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UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注於碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最隹的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
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UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
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应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品，协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求 |
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应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品，协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求 |
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联华电子与颀邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及颀邦科技董事会今日分别通过股份交换案，联华电子及颀邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产晶片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的晶片设计需求，所提供方案横跨14奈米到0 |
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联华电子与??邦科技 经股份交换建立策略合作关系 (2021.09.06)
联华电子、宏诚创投(联电持股100%子公司)及??邦科技董事会今日分别通过股份交换案，联华电子及??邦科技两家公司将建立长期策略合作关系。
联电以先进制程技术提供晶圆制造服务，为IC产业各项应用产品生产晶片，并且持续推出尖端制程技术及完整的解决方案，以符合客户的晶片设计需求，所提供方案横跨14奈米到0.6微米之制程技术 |
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盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品—Ultra ECP GIII电镀设备，以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔制程中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率 |
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盛美发布首台晶圆级封装和电镀应用电镀设备 (2021.08.31)
盛美半导体设备发布了新产品Ultra ECP GIII电镀设备，以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化??(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔制程中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 於美国时间8月25日宣布已达成最终协定，根据该协定，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立於 1994 年，在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
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拓展碳化矽实力 安森美将收购GT Advanced (2021.08.26)
安森美(onsemi)和碳化矽 (SiC) 生产商GT Advanced Technologies (「GTAT」) 于美国时间8月25日宣布已达成最终协定，根据该协定，安森美将以4.15亿美元现金收购GTAT。
GTAT 成立于 1994 年，在包括 SiC 在内的晶体成长方面拥有丰富的经验 |
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边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中，尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之后，各种机器与设备的资料和数据，就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中，直接推升了各个领域对于伺服器的建置需求 |
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边缘运算推升伺服器需求 英飞凌让电源供应器更小更有效率 (2021.08.15)
全球的数据量正在加速爆走中，尤其是物联网和边缘运算应用被逐步导入市场之後，各种机器与设备的资料和数据，就日夜不停地被记录与传送到云端资料中心与伺服器之中，直接推升了各个领域对於伺服器的建置需求 |
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意法半导体制造首批8吋碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋（200mm）碳化矽（SiC）晶圆，这些晶圆将用于生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功 |
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意法半导体制造首批8寸碳化矽晶圆 (2021.08.13)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8寸（200mm）碳化矽（SiC）晶圆，这些晶圆将用於生产下一代功率电子晶片产品原型。将SiC晶圆升级到8寸代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计画获得重要阶段性的成功 |
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吉利汽车与ROHM缔结碳化矽战略合作 加速汽车领域技术创新 (2021.08.08)
中国汽车制造商吉利汽车集团与ROHM缔结了战略合作夥伴关系，将共同致力於汽车领域的先进技术开发。近日，双方举行了战略合作协定的线上签约仪式。吉利董事长安聪慧与ROHM董事长松本功均出席了该签约仪式 |
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Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。
Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品 |
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Microchip推出耐固性最强的碳化矽功率解决方案 取代矽IGBT (2021.07.28)
Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。
(圖一)
Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化??(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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科锐携手迈凌科技 实现新型超宽频5G技术 (2021.07.14)
科锐 (Cree, Inc.,)宣布，与美商迈凌科技(MaxLinea)成功合作，结合科锐 Wolfspeed碳化矽基氮化镓(GaN-on-SiC)中频功率放大器，和美商迈凌科技超宽频线性化解决方案(MaxLin)，增加了 5G 基地台的无线容量，可支援更多人同时使用，并且提高了资料传输速度 |
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ROHM内建SiC二极体IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」 损耗减少67% (2021.07.13)
半导体制造商ROHM开发出650V耐压、内建SiC萧特基二极体的IGBT（Hybrid IGBT）「RGWxx65C系列」（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准「AEC-Q101」 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
