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CTIMES / 内存/储存管理
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研究网络工程的团队 - IETF

IETF是Internet Engineering Task Force (国际网络工程研究团队)是一个开放性的国际组织,其作用在于汇集网络设计师、网络操作员、网络厂商,以及研究人员共同研发改进网络的工程架构与建立起一个平稳的网络环境。
美光科技推出第三代低延迟内存RLDRAM (2010.07.15)
美光科技 (Micron) 于昨(14)日宣布,推出第三代低延迟DRAM 内存(RLDRAM 3),其为一种新高带宽内存技术,能更有效率的传输网络信息。 现今影像内容、行动应用和云端计算不断演进
甲骨文强化整合式储存系统产品系列 (2010.07.14)
甲骨文日前发表Sun Storage 7000整合式储存系统产品系列重大升级,强化甲骨文领先业界的整合式储存产品组合。升级功能包括可与同步数据压缩功能整合的同步重复数据删除(inline data deduplication),支持4 Gbit/sec和8 Gbit/sec光纤信道协议;多个储存池(storage pools),以及新的1 TB和2 TB SAS磁盘驱动器,倍增最大系统容量为576 TB
甲骨文强化整合式储存系统产品系列 (2010.07.14)
甲骨文日前发表Sun Storage 7000整合式储存系统产品系列重大升级,强化甲骨文领先业界的整合式储存产品组合。升级功能包括可与同步数据压缩功能整合的同步重复数据删除(inline data deduplication),支持4 Gbit/sec和8 Gbit/sec光纤信道协议;多个储存池(storage pools),以及新的1 TB和2 TB SAS磁盘驱动器,倍增最大系统容量为576 TB
PMC-Sierra推出新款maxRAID适配器 (2010.07.12)
PMC-Sierra日前宣布,其maxRAID Storage Manager和BR5225-80 RAID适配器成为通过全球网络存储工业协会(SNIA)符合性测试计划(CTP)中针对存储管理计划1.4版规范(Storage Management Initiative Specification(SMI-S)version 1.4)供货商标准测试的PCIe解决方案
Super Talent推出USB 3.0随身碟 (2010.07.06)
Super Talent日前宣布,推出新款USB 3.0 FLASH RAIDDrive储存解决方案,此为第一款采用USB 3.0接口之USB 3.0精品随身碟,相较于USB2.0接口,其效能可有效提升10倍以上,读取速度最高可达320MB/s,写入速度最高可达180MB/s,并内建64MB Cache缓冲存储器
立锜签定Virage Logic AEON MTP系列 (2010.05.31)
立锜科技(Richtek)已签定Virage Logic的AEON MTP(Multi-time Programmable)系列非挥发性内存 (non-volatile memory; NVM)IP授权。 根据北京美信志成咨询公司调查,市场对于电源管理芯片(power management chip; PMC)的需求,特别是中国市场,非常强烈且持续成长
多利吉推出完整mini PCI Express接口的固态磁盘模块 (2010.05.27)
多利吉(CoreSolid Storage)将于2010年COMPUTEX展览,发表全球首款以PCI Express为接口技术的微型闪存内存模块,XDOM,这次推出的XDOM系列包括了两款不同的设计,XDOM 100 及mini XDOM m100型,此两款PCIe SSD均系设计为应用于工业控制及嵌入式系统
宜鼎国际发表符合工业宽温全系列内存模块 (2010.05.19)
宜鼎国际(InnoDisk)近日宣布,推出一系列支持专业工业计算机设计的宽温内存i-DIMM。近年来内存模块,已大量被使用在特殊应用的工控计算机系统,医疗设备、 网通、军事等领域,乃至汽车工业皆属于工控系统的范畴
凌泰科技拥抱影像新纪元 (2010.05.19)
凌泰科技(Averlogic)为影音产业界经验丰富的芯片及解决方案供货商,活耀于不断蓬勃发展的“影像纪元”, 将于Computex 2010展出以下解决方案: AL460A HD-FIFO高画质先进先出内存及模块 、高画质(HD)电力线(PLC)影音传输 及AL330B中小尺寸数字液晶显示器控制系统单芯片(SOC)
诺发系统发表全新氮化钨制程 (2010.05.19)
诺发系统(Novellus)日前宣布开发出一种创新的DirectFill化学气相沉积氮化钨(WN)线性阻隔膜,取代传统的物理气相沉积(PVD)金属钛及有机化学气相沉积法(MOCVD)氮化钛堆积成线性阻隔薄膜用于先进内存组件的钨接触传导和铜线互连传导应用
