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GaN与SiC如何解开AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI这个由矽晶片与光纤交织成的虚拟未来里，人类文明的疯狂演进，最终依赖的依然是我们管理电子的能力。每一分转换效率的提升，每一微秒的故障隔离，背後都是无数工程师与半导体材料的生死搏斗
MIT成功以单晶片钻石薄膜大幅提升GaN晶体管散热效能 (2026.06.09)
随着6G通讯技术与卫星通讯硬体向更高频段、高功率方向演进，次世代半导体元件的热管理正逼近物理极限。麻省理工学院（MIT）研究团队日前发表一项技术突破，成功在氮化??（GaN）高功率晶体管顶部，成功生长出超薄的「单晶钻石」薄膜层
AI如何成为交通系统的操作核心 (2026.06.09)
交通系统向城市操作系统（City OS）的转型，实质上是人类社会走向「智慧社会」的缩影，许多厂商的努力，让一个安全、高效、且具备高度韧性的移动生态已然具备雏形
中研院与东大携手研发新型光电元件发光强度增强46倍 (2026.06.08)
(圖一) 中研院应用科学研究中心吕宥蓉??研究员（第1排左3）成功开发以「氮化??（HfN）」表面电浆子闸极调控二维半导体发光的新型元件设计。 中央研究院应用科学研究中心吕宥蓉??研究员与日本东京大学童俊智教授团队合作，成功开发以「氮化??（HfN）」表面电浆子闸极调控二维半导体发光的新型元件设计
12V极限与48V革命的必然性 (2026.06.08)
AI功耗大爆炸。这是一场人类在追求极致智慧的道路上，与物理学、材料学进行的正面遭遇战。
Power Integrations超薄型PSU设计 适用於800VDC AI资料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高压能效电源转换整合晶片商Power Integrations今（1）日推出两款专为800VDC AI资料中心打造的新款超薄紧凑型辅助电源供应器（PSU）叁考设计，首度采用高度整合、耐1700V额定电压的PowiGaN单一HEMT IC，强调可节省空间、简化系统架构、提升可靠性并减少BOM零件数，实现最高达88%效率
宏正获亚洲市场??注营收 COMPUTEX将解锁AI协作控制中心与机柜 (2026.05.29)
受惠於全球AI需求持续畅旺、资本支出与消费成长回温，宏正自动科技近日揭晓财务表现，於今年1~4月累计合并营收达17.33 亿元，获亚洲市场??注成长动能，更创下4月单月历史新高
专为可携式电源而设计： 英飞凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可缩减82%的占板面积 (2026.05.28)
全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步扩展了其CoolGaN BDS 40 V G3双向开关（BDS）系列，推出了两款新产品：IGK048B041S和IGK120B041S
Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，支援 AI 资料中心固态变压器应用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，专为加速 AI 超大规模资料中心与其他高电压电力应用导入固态变压器（Solid-State Transformer, SST）而设计。新模组於业界标准 62 mm 封装中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 与萧特基二极体，可实现从中压电网直接向伺服器机柜提供高效率电力传输
德州仪器：AI算力物理限制已到 800V高压直流供电成唯一解方 (2026.05.19)
德州仪器（TI）美国总部算力技术专家 Pradeep S. Shenoy 在受访时直言，AI 晶片对电力的索求正以惊人的几何级数??升。
加速AI推进 应材携手台积电与记忆体巨头布局次世代晶片 (2026.05.18)
应用材料发布 2026 会计年度第二季财报，不仅季营收创下 79.1 亿美元历史新高，更预期今年半导体设备业务将超过 30% 成长。
英飞凌半导体技术在Artemis II太空任务中展现可靠性 (2026.04.16)
美国太空总署 (NASA) 的阿提米丝二号 (Artemis II) 任务在完成为期十天的太空飞行後成功返回地球。此次任务中不仅完成绕月飞行，还创下了载人太空船距离地球最远的飞行纪录
应用材料推出沉积系统 符合埃米级AI晶片需求 (2026.04.14)
迎合现今AI运算需求急速攀升，半导体产业正不断突破微缩极限，致力於提升处理器晶片中数千亿个电晶体的能源效率表现。应用材料公司近日也新推出2款晶片制造系统，透过原子级的精度控制材料沉积，协助晶片制造商打造更快速、节能的电晶体，以支持全球AI基础建设的扩张
先进制造布局 半导体与工具机的共生演进 (2026.04.08)
随着2026年生成式AI正式由云端大模型（Cloud AI）转向更具即时性、隐私性的地端代理人（Agent AI）与物理人工智慧（Physical AI），全球对於算力的定义正在发生质变。
力积电携手法国CEA机构 打造整合RISC-V与矽光子3D堆叠AI晶片 (2026.04.05)
力积电（PSMC）宣布，将与法国原子能署（CEA）旗下两大研究机构CEA-Leti与CEA-List展开战略合作。双方将结合RISC-V架构与Micro LED矽光子技术，导入力积电现有的3D堆叠与中介层（Interposer）平台，为次世代AI系统提供具备高频宽通讯与高效能运算的解决方案
力积电携手法国CEA机构 打造整合RISC-V与矽光子3D堆叠AI晶片 (2026.04.05)
力积电（PSMC）宣布，将与法国原子能署（CEA）旗下两大研究机构CEA-Leti与CEA-List展开战略合作。双方将结合RISC-V架构与Micro LED矽光子技术，导入力积电现有的3D堆叠与中介层（Interposer）平台，为次世代AI系统提供具备高频宽通讯与高效能运算的解决方案
Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项
Microchip 发表 BZPACK mSiC 功率模组，专为严苛环境中的高要求应用而设计 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模组，专为符合严格的高湿度、高电压、高温反向偏压（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）标准而设计。BZPACK 模组可提供卓越的可靠性、简化制造流程，并为最严苛的电力转换环境提供多样化的系统整合选项
英飞凌推出超低杂讯XENSIV TLE4978混合式霍尔与线圈电流感测器， 为新一代电力系统提供助力 (2026.04.02)
全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出TLE4978系列无芯隔离式磁电流感测器，进一步扩展其XENSIV感测器产品组合
英飞凌推出超低杂讯XENSIV TLE4978混合式霍尔与线圈电流感测器， 为新一代电力系统提供助力 (2026.04.02)
全球电源系统和物联网领域半导体领导者英飞凌科技股份有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出TLE4978系列无芯隔离式磁电流感测器，进一步扩展其XENSIV感测器产品组合


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