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东芝推出新款600V/650V超接面N沟道功率MOSFET (2017.02.06)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出EMI性能更隹化的600V/650V超接面N沟道功率MOSFET，该产品适用於工业和办公设备。
(圖一)东芝新系列600V/650V超接面N沟道功率MOSFET适用於工业和办公设备 |
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东芝推出新款600V/650V超接面N沟道功率MOSFET (2017.02.06)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N沟道功率MOSFET，该产品适用于工业和办公设备。
该新系列拥有与东芝当前的「DTMOS IV系列」相同水准的低导通电阻、高速开关性能，同时，其最佳化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB |
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意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极（drain-to-source）崩溃电压（breakdown voltage）的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中 |
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意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极（drain-to-source）崩溃电压（breakdown voltage）的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入於其重要设计中 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
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意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项 |
倘若供应计算机的电源发生不正常中断或是电流不稳定时，不断电系统UPS（Uninterruptible Power Supply）便担负起暂时紧急供应电源的功能，使计算机不会因停电而被迫流失数据，或者造成系统的毁损。
