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新世代先进封装树立国际里程碑 产研跨国携手开发卫星通信系统 (2022.12.16)
根据Yole Developpement资料显示，2018 年至2025 年全球射频（RF）前端的市场规模将由 150 亿美元成长至 258 亿美元，年复合成长率高达 8%。为了达到高速且低延迟的通讯品质，并发展更多创新应用 |
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西门子：以绿色数位企业方案和半导体产业一同迈向永续！ (2022.09.15)
受新冠疫情与国际政治的双重夹击，半导体产业的运营风貌起了剧烈的改变。业者所面临的，是一个全新的经营挑战，更加快速、更加不稳定，同时风险也越高；再加以极端气候所引动的全球节能减碳的趋势，又进一步提升了营运的门槛，於是导入新形态的数位制造与管理系统，就成了现今半导体产业的新显学 |
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迎接半导体与电子业迈入新纪元 海德汉提供大幅提升精度与效能解决方案 (2022.09.13)
因应半导体前端制程中的晶粒微小化、封装制程晶片堆叠复杂化与PCB板上的更高元件密度等，带动了电子半导体业高速发展，以及在量测与运动平台更高精度、性能的需求 |
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Micro LED用於AR眼镜晶片 预估2026年产值达4,100万美元 (2022.07.02)
迎接元宇宙世代降临，根据TrendForce最新Micro LED报告研究显示，在众多Micro LED显示应用领域中，又以Micro LED微型显示器会是接续大型显示器发展的新型高阶产品，预估截至2026年为止，用於AR智慧眼镜显示器晶片的产值将达到4,100万美元 |
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英飞凌投资扩大马来西亚居林前端工厂提升宽能隙半导体产能 (2022.02.22)
为了大幅提升宽能隙（碳化矽和氮化??）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。英飞凌科技将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区 |
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工研院开发复杂流体制程监测系统 智慧制造助产业转型 (2022.01.27)
经济部技术处以科技专案，支持工研院开发全球首创「复杂流体制程监测系统」，以机器视觉技术结合大数据分析，辅助人工辨识结晶生成状态，可大幅提升结晶制程良率，目前已与食品大厂合作验证，为民众带来更高品质及高产量的食品，未来也预计将技术导入制药、化工等产业，带动多元创新应用商机 |
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碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术 (2021.06.18)
在化合物半导体材料领域，环球晶在碳化矽晶片领域的专利布局，着重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技术。唯有掌握关键技术、强化供应链及提升半导体晶圆地位，才能够在国际市场上脱颖而出 |
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展并购Cypress成效 英飞凌发表高功率密度充电器电源方案 (2021.05.04)
英飞凌科技（Infineon），今日在台北举行「高功率密度充电器电源解决方案」记者会。尤其在完成并购赛普拉斯半导体（Cypress）公司之後，英飞凌整合双方产品线，推出应用领域更完备的USB PD电源解决方案，对应供电瓦数范围最高可达100W，可满足各式电池充电产品的充电需求 |
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ST收购氮化??创新企业Exagan多数股权 扩大高频大功率开发计画 (2020.03.11)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）已签署收购法国氮化??（GaN）创新企业Exagan多数股权的并购协议。Exagan的磊晶制程、产品研发和应用经验将拓展并推动意法半导体之车用、工业和消费性功率GaN的研发和业务 |
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新世代的电力电子 将让电动车更便宜、更有效率 (2019.03.11)
：欧盟的HiPERFORM将推出宽能隙的电力电子，并运用在下世代的电动车之中。 |
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碳化矽元件的市场发展关键：晶圆制造 (2018.10.03)
碳化矽有很高的硬度，仅次于金刚石，需要在极高温才能烧熔，再加上生产条件的控制难度大，导致碳化矽晶圆量产不易，直接影响了终端晶片与应用的发展。 |
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意法半导体和Leti合作开发矽基氮化??功率转换技术 (2018.09.28)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研发矽基氮化??（GaN）功率切换元件制造技术。该矽基氮化??功率技术将让意法半导体满足高效能、高功率的应用需求，包括混动和电动汽车车载充电器、无线充电和伺服器 |
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Mentor强化支援台积电5nm、7nm制程及晶圆堆叠技术的工具组合 (2018.05.02)
Mentor宣布该公司Calibre nmPlatform 和Analog FastSPICE (AFS) 平台中的多项工具已通过台积电(TSMC)最新版5奈米FinFET和7奈米 FinFET Plus制程的认证，Mentor 亦宣布，已更新其 Calibre nmPlatform工具，可支援台积电的Wafer-on-Wafer (WoW)晶圆堆叠技术，这些 Mentor工具以及台积电的新制程将能协助双方共同客户更快地为高成长市场实现矽晶创新 |
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全球百大科技研发奖出炉 工研院耕耘有成获九大奖项 (2017.11.20)
获奖技术名称
得奖技术说明
技转厂商
人工智慧建筑节能系统平台
只要15-30几分钟就能计算出整楝建筑物的耗能，提供最隹的节能良方，目前已用在华南银行全国150间分行、全家便利商店，润泰集团旗下之润弘精密工程，亦即将采用於评估建筑节能分析 |
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最新平面型功率MOSFET系列UniFET II MOSFET问世 (2013.08.19)
高电压功率 MOSFET 一般分为两大类： 超接面（SJ : Super Juction）MOSFET 和平面型 MOSFET。由于其电荷平衡结构和更小的输入栅极电荷（Qg），SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的导通电阻（RDS(on)）和更快的开关性能 |
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台积电：高效能行动GPU成先进制程推力 (2013.03.26)
随着GPU日益成为影响下一代SoC面积、功率和效能的重要关键，以及设计人员可采用的先进硅晶制程选项越来越复杂，因此必须为设计流程和单元库进行优化调校，才能使设计团队在日趋缩短的时程内达成最佳的效能、功耗和芯片面积目标 |
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创纪录的有机太阳能电池 (2012.09.02)
一款转换效率达到9.2%的有机太阳能电池将在2013年推出市场，并将与传统的硅晶太阳能电池展开竞争。相较于硅晶制程，有机太阳能电池的优势在于低成本与易整合，但由于塑化材料的限制，因此稳定度低且寿命短，难以在商用市场上突破 |
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创纪录的有机太阳能电池 (2012.09.02)
一款转换效率达到9.2%的有机太阳能电池将在2013年推出市场，并将与传统的硅晶太阳能电池展开竞争。相较于硅晶制程，有机太阳能电池的优势在于低成本与易整合，但由于塑化材料的限制，因此稳定度低且寿命短，难以在商用市场上突破 |
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创纪录的有机太阳能电池 (2012.09.02)
一款转换效率达到9.2%的有机太阳能电池将在2013年推出市场，并将与传统的硅晶太阳能电池展开竞争。相较于硅晶制程，有机太阳能电池的优势在于低成本与易整合，但由于塑化材料的限制，因此稳定度低且寿命短，难以在商用市场上突破 |
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单元四: MOCVD磊晶技术制程实作研习班 (2012.08.17)
课程介绍
实验室实际操作课程，限额12人，名额有限，请速报名！！
LED结构通常以MOCVD设备进行量产，MOCVD磊晶技术将悠关整体LED结构良率与亮度，MOCVD磊晶需具备多方面知识备景，同时MOCVD参数多样将影响 Run机成果，本课程介绍MOCVD磊晶原理与应该注意事项，同时介绍目前业界对 LED于磊晶可能面临相关问题先行进行预防 |
