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Littelfuse SiC萧特基二极体降低能源成本和空间要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247萧特基二极体和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263萧特基二极体，扩充其碳化矽电源半导体产品组合。
相比矽二极体，GEN2碳化矽萧特基二极体可显着降低开关损耗，并大幅提高电力电子系统的效率和可靠性 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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Wolfspeed最新1200V SiC MOSFET 促进电动车市场发展 (2018.06.26)
科锐旗下Wolfspeed於近日宣布推出最新第三代1200V碳化矽SiC MOSFET系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
这一开关元件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位 |
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英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
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英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
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美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
(圖一)美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装，实现高电流、高开关频率和高效率 |
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美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二极体产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 萧特基势垒二极体(SBD)和相应的裸晶片 |
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ROHM於福冈增建新厂房 扩大SiC功率元件产能 (2018.04.19)
半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑後工厂增建新厂房，以因应日渐升高的SiC功率元件生产需求。
该新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000平方米 |
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ROHM於福冈增建新厂房 扩大SiC功率元件产能 (2018.04.19)
半导体制造商ROHM决定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）的筑後工厂增建新厂房，以因应日渐升高的SiC功率元件生产需求。
(圖一)福冈新厂照。
该新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000平方米 |
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ADI与Microsemi推出用於 SiC功率模组的高功率隔离闸极驱动器板 (2018.03.07)
亚德诺(ADI)与Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半桥SiC功率模组的高功率评估板，该评估板在200kHz开关频率时可提供最高1200V电压及50A电流。隔离板旨在提高设计可靠性，同时减少创建额外原型的需求，为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时程 |
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ADI与Microsemi推出用於 SiC功率模组的高功率隔离闸极驱动器板 (2018.03.07)
亚德诺(ADI)与Microsemi Corporation近日共同推出首款用於半桥SiC功率模组的高功率评估板，该评估板在200kHz开关频率时可提供最高1200V电压及50A电流。隔离板旨在提高设计可靠性，同时减少创建额外原型的需求，为电源转换和储能客户节省时间、降低成本并缩短上市时程 |
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化合物半导体技术升级 打造次世代通讯愿景 (2017.08.24)
2016 年至 2020 年 GaN 射频元件市场复合年增长率将达到4%，如何积极因应此一趋势，善用本身优势布局市场，将是台湾半导体产业这几年的重要课题。 |
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扩增全碳化矽功率模组阵容 协助高功率应用程序 (2017.05.17)
ROHM使用新研究封装在IGBT模组市场中成功扩增涵盖100A到600A等主要额定电流范围的全SiC模组阵容，可望进一步扩大需求。 |
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东芝推出第二代650V碳化矽萧特基位障二极体 (2017.01.23)
东芝半导体与储存产品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。 8个碳化矽萧特基位障二极体的新产品线也即将出货 |
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东芝推出第二代650V碳化矽萧特基位障二极体 (2017.01.23)
东芝半导体与储存产品公司宣布推出第二代650V碳化矽(SiC)萧特基位障二极体(SBDs)，该产品提升了公司现行产品的涌浪顺向电流(IFSM)约70%。8个碳化矽萧特基位障二极体的新产品线也即将出货 |
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东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体 (2017.01.13)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD)，该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动 |
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东芝推出第二代650V碳化矽肖特基势垒二极体 (2017.01.13)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基势垒二极体(SBD)，该二极体将该公司现有产品所提供的顺向浪涌电流(IFSM)提高了约70%。新系列八款碳化矽肖特基势垒二极体出货即日启动 |
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[专栏]GaN、SiC功率元件带来更轻巧的世界 (2016.08.10)
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板 |
为了整合电子位信息交换的共同标准，统一全球各国分歧殊异的文字符号，独霸全球字符编码标准，ASCII与Unicode的分分合合就此展开........
