|
科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
|
|
 |
宜普300 V氮化鎵功率電晶體因應高頻應用需求 (2014.10.03)
宜普公司為功率系統設計師提供一種上升時間為2奈秒(ns)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。
宜普電源(EPC)推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AD 
|
|
|