针对工业储存市场 多利吉推出Mini SATA DOM (2010.05.18)
多利吉科技(CoreSolid Storage)近日宣布,针对工业储存市场新推出Ares系列之Mini SATA DOM(Disk On Module)产品,此产品采用SATA 3Gb/s接口,Mini SATA DOM外观尺寸只有32(长) x 23(宽) x 7
凌泰推出新款的先进先出内存模块 (2010.05.18)
凌泰(Averlogic)最新推出支持高画质(HD)的先进先出(FIFO)内存模块。该模块的设计是为了提供AL460A HD-FIFO用户更快速、更容易地开发他们的产品,有了AL460A这颗高容量高速度的缓冲存储器,各类须支持高画质影像的应用皆受惠
三星推出多芯片封装PRAM芯片 移动电话设计专用 (2010.05.03)
三星电子(Samsung)日前发表一款多芯片封装 (multi-chip package; MCP)的PRAM,将在本季度稍晚专门提供给移动电话设计使用。 此款三星的512Mb MCP PRAM与40奈米级NOR Flash的软硬件功能皆兼容,此MCP亦可完全兼容于以往独立式 (stand-alone)PRAM芯片技术,可带给移动电话设计人员相当的便利性
恒忆推出新系列相变内存解决方案 (2010.04.30)
恒忆(Numonyx)日前宣布正式推出全新系列 PCM(Phase Change Memory)产品。该系列产品采用被称为 PCM 的新一代内存技术,具备更高的效能、耐写次数且设计更为简易,适用于有线及无线通信、消费电 子、个人计算机和其他嵌入式应用
三星正式量产20奈米级NAND Flash内存 (2010.04.27)
三星电子(Samsung)宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND芯片,可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案,基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND,更进一步扩展三星的记忆卡解决方案,可提供智能型 手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择
台积电0.25微米车用嵌入式闪存广受好评 (2010.04.27)
台积电日前宣布该公司符合汽车电子AEC-Q100第一级(AEC-Q100 grade1)高规格要求之0.25微米嵌入式闪存制程,在2009年,部分客户产品的实际行车故障率(field failure rate)已达到低于千万分之一( 考虑每个产品在测试筛选过程中
LSI推出全新高效能PCI Express固态储存解决方案 (2010.04.22)
LSI日前宣布为OEM客户提供PCI Express固态储存(SSS)解决方案之样品。这款SSS卡采用业界标准的SAS协议和被广泛使用的LSI SAS软件,可提供简易的系统整合与管理作业。全新的解决方案专为众多及应用提供最大I/O效能而设计,包括Web服务、数据仓储、数据探勘、在线事务处理作业、以及高效能运算等
宇瞻发表HP彩色激光打印机专用内存模块 (2010.04.16)
宇瞻科技(Apacer)近日宣布,全新发表HP彩色激光打印机Color LaserJet Enterprise CP4020/CP4520系列所设计的DDR2内存模块。宇瞻此次推出之DDR2 200pin x32 DIMM内存模块,拥有256MB与512MB两种容量,用户除了使用原本内建的512MB标准内存外,也可透过插槽将容量扩充,以满足企业大量打印的需求
Microchip扩充UNI/O EEPROM产品系列 (2010.04.08)
Microchip日前宣布,单一I/O总线接口的UNI/O EEPROM组件已开始供货。除了采用3接脚的SOT-23封装,Microchip也提供微型、晶圆级的封装形式和TO-92的封装。0.85 mm × 1.38 mm的晶圆级封装形式(WLCSP)约为一颗晶粒大小,并能支持使用标准取放机的制造流程;长引线(long-leaded)、3接脚的TO-92封装则支持手工组装的制造流程或适合直接安装于电缆组件
Kilopass一次性可编程内存完成TSMC认证 (2010.04.07)
Kilopass Technology于日前宣布,该公司的XPM嵌入式一次性可编程非挥发性内存技术,已在TSMC™ 40nm及45nm低功率制程技术中,完成TSMC IP-9000 Level 4认证与偏差鉴定。此外,Kilopass 40/45nm一次性可编程技术的早期采用客户,已成功完成设计定案

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