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台积电推出自动化FlashROM服务 (2001.04.11)
台积电今(10)日宣布推出业界首见的自动化快闪式只读存储器(FlashROM)服务，用以支持其嵌入式闪存(EmbFlash()制程技术。藉由这项崭新的FlashROM技术，台积公司可协助其EmbFlash客户将芯片内的闪存自动转换为罩幕式内存 ("mask-based" ROM; MROM)，以降低制造成本，并加速产品进入量产之时程 |
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Altera与台积电合作推出12吋PLD晶圆产品 (2001.03.14)
可程序逻辑组件大厂Altera与台积电今(14)日共同宣布利用0.18微米制程技术在十二吋晶圆上成功开发出APEX(EP20K400E产品。
Altera是可程序逻辑组件(PLD)业界的领导厂商，使用台积电提供的十二吋晶圆专业制造服务完成新产品开发，并将于今年内进行量产 |
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台积电推出0.35微米BiCMOS制程技术 (2001.03.01)
台积电3月1日宣布，领先业界推出0.35微米双载子互补式金氧半导体(BiCMOS)制程技术供客户进行产品设计，此项技术为客户的高速、低噪声及低功率的通讯及无线产品提供了极佳的解决方案 |
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又有三家台积电客户成功试产出0.13微米晶圆 (2000.12.19)
台积电19日宣布再为另外三家客户成功试产出0.13微米制程晶圆产品。在数家于台积电投片生产0.13微米制程晶圆产品的客户当中，有二家客户已完成产品测试，其他客户则正进行晶粒测试，这些客户均是微处理器、个人计算机及通讯市场上的技术先驱 |
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台积电提供0.18微米混合信号及射频金氧半导体制程技术 (2000.08.08)
台积电(TSMC)宣布，该公司率先为客户提供0.18微米混合信号以及射频金氧半导体(mixed signal/RF CMOS)制程。台积电表示，其实该公司之混合信号(mixed mode)制程早已为客户量产多时，此次再成功结合射频CMOS制程，除了第一个商品化产品预计于今年9月上市外，初期测试芯片已经成功嵌入了频率高达2.4GHz之电压控制振荡器(VCO)及低噪声放大器(LNA) |
