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日昌光电采用Tektronix高速串列解决方案 成立高速数位服务测试中心 (2019.12.02)
全球示波器厂商Tektronix今日宣布,日昌光电选购Tektronix完整解决方案,成立高速数位服务测试中心。涵盖储存(Storage)、资料中心(Datacom)、显示器(Display)等各项测试,采用Tektronix DPO73304SX、MSO72504DX、MSO64、BSX320、 CR286A与DSA8300等高速设备及周边高速治具,进而协助客户快速解决测试相关问题
南亚最快明年达成DRAM全球市占一成目标 (2007.03.12)
据南亚科技总经理连日昌表示,南亚首座十二吋厂三A厂明年底便将达到每月6万2000片的产能,到时候南亚将拥有超过一成的全球市占率,并且也将正式进军NAND Flash市场。而第二座十二吋厂三B厂也会在今年下半开始动工兴建
期许台湾四大DRAM场共同落实研发PCM (2005.07.13)
台湾四大DRAM厂12日在工研院力邀下,签署一份未来三年内为次世代内存技术共同出资新台币1.2亿元的合约,不过历来所有DRAM大厂每年研发费用动辄数10亿元,这样的资金对于台湾DRAM而言,有如九牛一毛,更何况各家DRAM厂均有其各自的合作伙伴,要达成共同研发次世代内存技术的机率,可说是微乎其微
黄崇仁获选为TSIA第五届理事长 (2004.12.19)
台湾半导体产业协会年度会员大会于12月14日落幕,会中选出第五届理监事,新当选之理事共15席,包括晶圆制造类:联电副董事长张崇德、茂德资深副总经理梅伦、南亚总
光电所发表穿隧巨磁电阻效应机制自旋晶体管技术 (2004.04.05)
工研院光电所日前宣布成功研发奈米级技术──穿隧巨磁电阻效应机制自旋晶体管(Spin transistor),该技术为我国自行研发,且磁电流变化率更是凌驾世界水平,目前正申请欧、美、日等国专利,预期将可带动台湾自旋电子产业发展,以争取广大商机
工研院光电所开发出室温高效益自旋晶体管技术 (2004.04.02)
奈米自旋晶体管是目前非常新颖及极具市场潜力之明星产品,工研院光电所于新竹工研院中兴院区举办「自旋晶体管成果发表会」,会中展示已成功研发出之穿隧巨磁电阻效应机制的自旋晶体管
华亚12吋厂动土预计2004年产能达2万片 (2002.12.02)
昨日南亚与德商英飞凌(Infineon)举办合资DRAM厂华亚半导体12吋晶圆厂动土典礼,并且对外表示,预计2004年下半年该厂完成建置,估计每月产能将达2万片,到时将以0.11微米制程量产512Mb DRAM,2006可望达5万片产能水准
国家型奈米科技计划研拟完成 (2002.06.05)
由国科会委托相关研究机构规画的国家型奈米科技计划,已初步研拟完成。未来六年,政府预计投入231亿元推动奈米科技发展,并成立项目办公室,统筹执行奈米科技事务
奈米科技研发中心成立 (2002.01.17)
工研院奈米科技研发中心16日成立,公布奈米中心运作模式,首届正、副主任分别由工研院副院长杨日昌、及企划处处长苏宗粲兼任,今年投入7.45亿元,明年经费预算17亿元
亿恒接触三家台商,寻求DRAM业合并 (2001.11.02)
欧洲第二大半导体制造商亿恒公司(Infinoen)董事长舒马克(Ulrich Schumach-er)1日表示,正与三家台湾芯片制造商洽谈合资成立内存公司的相关事宜。 不过德国金融时报表示,舒马克只是间接发表评论
中日DRAM价格崩跌,厂商出招应对 (2001.08.07)
台湾及日本的DRAM制造厂商,面临严重供过于求所带来的价格重挫压力,采取不同的方式因应。有鉴于亏损实在庞大,日本半导体大厂恩益禧(NEC)已于二日宣布关闭制造;不过台湾制造DRAM的各厂如华邦电、世界先进、力晶等,仍然以股价等方式撑持当中
工研院五年投入百亿发展奈米技术 (2001.07.27)
工研院计划于91年1月成立「奈米技术中心」,初期将以从台积电回收、位于工研院院区内的台积电一厂做为基地,五年内总计将投入上百亿元。目前与奈米技术有关的分项计划,包括奈米电子、奈米材料、奈米生物、检测与设备,及设立奈米技术中心,至于奈米生物部分,预计在93年等材料及化工等基础研究有相当基础后才会投入
工研院明年初成立奈米科技研究中心 (2001.07.18)
由于预见科学技术将朝更微小化发展,工研院院长史钦泰十七日表示,工研院将在明年初成立奈米科技研究中心,利用台积电在工研院内一厂腾出的空间,结合电子、材料、化工、光电及生医等技术,发展奈米相关应用产品


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