 |
欧洲高能效功率芯片项目成果斐然 (2013.05.28)
欧洲奈米电子行动顾问委员会（ENIAC）联盟（JU）日前公布为期三年的LAST POWER项目开发成果。此项目于2010年4月启动，目标在于研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术，聚集了宽能隙功率半导体组件（Wide Bandgap Power Semiconductor）领域的民营企业、大学和公共研究中心 |
 |
欧洲高能效功率晶片专案成果斐然 (2013.05.28)
欧洲奈米电子行动顾问委员会（ENIAC）联盟（JU）日前公布为期三年的LAST POWER专案开发成果。此专案於2010年4月启动，目标在於研发高成本效益且高可靠性的功率电子技术，聚集了宽能隙功率半导体元件（Wide Bandgap Power Semiconductor）领域的民营企业、大学和公共研究中心 |
|
Tektronix：提高能源效率是数字时代的趋势与挑战 (2013.03.20)
随着数字时代极速的更迭，无线技术已经充斥应用在我们日常生活之中，市场预估2020年网络的行动装置数量将达到500亿台，而全球无线配件市场更将从2011的340亿美元，于2015年可望成长到502亿美元 |
|
Tektronix：提高能源效率是数位时代的趋势与挑战 (2013.03.20)
随着数位时代极速的更迭，无线技术已经充斥应用在我们日常生活之中，市场预估2020年网路的行动装置数量将达到500亿台，而全球无线配件市场更将从2011的340亿美元，於2015年可??成长到502亿美元 |
 |
英飞凌推出第三代SiC萧特基二极管 (2009.02.20)
功率半导体暨碳化硅（SiC）萧特基二极管供货商英飞凌科技在美国华盛顿特区举办之应用电力电子研讨会暨展览会（APEC）上宣布推出第三代thinQ! SiC萧特基二极管。全新thinQ!二极管拥有低装置电容，适用于所有电流额定值，在更高的切换频率以及轻负载的情况下，更能提升整体系统效率，有助于降低整体电源转换的系统成本 |
|
英飞??推出第三代SiC萧特基二极体 (2009.02.20)
功率半导体暨碳化矽（SiC）萧特基二极体供应商英飞凌科技在美国华盛顿特区举办之应用电力电子研讨会暨展览会（APEC）上宣布推出第三代thinQ! SiC萧特基二极体。全新thinQ!二极体拥有低装置电容，适用於所有电流额定值，在更高的切换频率以及轻负载的情况下，更能提升整体系统效率，有助於降低整体电源转换的系统成本 |
|
2015年SiC市场规模将达2.7亿美元 (2007.11.13)
日本矢野经济研究所发表了SiC（碳化矽）及GaN等电子元件单晶片市调报告。该单位指出，wide gap半导体用单晶片以及非线形光学晶体，多未达到实用和量产水准。往後市场可??增加的是SiC以及GaN等 |
|
2015年SiC市场规模将达2.7亿美元 (2007.11.13)
日本矢野经济研究所发表了SiC（碳化硅）及GaN等电子组件单芯片市调报告。该单位指出，wide gap半导体用单芯片以及非线形光学晶体，多未达到实用和量产水平。往后市场可望增加的是SiC以及GaN等 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
