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CTIMES / 28奈米
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簡介幾個重要的Bus規格標準

總的來說,一系列與時俱進的Bus規格標準,便是不斷提升在電腦主機與周邊設備之間,資料傳輸速度、容量與品質的應用過程。下面我們就簡介幾個重要的匯流排應用規格標準。
攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體 (2023.09.28)
GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半導體(SST)今(28)日宣佈,採用GF 28SLPe製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM解決方案即將投產。 (圖一)採用GlobalFoundries 28SLPe 製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產
聯電推出28奈米嵌入式高壓製程 適用手機、VR/AR顯示器 (2023.03.02)
聯華電子今(2)日發佈28奈米嵌入式高壓(eHV)製程之最新加強版28eHV+平台。28eHV+平台為下一代智慧手機、VR/AR設備及物聯網適用的最佳化顯示器驅動IC解決方案。 相較於聯電現有的28奈米eHV製程,新的28eHV+解決方案可在不影響圖像畫質或資料速率的前提下,降低耗能可達到15%
ADI推出28奈米CMOS類比數位轉換器新品 (2017.05.04)
美商亞德諾(ADI)推出新系列高速類比數位(A/D)轉換器的新成員AD9208。這款針對千兆赫茲頻寬應用所設計的A/D轉換器可滿足4G / 5G多頻無線通訊基地台對更高頻譜效率的需求
ADI 推出新款28奈米數位類比轉換器 (2017.05.03)
美商亞德諾(ADI)最近推出了一款28奈米數位類比轉換器,屬於新的高速數位類比轉換器(D/A轉換器)系列。AD9172可滿足千兆赫茲頻寬應用的需求,並且可實現更高的頻譜效率以滿足4G/5G多頻段無線通訊基地台和2 GHz E-band微波點對點回傳平臺的需求
中國大陸晶圓代工廠衝刺28奈米製程 (2017.04.10)
隨著聯電廈門子公司聯芯的28奈米先進製程計畫在今年第二季正式量產,TrendForce旗下拓墣產業研究院指出,中國大陸本土晶圓代工廠今年將衝刺在28奈米先進製程的佈局,進度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子,然而,隨著外資紛紛於中國大陸設立晶圓廠,本土晶圓代工廠面臨技術、人才、市場上的直接競爭壓力
中國大陸晶圓代工廠衝刺28奈米製程 (2017.04.10)
隨著聯電廈門子公司聯芯的28奈米先進製程計畫在今年第二季正式量產,TrendForce旗下拓墣產業研究院指出,中國大陸本土晶圓代工廠今年將衝刺在28奈米先進製程的佈局,進度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子,然而,隨著外資紛紛於中國大陸設立晶圓廠,本土晶圓代工廠面臨技術、人才、市場上的直接競爭壓力
瑞薩與台積電合作開發車用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術,以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品,2020年開始量產
瑞薩與台積電合作開發車用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術,以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品,2020年開始量產
台灣索思未來科技展示最新安防監控解決方案 (2016.04.25)
台灣索思未來科技今年四月甫成立,日前在「Secutech台北國際安全博覽會」中,推出最新超高解析度影像M-8M(MB86S27) SoC晶片,展出多個即時物體偵測追蹤、360度魚眼廣角監控失真影像補償校準、4K無人空拍機攝影等應用
台灣索思未來科技展示最新安防監控解決方案 (2016.04.25)
台灣索思未來科技今年四月甫成立,日前在「Secutech台北國際安全博覽會」中,推出最新超高解析度影像M-8M(MB86S27) SoC晶片,展出多個即時物體偵測追蹤、360度魚眼廣角監控失真影像補償校準、4K無人空拍機攝影等應用
創意電子推出28G多標準SerDes IP (2016.03.22)
創意電子(GUC)宣布其 28Gbps 多標準 SerDes IP(28G-EMSPHY-XT)在台積電(TSMC)28奈米製程技術中通過矽晶驗證,且符合IEEE 802.3bj(100GBase-KR4)、CEI- 25G-LR 及 CEI-28G-VSR 規格。 (圖一)SerDes IP 採用高度模組化的多重速率架構可以立即擴充支援各種新型產業規格
創意電子推出28G多標準SerDes IP (2016.03.22)
創意電子(GUC)宣布其 28Gbps 多標準 SerDes IP(28G-EMSPHY-XT)在台積電(TSMC)28奈米製程技術中通過矽晶驗證,且符合IEEE 802.3bj(100GBase-KR4)、CEI- 25G-LR 及 CEI-28G-VSR 規格。 GUC 的新 SerDes IP是GUC目前眾多的SerDes IP 組合之中先進的產品
博通推出最小又省電的車用乙太網路交換器 (2015.11.04)
博通(Broadcom)公司發佈整合BroadR-Reach實體層的新世代車用乙太網路交換器,可連結汽車中央閘道器、先進駕駛輔助系統(ADAS)、資訊娛樂系統、抬頭裝置與講求即時性的眾多應用
博通推出最小又省電的車用乙太網路交換器 (2015.11.04)
博通(Broadcom)公司發佈整合BroadR-Reach實體層的新世代車用乙太網路交換器,可連結汽車中央閘道器、先進駕駛輔助系統(ADAS)、資訊娛樂系統、抬頭裝置與講求即時性的眾多應用
因應不同尺寸需求 AMD再推嵌入式繪圖處理器 (2015.10.08)
AMD的嵌入式產品線在過往大多都是承襲PC端產品線的血統,進而延伸至嵌入式應用,這種作法早已行之有年,隨著AMD開始推廣APU(加速處理器)之後,在嵌入式應用也開始引進這樣的概念
因應不同尺寸需求 AMD再推嵌入式繪圖處理器 (2015.10.08)
AMD的嵌入式產品線在過往大多都是承襲PC端產品線的血統,進而延伸至嵌入式應用,這種作法早已行之有年,隨著AMD開始推廣APU(加速處理器)之後,在嵌入式應用也開始引進這樣的概念
GLOBALFOUNDRIES推出22奈米FD-SOI技術平台 (2015.07.15)
為滿足下一代連網裝置超低功耗的需求,GLOBALFOUNDRIES推出研發的最新半導體技術:22FDX平台,能達到如FinFET的性能和能效,成本趨近於28奈米平面式(Planar)技術,適用於不斷推陳出新的主流行動、物聯網、RF連結及網路市場
力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證 (2015.05.06)
力旺電子宣佈,其單次可程式(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)製程平台成功完成驗證,並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用
力旺電子NeoFuse技術於16nm FinFET成功完成驗證 (2015.05.06)
力旺電子宣佈,其單次可程式(One-Time Programmable, OTP)NeoFuse技術於16奈米鰭式電晶體(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)製程平台成功完成驗證,並在今年度完成矽智財開發和導入客戶應用
中芯國際成功製造28奈米Qualcomm驍龍410處理器 (2014.12.19)
中芯國際與Qualcomm Incorporated共同宣佈,Qualcomm的全資子公司─Qualcomm Technologies與中芯國際合作的28奈米 Qualcomm驍龍410處理器成功製造,這是雙方在先進技術製程和晶圓製造合作上的重要里程碑

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