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CTIMES / Mosfet驅動器
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
凌力尔特推出快速150V高压侧N通道MOSFET驱动器 (2017.07.07)
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology) 日前推出高速、高压侧 N通道 MOSFET 驱动器 LTC7001，该元件以高达150V电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 通道 MOSFET 开关，使其能保持无限期导通
凌力尔特推出高速高压侧受保护的N通道MOSFET驱动器 (2017.06.08)
凌力尔特推出高速高压侧受保护的N通道MOSFET驱动器 亚德诺半导体 (ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology)日前推出高速、高压侧N通道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该元件可操作于高达 150V 的电源电压

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