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Diodes的双极电晶体采用3.3mm x 3.3mm封装并提供更高的功率密度 (2019.03.12)
Diodes公司推出NPN与PNP功率双极电晶体，采用小尺寸封装(3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达100V与3A的应用提供更高的功率密度。新款NPN与PNP电晶体的尺寸较小，可在闸极驱动功率MOSFET与IGBT、线性DC-DC降压稳压器、PNP LDO及负载开关电路，提供更高的功率密度设计 |
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Diodes全新微型电晶体占位面积缩减40% (2015.01.30)
Diodes公司推出采用DFN0606封装的NPN电晶体MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP电晶体MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用DFN1006 (SOT883) 封装的同类型元件小40%，并能提供相等甚至更隹的电气效能 |
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Diodes全新微型晶体管占位面积缩减40% (2015.01.30)
Diodes公司推出采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用DFN1006 (SOT883) 封装的同类型组件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气效能 |
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IR扩充坚固可靠600V节能沟道IGBT系列 (2014.05.19)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充节能600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。全新坚固可靠的IRxx46xx 组件系列为从小型马达及低负载产品以至工业应用的完整功率应用范围作出优化，包括不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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IR扩充坚固可靠600V节能沟道IGBT系列 (2014.05.19)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充节能600V绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。全新坚固可靠的IRxx46xx 元件系列为从小型马达及低负载产品以至工业应用的完整功率应用范围作出优化，包括不断电供应系统 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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IR扩充600V沟道超高速IGBT阵容 (2013.02.21)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充600V绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 阵容，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以优化不断电供应系统 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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IR扩充600V沟道超高速IGBT阵容 (2013.02.21)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充600V绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵容，推出坚固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以优化不间断电源 (UPS)、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接应用 |
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IR Gen8 1200V IGBT技术平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。
Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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IR Gen8 1200V IGBT技术平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极电晶体 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。
(圖一)IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台
Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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Diodes双极电晶体采用新型PowerDI5封装 (2010.03.25)
Diodes近日宣布，推出第一批采用其微型PowerDI5表面安装封装的双极电晶体。应用Diodes第五代矩阵射极技术，这些率先问世的12款NPN和PNP电晶体，能够为设计人员大幅提高功率密度和减少解决方案的体积 |
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Diodes双极晶体管采用新型PowerDI5封装 (2010.03.25)
Diodes近日宣布，推出第一批采用其微型PowerDI5表面安装封装的双极晶体管。应用Diodes第五代矩阵射极技术，这些率先问世的12款NPN和PNP晶体管，能够为设计人员大幅提高功率密度和减少解决方案的体积 |
