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ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」 |
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ROHM推出内建1700V SiC MOSFET小型表面封装AC/DC转换IC (2021.06.17)
随着节能意识的提高，在交流400V工控装置领域，与现有的Si功率半导体相比，SiC功率半导体支援更高电压，且更节能、更小型，因此相关应用也越来越广泛。另一方面，工控装置中 |
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ROHM推出内建1700V SiC MOSFET小型表面封装AC/DC转换IC (2021.06.17)
随着节能意识的提高，在交流400V工控装置领域，与现有的Si功率半导体相比，SiC功率半导体支援更高电压，且更节能、更小型，因此相关应用也越来越广泛。另一方面，工控装置中 |
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中国高斯宝采用科锐SiC电晶体 提升伺服器电源效率 (2021.06.13)
科锐公司(Cree)宣布，中国高斯宝电气（Gospower）将在其次代通用备援电源(CRPS)解决方案中，采用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半场效电晶体(MOSFET)，来提高电源效率。
科锐指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透过低开关和导通损耗提供高效率，并具有高功率密度的特点，包括更小的体积、更轻的重量和更少的元件数 |
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中国高斯宝采用科锐SiC电晶体 提升伺服器电源效率 (2021.06.13)
科锐公司(Cree)宣布，中国高斯宝电气（Gospower）将在其次代通用备援电源(CRPS)解决方案中，采用Wolfspeed 650V碳化矽金氧半场效电晶体(MOSFET)，来提高电源效率。
科锐指出，Wolfspeed的650V碳化矽MOSFET透过低开关和导通损耗提供高效率，并具有高功率密度的特点，包括更小的体积、更轻的重量和更少的元件数 |
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Silicon Labs推出Si828x版本2 优化SiC FET驱动效能 (2021.05.18)
增加Si828x版本2，使该产品系列能更有效驱动碳化矽(SiC)场效电晶体(FET)闸极，进而满足半桥和全桥逆变器以及电源供应不断成长的市场需求，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗 |
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Silicon Labs推出Si828x版本2 优化SiC FET驱动效能 (2021.05.18)
增加Si828x版本2，使该产品系列能更有效驱动碳化矽(SiC)场效电晶体(FET)闸极，进而满足半桥和全桥逆变器以及电源供应不断成长的市场需求，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗 |
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英飞凌与日本昭和电工签约 稳固SiC产品材料供应 (2021.05.11)
英飞凌科技宣布，已与日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化矽材料(SiC)。英飞凌因此可获得更多基材，满足对SiC产品日益渐增的需求。
(圖一)英飞凌与昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化矽材料(SiC) |
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英飞凌与日本昭和电工签约 稳固SiC产品材料来源 (2021.05.11)
英飞凌科技宣布已与日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化矽材料(SiC)。英飞凌因此可获得更多基材，满足对SiC产品日益渐增的需求。SiC可提供高效率与强固的功率半导体，尤其专注於光电、工业电源供应器和电动车充电基础设备等领域 |
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UnitedSiC发布线上功率设计工具 加速找出理想SiC FET方案 (2021.03.16)
碳化矽（SiC）功率电晶体制造商UnitedSiC推出FET-Jet Calculator，这是一款免费注册的简单线上工具，能方便设计人员为不同功率应用和拓扑结构选择器件和比较器件在其中的效能 |
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UnitedSiC发布线上功率设计工具 加速找出理想SiC FET方案 (2021.03.16)
碳化矽（SiC）功率电晶体制造商UnitedSiC推出FET-Jet Calculator，这是一款免费注册的简单线上工具，能方便设计人员为不同功率应用和拓扑结构选择器件和比较器件在其中的效能 |
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华域三电与ROHM成立技术联合实验室 加重投入车电功率元件开发 (2021.03.11)
中国汽车空调制造商华域三电（Sanden Huayu Automotive Air-Conditioning Co., Ltd.）与半导体制造商ROHM在位於中国上海的华域三电总部成立了「技术联合实验室」，并於2021年1月举行了启用仪式 |
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深化车电功率元件开发 华域三电与ROHM成立技术联合实验室 (2021.03.11)
中国汽车空调制造商华域三电（Sanden Huayu Automotive Air-Conditioning .）与半导体制造商ROHM在位於中国上海的华域三电总部成立了「技术联合实验室」，并於2021年1月举行了启用仪式 |
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科锐推出新系列SiC功率模组 助电动车快充和太阳能加速量产 (2021.01.21)
碳化矽技术大厂科锐(Cree)宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模组，扩展其解决方案，提升电动车快速充电、可再生能源、储能和各种工业电源应用的性能。通过采用1200V Wolfspeed MOSFET技术，该新型模组成功在简单易用的封装内实现效率最隹化，帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好、效率和性能皆显着提升的电源系统 |
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科锐推出新系列SiC功率模组 助电动车快充和太阳能加速量产 (2021.01.21)
碳化矽技术大厂科锐(Cree)宣布推出Wolfspeed WolfPACK功率模组，扩展其解决方案，提升电动车快速充电、可再生能源、储能和各种工业电源应用的性能。通过采用1200V Wolfspeed MOSFET技术，该新型模组成功在简单易用的封装内实现效率最隹化，帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好、效率和性能皆显着提升的电源系统 |
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扩大SiC功率元件产能 ROHM Apollo环保新厂房完工 (2021.01.13)
面对全球的能源短缺问题，节能将是开发未来电子元件的重要考量，尤其在电动汽车与工业4.0领域，SiC SBD与SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成为电动车和工业装置的关键元件 |
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扩大SiC功率元件产能 ROHM Apollo环保新厂房完工 (2021.01.13)
面对全球的能源短缺问题，节能将是开发未来电子元件的重要考量，尤其在电动汽车与工业4.0领域，SiC SBD与SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成为电动车和工业装置的关键元件 |
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Cree|Wolfspeed：SiC将在电动公共汽车市场高速成长 (2021.01.12)
碳化矽(SiC)技术正在渗入电动公共汽车市场。技术开发商Cree|Wolfspeed功率产品市场与应用高级总监Guy Moxey先生表示：「从全球的角度来看，纯电动汽车(BEV)预计在2025年将占汽车产量的7% |
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报告：SiC将在电动公共汽车市场高速成长 (2021.01.12)
碳化矽(SiC)技术正在渗入电动公共汽车市场。技术开发商Cree|Wolfspeed功率产品市场与应用高级总监Guy Moxey先生表示：「从全球的角度来看，纯电动汽车(BEV)预计在2025年将占汽车产量的7% |
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太克第二代IsoVu隔离式示波器探棒 满足宽能隙材料电源设计需求 (2020.12.11)
太克公司（Tektronix）今天宣布推出其第二代IsoVu隔离式示波器探棒TIVP系列，不仅尺寸更小、使用方式更简便，电气效能也显着提升，是2016年推出突破性的探棒产品之後，在效能方面的再度跃进，将隔离式探棒技术的应用范围扩展至整个电源系统设计市场 |
一个想要满足于不同市场需求的通用型Bus标准界面，能否在不断升级传输速度及加大带宽之外，达到速度、容量、质量等多元整合、提升效能为一体的愿望？
