表示:「第一億個POLARIS RF解決方案的出貨里程碑,是在我們開始出貨第一款RF解決方案-POLARIS 1約3年後
RFMD成立多重市場產品事業群 (2007.11.21)
設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球廠商RF Micro Devices,Inc.繼成功完成對Sirenza Microdevices Inc.之合併案後,現在宣佈將成立多重市場產品事業群(MPG)。MPG將由Sirenza前總裁暨執行長Bob Van Buskirk領導,其將加入蜂巢式手機產品事業群(CPG),該事業群由Eric Creviston領導,並隸屬於RFMD總裁暨執行長Bob Bruggeworth
RFMD針對化合物半導體的成長需求宣布擴產 (2007.10.04)
針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商RF Micro Devices,Inc.宣佈計劃擴展其化合物半導體之製造產能,以支援該公司蜂巢式及多重市場產品事業群的成長預期
Digi-Key與RF Micro Devices簽署全球經銷協定 (2007.08.31)
Digi-Key Corporation宣佈與RF Micro Devices, Inc.簽署一項全球經銷協定。RFMD為一家針對驅動行動通訊應用,而設計及製造高效能無線電系統及解決方案的廠商。RFMD的功率放大器、轉換模組、蜂巢式收發器及系統單晶片(SOC)解決方案致能了全球的行動應用
RFMD併購Sirenza Microdevices (2007.08.20)
針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球廠商RF Micro Devices,Inc.及RF元件供應商Sirenza Microdevices宣布簽署最終合併協議。 相關內容摘要: 1. 將加速RFMD對於多重高成長市場的進入能力 2
RFMD攀升至全球RF供應商第一名 (2007.08.02)
北卡羅萊納州GREENSBORO針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商RF Micro Devices,Inc.宣佈,Gartner, Inc.已根據RFMD於2006年的全球9.33億營收,將其定義為全球排名第一的選擇性RF元件供應商
RFMD量產POLARIS3 RF系統解決方案 (2007.07.30)
RF Micro Devices宣佈其已開始量產POLARIS3 TOTAL RADIO RF系統解決方案,以因應客戶訂單需求。RFMD的POLARIS 3是一項完全整合的四頻EDGE RF解決方案,其能提供RF功效。POLARIS 3的商業出貨預計將於2007年9月季度開始,而POLARIS 3的量產,也預期將增加其2008年的整體出貨量


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