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意法半导体突破20奈米技术屏障 提升新一代微控制器成本竞争力 (2024.03.28)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出了一项18奈米完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技术并整合嵌入式相变记忆体（ePCM）的先进制程，支援下一代嵌入式处理器进化升级 |
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ST和格罗方德将在法国建12寸晶圆厂 推动FD-SOI生态系统建设 (2022.07.14)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）和格罗方德（GlobalFoundries）宣布，双方签署了一份合作备忘录，在意法半导体现有的法国Crolles晶圆厂附近，建立一个新的12寸晶圆联营厂 |
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TrendForce : 2018 年DRAM产业供给成长低点，延续供给吃紧走势 (2017.09.19)
随着时序已近2017年第四季，三大DRAM厂已陆续在下半年召开针对明年产能规划的年度战略会议，根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)的调查，2018年各DRAM厂的资本支出计画皆倾向保守 |
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新一波量产启动 三星恐失记忆体霸主地位 (2017.07.27)
记忆体的货源短缺，正直接带动整体半导体市场的荣景。而记忆体厂商抬高DRAM和NAND的价格，也使其营收和获利随之成长。身为全球记忆体大厂的三星电子(Samsung Electronics)一手主导记忆体的市场价格，正是涨价背後的真正推手 |
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TrendForce：LPDDR4X成为2017年行动式记忆体供货主流 (2017.05.08)
TrendForce记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新研究显示，为优化智慧型手机的作业系统流畅度，厂商不断升级行动式记忆体版本。在三星、SK海力士及美光集团三大原厂的奈米制程转进及智慧型手机主流AP（应用处理器）的搭载需求下 |
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TrendForce：第二季伺服器用记忆体供给仍有缺口，估价格涨幅逾10% (2017.04.18)
Trendforce记忆体储存研究（DRAMeXchange）最新研究显示，伺服器用记忆体供给持续吃紧，且仍有供给缺口未能完全满足需求。其中原厂对LTA（Long Term Agreement）伺服器制造商的平均出货达成率下滑至约八成，显示供给缺口仍有两成未能满足，甚至对其余中国与台湾ODM厂的出货达成率下滑至六成左右 |
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供过于求 DRAM产值持续衰退 (2016.02.15)
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，2015年第四季全球DRAM总产值为102.7亿美元，季衰退9.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示 |
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这么快，做什么？ (2009.06.22)
根据市场研究公司iSuppli于6/16所发表的一份报告指出，受制于芯片生产成本高涨的因素，摩尔定律很可能在2014年就开始失效。
iSuppli表示，芯片制程从20奈米到18奈米之间，摩尔定律依然有效，旦至18奈米之后，摩尔定律可能就要失效了 |
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摩尔定律将在2014年失效？市场看法不一 (2009.06.17)
市场研究公司iSuppli于周二（6/16）发表一份报告指出，受制于芯片生产成本高涨的因素，摩尔定律很可能在2014年就开始失效。
iSuppli表示，芯片制程从20奈米到18奈米之间，摩尔定律依然有效，旦至18奈米之后，摩尔定律可能就要失效了 |
